美國半導體設備廠商 Lam Research 開發(fā)出通過化學反應制作極紫外光刻膠（EUV PR）薄膜的技術。通過該技術比在晶圓上涂液體光刻膠，能實現(xiàn)更高的分辨率并節(jié)減費用。目前在液體 EUV PR 和涂布市場主要被日本廠商壟斷。預計三星電子等受日本出口限制 EUV PR 供應受影響的韓國半導體廠商對該技術將會比較關注。

　　根據(jù)韓媒 ETNews 報道，Lam Research 在 26 日由國際光工學會（SPIE）在美國圣何塞舉行的尖端曝光工程學會上介紹了“Dry resist”技術。該技術由 Lam Research 與荷蘭曝光設備廠商 ASML，比利時半導體研究中心 IMEC 共同開發(fā)而出。

　　Dry resist 用于作為半導體核心技術的曝光工程之前。通過光反復刻錄半導體電路的曝光工程進行之前，半導體廠商會在晶圓上涂抹與光反應的液體光刻膠。目前通過旋轉涂布的方式進行光刻膠涂布。旋轉晶圓的同時，利用將液體光刻膠滴幾滴到晶圓上可以形成均勻厚度的 Track 設備。該設備主要由日本 TEL 生產。