國(guó)內(nèi)最大的晶圓代工廠中芯國(guó)際昨晚發(fā)布了2019年報(bào)，營(yíng)收31．16億美元，公司擁有人應(yīng)占利潤(rùn)為2．347億美元，同比增長(zhǎng)75％。

    中芯國(guó)際還提到14nm工藝在去年底量產(chǎn)，并貢獻(xiàn)了1％的營(yíng)收。先進(jìn)工藝正是中芯國(guó)際今年發(fā)展的重點(diǎn)，目前公司已經(jīng)開(kāi)發(fā)了14／12nm多種特色工藝平臺(tái)。

    量產(chǎn)的14nm工藝已經(jīng)可以滿足國(guó)內(nèi)95％的芯片生產(chǎn)，根據(jù)之前的消息，中芯國(guó)際的14nm產(chǎn)能年底將達(dá)到15K晶圓／月，之后就不會(huì)大幅增長(zhǎng)了，重點(diǎn)會(huì)轉(zhuǎn)向下一代工藝——N＋1及N＋2代FinFET工藝。

    之前中芯國(guó)際聯(lián)席CEO梁孟松博士首次公開(kāi)了中芯國(guó)際N＋1、N＋2代工藝的情況，透露N＋1工藝相比于14nm性能提升20％、功耗降低57％、邏輯面積縮小63％，SoC面積縮小55％，之后的N＋2工藝性能和成本都更高一些。

    外界認(rèn)為中芯國(guó)際的N＋1代工藝相當(dāng)于臺(tái)積電的7nm工藝，不過(guò)中芯國(guó)際隨后澄清說(shuō)，N＋1是中芯國(guó)際的內(nèi)部代號(hào)，并不等于7nm。

    根據(jù)這個(gè)信息，N＋1工藝跟業(yè)界公認(rèn)的7nm工藝主要差距是性能，20％的性能增幅不如業(yè)界的35％性能提升，但其他指標(biāo)差別不大。

    在最新的年報(bào)會(huì)議上，中芯國(guó)際表示N＋1工藝的研發(fā)進(jìn)程穩(wěn)定，已進(jìn)入客戶導(dǎo)入及產(chǎn)品認(rèn)證階段。之前該公司表示去年底試產(chǎn)了N＋1工藝，今年底會(huì)有限量產(chǎn)N＋1工藝。

    總之，即便中芯國(guó)際的N＋1工藝在性能上還有一定差距，但是國(guó)產(chǎn)的7nm級(jí)工藝今年底就會(huì)問(wèn)世了，這依然是一件大事。