就像人腦中有專門負(fù)責(zé)記憶功能的記憶區(qū)，智能設(shè)備也都必須要有具備“記憶功能”的存儲(chǔ)器。

所以理所當(dāng)然的，存儲(chǔ)器成為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的重要分支。全球半導(dǎo)體協(xié)會(huì)數(shù)據(jù)顯示，存儲(chǔ)芯片產(chǎn)業(yè) 2019 年全球銷售額約1200億美元，約占全球半導(dǎo)體市場(chǎng)營收4121億美元的30％。

但是過去中國在核心技術(shù)上長期受制于人，存儲(chǔ)器這個(gè)領(lǐng)域，中國市場(chǎng)對(duì)美日韓企業(yè)的依賴尤其嚴(yán)重。

存儲(chǔ)器市場(chǎng)被瓜分殆盡

中國是全球最大的半導(dǎo)體市場(chǎng)，同樣也是最大的存儲(chǔ)器市場(chǎng)。中國半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)數(shù)據(jù)顯示，2019 年半導(dǎo)體存儲(chǔ)器國內(nèi)市場(chǎng)規(guī)模為 415．8 億美元，占據(jù)近 35％的全球銷售額。也就是說，我國的存儲(chǔ)器市場(chǎng)規(guī)模在全球占比超過1／3。

然而，在龐大的市場(chǎng)規(guī)模下，芯片嚴(yán)重依賴進(jìn)口，仍然是國內(nèi)存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)多來年的真實(shí)處境。

長期以來，我國都不具備存儲(chǔ)芯片自產(chǎn)能力。國內(nèi)相關(guān)市場(chǎng)被美光、西部數(shù)據(jù)、鎧俠（東芝）、三星、 SK 海力士這些美日韓企業(yè)完全把持。

這就導(dǎo)致了很嚴(yán)重的兩個(gè)后果：其一，中國智能終端市場(chǎng)的大額利潤被國際巨頭攝取，很多終端廠商做硬件都不賺錢；其二，一旦發(fā)生貿(mào)易摩擦，國內(nèi)存儲(chǔ)芯片被長期斷供，幾乎所有國產(chǎn)終端設(shè)備廠商都將面臨滅頂之災(zāi)。

舉一個(gè)大家熟悉的例子，同款智能手機(jī)的低配或者高配，由RAM（隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）和ROM（只讀存儲(chǔ)器）是4GB＋64GB還是8GB＋512GB的不同組合決定，差價(jià)會(huì)有數(shù)千元。但是因?yàn)閲鴥?nèi)企業(yè)并不具備存儲(chǔ)芯片自產(chǎn)能力，所以只能任憑中間的利潤大頭被美光、三星這些國際存儲(chǔ)器巨頭拿走。

而一旦美光、鎧俠（東芝）、三星這些國際巨頭決定對(duì)華為或者其他國產(chǎn)廠商斷供存儲(chǔ)器芯片。長期斷供之后，因?yàn)樵趪鴥?nèi)找不到替代方案，國產(chǎn)廠商一臺(tái)手機(jī)都生產(chǎn)不出來，這就是實(shí)實(shí)在在的“卡脖子”威脅。

近幾年，國際貿(mào)易市場(chǎng)的不確定性不斷提高，國內(nèi)存儲(chǔ)器市場(chǎng)對(duì)全球巨頭的依賴，成為了中國IT產(chǎn)業(yè)發(fā)展的致命軟肋。

因此，必須盡快扭轉(zhuǎn)存儲(chǔ)器市場(chǎng)受制于人的現(xiàn)狀。

長江存儲(chǔ)逆勢(shì)突圍

在現(xiàn)狀與困境之下，背負(fù)著打破國內(nèi)存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)發(fā)展困局使命的國內(nèi)三大存儲(chǔ)企業(yè)（武漢長江存儲(chǔ)、合肥長鑫、福建晉華）相繼發(fā)力。其中，NAND閃存作為存儲(chǔ)芯片的重要產(chǎn)品之一，是長江存儲(chǔ)要重點(diǎn)攻克的領(lǐng)域所在。

相關(guān)項(xiàng)目從2014年10月開始啟動(dòng)，到2016年7月長江存儲(chǔ)有限責(zé)任公司成立，其32層3D NAND閃存測(cè)試芯片設(shè)計(jì)已經(jīng)完成。到2017年11月，32層3D NAND閃存實(shí)現(xiàn)首次流片，并于2018年第三季度實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。

這個(gè)進(jìn)度比起全球最大存儲(chǔ)器巨頭三星晚了4年多，所以在市場(chǎng)中并沒有引起太大的反響。但這只是長江存儲(chǔ)發(fā)力沖擊市場(chǎng)格局的蓄力期，在此之后長江存儲(chǔ)不斷加速。

2018年8月，搭載長江存儲(chǔ)自研Xtacking技術(shù)架構(gòu)的64層3D NAND閃存實(shí)現(xiàn)流片，2019年9月實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，把和三星的差距縮短到了2年內(nèi)。

得益于 Xtacking架構(gòu)對(duì)3D NAND控制電路和存儲(chǔ)單元的優(yōu)化，長江存儲(chǔ)64 層 TLC 產(chǎn)品在存儲(chǔ)密度、I／O 性能及可靠性上廣受好評(píng)，真正意義上走通了一條高端存儲(chǔ)芯片設(shè)計(jì)制造的創(chuàng)新之路。

到2020年4月，長江存儲(chǔ)官宣128層3D NAND閃存研發(fā)成功并在多家客戶通過驗(yàn)證，直接從64層跨過主流的72／96層直接進(jìn)入128層。預(yù)計(jì)將于2020年年底至2021年年初實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。和三星的差距，也縮短到了1年內(nèi)。

（NAND廠商技術(shù)發(fā)展趨勢(shì)，圖片來自于天風(fēng)證券）

這意味著，今年底到明年初，在市場(chǎng)中我們就可以見到搭載國產(chǎn)128層3D NAND閃存芯片的產(chǎn)品，并且相關(guān)產(chǎn)品的表現(xiàn)將會(huì)不遜于三星、美光這些國際大廠的同類產(chǎn)品。

短短6年時(shí)間，在千百工作人員夜以繼日的奮力拼搏下，長江存儲(chǔ)不負(fù)重任，終于完成對(duì)國內(nèi)空白的填補(bǔ)，并有望打破三星、美光這些國際巨頭對(duì)中國市場(chǎng)的壟斷。

產(chǎn)業(yè)生態(tài)互惠共贏

立項(xiàng)以來短短6年時(shí)間，長江存儲(chǔ)不斷取得突破，成功打破了國內(nèi)3D NAND閃存芯片“零自主”的困局。

然而長江存儲(chǔ)取得如此成就并不是靠單打獨(dú)斗，它取得的成功，也不只是一家存儲(chǔ)器芯片IDM廠商的成功。

為了實(shí)現(xiàn)存儲(chǔ)器芯片的生產(chǎn)，長江存儲(chǔ)需要搭建自己的生產(chǎn)線和工廠。需要用到硅片、化學(xué)液體、特種氣體等半導(dǎo)體材料；PVD、刻蝕、熱處理設(shè)備、介質(zhì)刻蝕設(shè)備、清洗設(shè)備等半導(dǎo)體設(shè)備。

長江存儲(chǔ)盡量選擇和國產(chǎn)半導(dǎo)體材料廠商、設(shè)備廠商合作，給晶瑞股份、華特氣體、北方華創(chuàng)、中微公司這些上游國產(chǎn)廠商帶來大量的訂單。

為了進(jìn)行客戶驗(yàn)證，長江存儲(chǔ)需要和群聯(lián)、威剛、慧榮這些下游渠道商建立緊密的合作關(guān)系。同時(shí)他們也可以幫助長江存儲(chǔ)更快、更好地適應(yīng)市場(chǎng)。

所以長江存儲(chǔ)不斷取得成功，也帶動(dòng)了國內(nèi)存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)上下游實(shí)現(xiàn)生態(tài)共贏，讓中國有望全面擺脫存儲(chǔ)器這個(gè)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)核心領(lǐng)域被“卡脖子”的威脅。這對(duì)中國整個(gè)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的持續(xù)健康發(fā)展，都會(huì)產(chǎn)生巨大的推動(dòng)作用。

反守為攻的曙光

年初疫情爆發(fā)以來，全球在線教育、在線辦公、在線娛樂、電子商務(wù)需求陡增?？陀^來看，這其實(shí)大大加速了全球數(shù)字化社會(huì)建設(shè)的進(jìn)程。

與之相伴的是，全球云計(jì)算、服務(wù)器市場(chǎng)的高速增長。在中國，這種趨勢(shì)更加明顯。同時(shí)在新基建加速落實(shí)的熱潮中，5G、人工智能、物聯(lián)網(wǎng)技術(shù)加速落地，中國存儲(chǔ)器市場(chǎng)需求強(qiáng)勁增長。

這時(shí)長江存儲(chǔ)帶領(lǐng)國內(nèi)存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)取得重大突破，實(shí)現(xiàn)128層3D NAND閃存芯片成功自研，可謂是恰逢其會(huì)。

只要長江存儲(chǔ)實(shí)現(xiàn)128層3D NAND閃存芯片量產(chǎn)之后，芯片的可靠性、可用性能夠再次讓國內(nèi)市場(chǎng)滿意。那么以中國市場(chǎng)的巨大規(guī)模所能提供的強(qiáng)勁助力，可以讓長江存儲(chǔ)在短短幾年內(nèi)就躋身于國際巨頭行列，參與國際競(jìng)爭(zhēng)。

到那時(shí)，長江存儲(chǔ)就會(huì)踏出中國核心技術(shù)反守為攻的第一步。