奈梅亨，三月 10, 2020：Nexperia，分立器件、MOSFET器件及模擬和邏輯器件領(lǐng)域的生產(chǎn)專家，今日宣布推出PESD2V8R1BSF，這是業(yè)內(nèi)首款專門針對USB4TM標(biāo)準(zhǔn)開發(fā)的ESD保護(hù)器件，具有行業(yè)領(lǐng)先的RF性能。新款器件采用Nexperia的TrEOS ESD技術(shù)與有源可控硅（SCR）技術(shù)，USB4TM和Thunderbolt接口設(shè)計(jì)工程師將會(huì)特別感興趣。該器件可實(shí)現(xiàn)極低電容（低至0.1 pF）；極低鉗位電壓 動(dòng)態(tài)電阻低至0.1 ?）以及非常穩(wěn)健的防浪涌與ESD性能（，最高可達(dá)20A 8/20 μs）。PESD2V8R1BSF采用超低電感SOD962封裝。

Nexperia產(chǎn)品經(jīng)理Stefan Seider評論道：“為避免信號完整性問題，PESD2V8R1BSF ESD保護(hù)二極管提供極低的插入損耗和相應(yīng)的低回波損耗，在10 GHz時(shí)分別為-0.21 dB和-17.4 dB。該ESD保護(hù)器件可滿足USB 3.2的較高電壓要求。這意味著，該器件可放置在USB Type-C?連接器后面，用于保護(hù)耦合電容，同時(shí)仍與USB3.2向后兼容。”

TrEOS保護(hù)二極管采用非常緊湊、非?？煽康腄SN0603-2 (SOD962)封裝。這種廣泛使用的0603外形尺寸能夠帶來諸多優(yōu)勢，包括電感極低，可提供快速保護(hù)，并且可集成到單片電路中，無需焊線，從而減少了機(jī)械應(yīng)力和熱應(yīng)力。

如需了解新款ESD保護(hù)器件PESD2V8R1BSF的更多信息（包括產(chǎn)品規(guī)格和數(shù)據(jù)手冊），請?jiān)L問www.nexperia.com/USB4protection

關(guān)于Nexperia

Nexperia是分立器件、MOSFET器件、GaN FET器件及模擬和邏輯器件領(lǐng)域高產(chǎn)能的生產(chǎn)專家，其器件符合汽車工業(yè)的嚴(yán)苛標(biāo)準(zhǔn)。Nexperia非常注重效率，能持續(xù)不斷地滿足全球各類電子設(shè)計(jì)基礎(chǔ)器件的生產(chǎn)需求：年產(chǎn)量高達(dá)900億件。其產(chǎn)品在效率（如工藝、尺寸、功率及性能）方面已經(jīng)成為行業(yè)基準(zhǔn)，擁有業(yè)內(nèi)最小尺寸的封裝技術(shù)，可有效節(jié)省功耗及空間。

憑借幾十年來的專業(yè)經(jīng)驗(yàn)，Nexperia一直為全球各地的領(lǐng)先企業(yè)提供優(yōu)質(zhì)的產(chǎn)品及服務(wù)，并在亞洲、歐洲和美國擁有超過11,000名員工。公司擁有龐大的知識產(chǎn)權(quán)組合，并獲得了IATF 16949、ISO 9001、ISO 14001和OHSAS 18001認(rèn)證。

Nexperia：效率致勝。