本周舉辦的2020年北京微電子國際研討會暨IC WORLD學術(shù)會議上，長江存儲首席執(zhí)行官楊士寧在上臺講話時提到，長江存儲的64層閃存已經(jīng)打入華為Mate40供應鏈，還借用“出道即巔峰”這樣一句話來表述。

這不僅僅意味著華為Mate 40國產(chǎn)替代的新進程，更預示著這將打破以往國產(chǎn)手機過度依賴三星、鎧俠、西數(shù)、美光等國外公司產(chǎn)品的局面。

根據(jù)楊士寧的講話，OFweek維科網(wǎng)注意到以下幾個關(guān)鍵信息：

1、長江存儲的推進速度，幾乎是在3年里走完了別人6年的路，發(fā)展速度較快，要慢下來；

據(jù)OFweek維科網(wǎng)了解，在去年9月，長江存儲成為國內(nèi)第一個宣布量產(chǎn)64層堆棧3D閃存的半導體廠商，這一消息無疑給國內(nèi)存儲產(chǎn)業(yè)打下了一針“強心劑”。其最大亮點在于，采用了長江存儲自研Xtacking架構(gòu)，Xstacking架構(gòu)擁有獨立的加工模式，使產(chǎn)品開發(fā)時間縮短了3個月，生產(chǎn)周期縮短了20％，也在很大程度上提高了產(chǎn)品性能。

2、128層不做最后一名，下代產(chǎn)品爭做行業(yè)第一第二；

今年年初，長江存儲表示將跳過目前存儲行業(yè)常見的96層堆疊閃存技術(shù)，并直接投入128層閃存的研發(fā)和量產(chǎn)工作。在今年舉辦的中國電子信息博覽會上，長江存儲展示了128層QLC閃存產(chǎn)品，它是業(yè)內(nèi)首款128層QLC規(guī)格3D NAND，且擁有已知型號產(chǎn)品中最高單位面積存儲密度，最高I／O傳輸速度和最高單顆NAND閃存芯片容量。

實際上，2020年全球存儲廠商已經(jīng)基本上集體跨過了“百層關(guān)卡”，比如三星、美光、SK海力士均推出了128層3D NAND閃存芯片，西數(shù)、鎧俠則推出了堆棧112層，不過其存儲密度更高……

總而言之，在追趕世界上存儲大廠第一梯隊的進程上，長江存儲的腳步已經(jīng)漸漸拉進與前排的距離，基于Xtacking架構(gòu)的2．0版本，會重點拓展產(chǎn)品性能以及功能，也是長江存儲直接上128層堆疊的重要保障。

3、64層3D NAND閃存晶圓進入華為Mate40旗艦產(chǎn)品供應鏈；

楊士寧提到，雖然64層3DNAND只是長江存儲的第一個產(chǎn)品，但是這顆產(chǎn)品已經(jīng)做到了 Mate40 的旗艦機里面，在這里面看到了國內(nèi)半導體產(chǎn)業(yè)鏈彼此協(xié)同合作和未來長遠的發(fā)展機會。眾所周知，華為由于受到某些原因，在手機芯片等半導體元器件的選擇上無法與國外廠商達成合作，為此不得不把目光轉(zhuǎn)向國產(chǎn)供應鏈。而華為旗下Mate系列作為旗艦手機的代表作，在對合作伙伴的選擇上也更加慎重。

打入華為Mate40旗艦產(chǎn)品供應鏈意味著國產(chǎn)存儲產(chǎn)業(yè)越來越受國內(nèi)手機廠商重視，未來完全可以取代國外品牌，打破國外壟斷局面。

4、采用異構(gòu)集成技術(shù)，即使拿不到EUV光刻機也能做出類似7nm芯片；

其中，楊士寧提到了一段整個國內(nèi)半導體產(chǎn)業(yè)都很關(guān)注的話題，眾所周知，目前國內(nèi)半導體制造業(yè)最大的問題是缺少先進設備和技術(shù)，尤以光刻機最為重要。大陸方面半導體工藝遲遲停留在14nm難以前進，由于荷蘭ASML的EUV光刻機難以入華，因此國內(nèi)像中芯國際這樣的巨頭也想方設法推出新技術(shù)來實現(xiàn)等效7nm工藝芯片的研發(fā)。其中，異構(gòu)集成（Heterogeneous Integration，HI）被認為是增強功能及降低成本的可行方法，是延續(xù)摩爾定律的新路徑。

所謂的“異構(gòu)集成技術(shù)”是指將多個單獨制造的部件封裝到一個芯片上，以增強功能性和提高工作性能，可以對采用不同工藝、不同功能、不同制造商制造的組件進行封裝。通過這一技術(shù)，工程師可以像搭積木一樣，在芯片庫里將不同工藝的小芯片組裝在一起。但是異構(gòu)集成并不簡單，要讓集成的芯片和單片芯片具有一樣的性能、功能，還要解決可靠性、散熱、封測等多方面的問題。