下圖為簡易手機(jī)充電器線路圖，其中的元器件也比較容易購買到，有興趣的朋友可以自己動手 DIY 一個。

　　芯片內(nèi)部線路及典型線路如下：

　　線路采用反激式架構(gòu)，輸入電壓經(jīng)過整流橋 BD1 后一路輸送給變壓器的源邊，另一路經(jīng)過啟動電阻（一般使用 2M）輸送給芯片 U1。

　　這個芯片適用于 36W 以內(nèi)的離線式開關(guān)電源，可通過外接電阻改變電源的工作頻率， 芯片的頻率一般設(shè)計在 30K——150K 之間，我們上面的電源采用的是 67KHz，我們可以通過 RI 腳位的電阻取值來修改芯片的工作頻率。在輕載和無負(fù)載的情況下自動進(jìn)入 PFM 和 CRM，可減小待機(jī)功耗。

　　從內(nèi)部線路我們可以看出，芯片具有過壓保護(hù)線路，欠壓保護(hù)線路，峰值電流限制線路，短路保護(hù)線路，過流保護(hù)線路以及輸出驅(qū)動高電平鉗位的功能。

　　其中最為主要的保護(hù)當(dāng)然是過壓、短路和欠壓的功能。

　　過壓保護(hù)線路主要是如果 VDD 端口電壓超過鉗位電壓（34V）時，內(nèi)部電路就會將 VDD 電壓鉗位在 34V，以保護(hù)芯片不會被損壞，此時 GATE 關(guān)閉，如果電源由于其他原因，導(dǎo)致 VDD 發(fā)生鉗位后，電壓仍然上升，那么超過芯片的最大耐壓值后，芯片就會發(fā)生燒毀擊穿現(xiàn)象。

　　短路保護(hù)線路主要是當(dāng)芯片的 SENSE 端電壓 VTH_OC 超過 0.75 時，GATE 輸出端會被限制輸出，然后芯片重啟，GATE 重新輸出信號，如果故障依然存在，那么電源就會出現(xiàn)打嗝現(xiàn)象。

　　欠壓保護(hù)線路主要是當(dāng) VDD 電壓小于 9.8V 時，芯片會進(jìn)入欠壓保護(hù)狀態(tài)，這時 GATE 停止輸出。