與非網6月1日訊 半導體制造商GLOBAL FOUNDRIES與航空航天和國防技術公司Raytheon Technologies將合作開發(fā)一種新的硅基氮化鎵（GaN-on-Si）半導體，并將其商業(yè)化，以支持未來的無線網絡。

　　領先的航空航天和國防科技公司RaytheonTechnologies（NYSE：RTX）和全球領先的特殊工藝半導體制造商格芯（GLOBALFOUNDRIES）將協(xié)作開發(fā)新型硅基氮化鎵（GaN-on-Si）半導體并實現(xiàn)其商業(yè)化。這種半導體將為5G和6G移動及無線基礎設施應用帶來顛覆性的射頻性能。

　　根據協(xié)議，Raytheon Technologies將授權格芯使用其專有的硅基氮化鎵技術和專業(yè)知識，在其位于佛蒙特州伯靈頓的Fab 9廠開發(fā)這種新型半導體。氮化鎵是一種獨特的材料，用于制造可耐受高熱量和高功率水平的高性能半導體。這種優(yōu)點使得它非常適合處理5G和6G無線信號，因為這些信號需要比傳統(tǒng)無線系統(tǒng)更高的性能水平。

　　雷神技術公司是先進的射頻砷化鎵技術的先驅之一，廣泛用于移動和無線市場。Raytheon Technologies 的首席技術官 Mark Russell 表示，他們在推進用于先進軍事系統(tǒng)的氮化鎵技術也處于世界的最前沿。

　　雷神技術公司將把其專有的GaN-on-Si技術授權給GF，后者將在其位于佛蒙特州伯靈頓的第9工廠開發(fā)這種新的半導體。

　　氮化鎵是一種用于構建高性能半導體的材料，可以有效降低器件熱損耗提高功率水平。這使其成為處理5G和6G無線信號的理想選擇，與傳統(tǒng)的無線系統(tǒng)相比，這些信號需要更高的性能水平。

　　新的 GaN 產品將提高射頻性能并維持生產和運營成本。這將使客戶能夠將功率和功率附加效率提高到新水平，以滿足不斷發(fā)展的5G和6G毫米波工作頻率標準。

　　此次合作標志著GLOBAL FOUNDRIES 在提供差異化解決方案方面的最新戰(zhàn)略合作伙伴關系。在過去10年中，該公司已在美國半導體開發(fā)領域投資了150億美元。它計劃在2021年將其計劃投資增加一倍，以擴大全球產能。

　　事實上，過去幾年，其他企業(yè)也在聯(lián)手推動氮化鎵生產。

　　2018年，意法半導體宣布與美國MACOM聯(lián)合開發(fā)硅基氮化鎵產品，MACOM獲得了技術許可，增加了150mm的硅基氮化鎵晶片的生產能力，并能夠滿足200mm晶片的需求。

　　2020年2月，意法半導體宣布與臺積電合作，以加快氮化鎵工藝技術的開發(fā)，并向市場提供分立和集成的GaN器件。

　　2018年10月，II-VI宣布與住友電氣設備創(chuàng)新有限公司（SEDI）進行戰(zhàn)略合作，建立垂直集成的150毫米晶圓制造平臺，以生產在支持下一代無線網絡的碳化硅基氮化鎵HEMT器件。