美光在今年1月發(fā)表導(dǎo)入1α制程的DRAM產(chǎn)品，本月則已開始大量出貨使用1α制程的LPDDR4xDRAM。美光亦在業(yè)界領(lǐng)先的數(shù)據(jù)中心平臺（例如第三代AMD EPYC）完成1α制程DDR4的驗證，目前兩款產(chǎn)品皆已在包含臺中A3 新廠的美光臺灣先進(jìn)DRAM 廠區(qū)量產(chǎn)中。

　　與其競爭對手不同的是，美光至少在幾年內(nèi)不打算使用極紫外 （EUV） 光刻技術(shù)。然而，由于該公司仍需要提高其存儲芯片的密度并降低其每比特成本，但美光可以依靠其自身的其他創(chuàng)新技術(shù)來實現(xiàn)縮小其 DRAM 的尺寸。美光的 1α 節(jié)點 與 1Z 相比，位密度提高了 40%，功耗降低了 15%。它還提供更高的性能潛力。

　　美光1α制程存儲器席卷市場，以先進(jìn)的DRAM 技術(shù)帶動創(chuàng)新，不管是服務(wù)器平臺以數(shù)據(jù)為中心的工作負(fù)載，或消費型輕薄筆電，皆能受惠。1α 制程有助提升存儲器電源效率，更長的電池續(xù)航力更讓筆電攜帶更加便利，適用于現(xiàn)今居家辦公和學(xué)習(xí)的環(huán)境。

　　美光也表示，有鑒于遠(yuǎn)距辦公與教學(xué)日益普遍，美光與全球個人電腦生態(tài)系統(tǒng)伙伴密切合作，在個人電腦需求激增趨勢下提供最新存儲器技術(shù)，其中包含與臺灣OEM業(yè)者宏碁（2353）攜手合作，將使用1α制程的LPDDR4x和DDR4應(yīng)用至宏碁系統(tǒng)中。

　　此外，美光今（2）日也宣布車用的128 GB及256 GB容量的96層NAND快閃存儲器已開始送樣，兩者同屬美光領(lǐng)先業(yè)界的UFS 3.1 接口NAND 新產(chǎn)品組合。隨著車用資訊娛樂系統(tǒng)不斷更新，現(xiàn)已包含高畫質(zhì)顯示屏，并搭載應(yīng)用人工智能技術(shù)（AI）的人機接口，可處理聲音、手勢及影像辨識。美光UFS 3.1 產(chǎn)品組合正可提供汽車業(yè)亟需的低延遲、高傳輸儲存解決方案。

　　美光UFS 3.1 存儲器讀取速度比UFS 2.1 快兩倍，讓數(shù)據(jù)密集的車用資訊娛樂系統(tǒng)及先進(jìn)駕駛輔助系統(tǒng)（ADAS）開機更快，延遲降低。此外，UFS3.1 存取效能提高50%，能符合Level 3 以上ADAS 感測器、相機以及汽車黑盒子即時終端儲存（local storage）增加的需求。