據(jù)臺(tái)灣地區(qū)工商時(shí)報(bào)報(bào)道，手機(jī)芯片龍頭高通發(fā)布2021年高端5G手機(jī)芯片驍龍888（Snapdragon S888），采用三星晶圓代工5納米制程，由小米旗艦級(jí)5G手機(jī)小米11首發(fā)，但小米11實(shí)測數(shù)據(jù)卻顯示S888在單核及多核運(yùn)算時(shí)功耗大幅增加，執(zhí)行高性能手游時(shí)會(huì)出現(xiàn)降頻情況，讓業(yè)界對(duì)于三星5納米制程的效能功耗比不如臺(tái)積電7納米疑慮大增。

　　聯(lián)發(fā)科2021年加強(qiáng)與臺(tái)積電在先進(jìn)制程合作，第一季6納米天璣1200系列5G手機(jī)芯片進(jìn)入量產(chǎn)，下半年將推出5納米天璣2000系列芯片。業(yè)界預(yù)期，高通為了鞏固5G手機(jī)芯片龍頭地位，2021年底發(fā)布的下一代高端5G手機(jī)芯片驍龍895（S895）將重回臺(tái)積電投片，預(yù)計(jì)第四季采用臺(tái)積電5納米量產(chǎn)，初期季投片量達(dá)3萬片，并逐季拉高投片量至2022年第二季。

　　高通發(fā)表采用三星5納米制程的高端5G手機(jī)芯片S888由小米11首發(fā)，根據(jù)外電揭露的實(shí)測數(shù)據(jù)顯示，與上代采用臺(tái)積電7納米制程的驍龍865（S865）相較，S888單核及多核運(yùn)算效能提升10％，GPU處理器提升40％，延遲表現(xiàn)因搭載LPDDR5而改善。

　　不過S888的運(yùn)行功耗明顯提高，不論單核或多核的功耗均較上代S865高出32～43％，而在執(zhí)行手游時(shí)也會(huì)出現(xiàn)降頻情況，約10分鐘后效能會(huì)到與上代S865相當(dāng)?shù)乃疁?zhǔn)。正因?yàn)镾888功耗高，導(dǎo)致小米11在執(zhí)行手游的溫度明顯上升，且高于搭載S865的小米10，因此加深了三星5納米制程表現(xiàn)不如臺(tái)積電7納米疑慮。

　　事實(shí)上，2020年下半年至今，市場就不時(shí)傳出高通因?yàn)橹瞥虇栴}，有意將部份訂單轉(zhuǎn)投臺(tái)積電的消息，其中包括高通新一代5G基帶芯片X60，且業(yè)界消息指出，蘋果iPhone 13采用的高通X60基帶芯片會(huì)采用臺(tái)積電5納米生產(chǎn)。

　　臺(tái)積電Fab 18廠第三期將于第一季進(jìn)入量產(chǎn)，屆時(shí)5納米月產(chǎn)能合計(jì)達(dá)9萬片，2021年除了蘋果擴(kuò)大采用5納米量產(chǎn)iPhone應(yīng)用處理器及Arm架構(gòu)電腦處理器，超微預(yù)期年底會(huì)完成新一代5納米Zen 4設(shè)計(jì)定案并量產(chǎn)，至于高通及聯(lián)發(fā)科的5G手機(jī)芯片會(huì)在第四季同時(shí)采用臺(tái)積電5納米投片。