高通當(dāng)下的高端芯片驍龍888被吐槽發(fā)熱嚴(yán)重,業(yè)界一度懷疑是高通的技術(shù)問題所致,不過近日臺(tái)媒digitimes的分析或許讓高通沉冤得雪,發(fā)熱問題在于三星的芯片制造工藝落后。

目前芯片制造廠臺(tái)積電和三星主要是根據(jù)晶體管的寬度來(lái)劃分的先進(jìn)工藝制程,不過早在數(shù)年前Intel就曾詳細(xì)列舉臺(tái)積電和三星的10nm與Intel的14nm工藝做比較,指出它們的10nm工藝不如Intel的10nm。

近日臺(tái)媒Digitimes對(duì)Intel、臺(tái)積電、三星的工藝進(jìn)行比較,以晶體管密度(每平方毫米晶體管數(shù)量)作為參考指標(biāo),從10nm、7nm、5nm、3nm、2nm進(jìn)行對(duì)比,其中Intel的5nm和3nm為預(yù)估值,臺(tái)積電和三星的3nm、2nm工藝為預(yù)估值。

根據(jù)Digitimes的分析,就晶體管密度而言,臺(tái)積電和三星的7nm工藝分別只有0．97億顆、0．95億顆晶體管,落后于Intel的1．06億顆晶體管,而且在5nm工藝之后它們與Intel的差距進(jìn)一步擴(kuò)大,其中三星落后的幅度更大。

Digitimes預(yù)估臺(tái)積電的5nm工藝只能達(dá)到1．73億顆晶體管,低于Intel的7nm工藝的1．8億顆晶體管;三星則更為落后,三星的5nm工藝只能達(dá)到1．27億顆晶體管,預(yù)估三星的3nm工藝才能達(dá)到1．7億顆晶體管。即是說臺(tái)積電的5nm工藝落后于Intel的7nm工藝,而三星的3nm工藝又落后于三星的5nm工藝。

Digitimes的分析還是有一定道理的,三星的工藝早在14/16nm工藝上就已稍微落后于臺(tái)積電,當(dāng)時(shí)三星以14nm工藝和臺(tái)積電以16nm工藝生產(chǎn)蘋果的A9處理器,結(jié)果被測(cè)試機(jī)構(gòu)發(fā)現(xiàn)臺(tái)積電以16nm工藝生產(chǎn)的A9處理器在功耗方面要低于三星的14nm,此后蘋果的A系處理器就全數(shù)交給臺(tái)積電代工生產(chǎn),而三星則獨(dú)攬高通的高端芯片。

此前三星為高通生產(chǎn)的高端芯片表現(xiàn)不錯(cuò),不過今年它為高通生產(chǎn)的驍龍888芯片卻出現(xiàn)了發(fā)熱問題,多款采用驍龍888芯片的手機(jī)在長(zhǎng)時(shí)間使用后會(huì)出現(xiàn)溫度偏高的問題,隨后為解決這一問題,一些手機(jī)企業(yè)不得不降低驍龍888的主頻。

隨后高通又史無(wú)前例的推出了驍龍865的第二款升頻芯片驍龍870,這是它首次對(duì)一款舊款高端芯片連續(xù)提高主頻推出驍龍865plus和驍龍870,安兔兔測(cè)試顯示驍龍888的性能與驍龍870差不多,由于驍龍888采用了更先進(jìn)的X1核心和5nm工藝,按ARM的預(yù)計(jì)驍龍888的性能應(yīng)該能比驍龍865提升三成左右,而驍龍888的實(shí)際表現(xiàn)顯然讓人失望。

如今Digitimes的分析或許能解釋驍龍888的發(fā)熱問題,主要原因應(yīng)該就是三星的5nm工藝未能達(dá)到預(yù)期,從而降低X1核心的功耗,導(dǎo)致了這一問題。據(jù)悉高通下一款芯片驍龍895將繼續(xù)采用驍龍888的架構(gòu),芯片工藝則升級(jí)到三星的3nm工藝,在采用了三星更先進(jìn)的工藝之后或許驍龍895不會(huì)再出現(xiàn)發(fā)熱問題,而性能應(yīng)該能達(dá)到ARM對(duì)X1核心的預(yù)期。

外媒認(rèn)為臺(tái)積電和三星對(duì)于先進(jìn)工藝制程的命名如此激進(jìn),在于它們之間的競(jìng)爭(zhēng)頗為激烈,當(dāng)時(shí)14/16nm工藝的命名就讓臺(tái)積電吃了點(diǎn)小虧,此后雙方開始在工藝命名上進(jìn)行比賽,而Intel則堅(jiān)持按自己的節(jié)奏研發(fā)先進(jìn)工藝而在命名上采取保守策略,導(dǎo)致Intel在芯片制造工藝推進(jìn)上落后于臺(tái)積電和三星。