英特爾公布了公司有史以來最詳細的制程工藝和封裝技術(shù)路線圖，展示了一系列底層技術(shù)創(chuàng)新，并有望將此影響延續(xù)至2025年及以后。
　　在本次“英特爾加速創(chuàng)新：制程工藝和封裝技術(shù)線上發(fā)布會”上，英特爾除了公布了其近十多年來首個全新晶體管架構(gòu) RibbonFET 和業(yè)界首個全新的背面電能傳輸網(wǎng)絡PowerVia之外，還重點介紹了采用下一代極紫外光刻（EUV）技術(shù)的計劃，即高數(shù)值孔徑（High-NA）EUV。英特爾有望率先獲得業(yè)界第一臺High-NA EUV光刻機。

　　英特爾公司CEO帕特·基辛格在發(fā)布會中表示：“基于英特爾在先進封裝領域毋庸置疑的領先性，我們正在加快制程工藝創(chuàng)新的路線圖，以確保到 2025 年制程性能再度領先業(yè)界?！?br/>　　窮盡摩爾定律，啟動新命名體系
　　數(shù)十年來，制程工藝“節(jié)點”的名稱都與晶體管的柵極長度相對應。但從1997年開始，業(yè)界開始意識到，基于納米的傳統(tǒng)制程節(jié)點命名方法已經(jīng)不再符合實際。
　　雖然業(yè)界多年前不再遵守這種命名法，但英特爾卻一直沿用這種歷史模式，即使用反映尺寸單位（如納米）的遞減數(shù)字來為節(jié)點命名。
　　不過，整個行業(yè)使用著各不相同的制程節(jié)點命名和編號方案，這些多樣的方案既不再指代任何具體的度量方法，也無法全面展現(xiàn)如何實現(xiàn)能效和性能的最佳平衡。
　　今天，在披露制程工藝路線圖時，英特爾引入了基于關(guān)鍵技術(shù)參數(shù)——包括性能、功耗和面積等的新命名體系。從上一個節(jié)點到下一個節(jié)點命名的數(shù)字遞減，反映了對這些關(guān)鍵參數(shù)改進的整體評估，以幫助客戶對整個行業(yè)的制程節(jié)點演進建立一個更準確的認知。
　　基辛格說：“今天公布的創(chuàng)新技術(shù)不僅有助于英特爾規(guī)劃產(chǎn)品路線圖，同時對我們的代工服務客戶也至關(guān)重要?！彪S著英特爾代工服務（IFS）的推出，新的命名體系將有助英特爾的客戶清晰了解情況，這比以往任何時候都顯得更加重要。

　　具體來看，英特爾從下一個節(jié)點（此前被稱作Enhance SuperFin）Intel 7開始，后續(xù)節(jié)點命名將陸續(xù)為Intel 4、Intel 3，而在Intel 3之后的下一個節(jié)點將被命名為Intel 20A，這一命名反映了向新時代的過渡，即工程師在原子水平上制造器件和材料的時代--半導體的埃米時代。
　　“摩爾定律仍在持續(xù)生效。對于未來十年走向超越‘1納米’節(jié)點的創(chuàng)新，英特爾有著一條清晰的路徑?！被粮癖硎尽?/p>

　　英特爾還致力于定義、構(gòu)建和部署下一代High-NA EUV，有望率先獲得業(yè)界第一臺High-NA EUV光刻機。英特爾正與 ASML 密切合作，確保這一行業(yè)突破性技術(shù)取得成功，超越當前一代 EUV。
　　“英特爾和ASML共同走在極紫外光刻（EUV）技術(shù)的前沿。隨著英特爾不斷拓展其全球工廠網(wǎng)絡，我們隨時準備提供能為未來創(chuàng)新做出貢獻的最先進的EUV。我們對下一代高數(shù)值孔徑EUV倍感興奮，它將使芯片技術(shù)取得更大進步。”ASML公司CEO兼總裁Peter Wennink談到。
　　英特爾代工服務推出，趕超臺積電
　　隨著英特爾全新IDM 2.0戰(zhàn)略的實施，封裝對于實現(xiàn)摩爾定律的益處變得更加重要?；粮裾f，“業(yè)界對英特爾代工服務（IFS）有強烈的興趣，今天我很高興我們宣布了首次合作的兩位重要客戶。英特爾代工服務已揚帆起航！”英特爾對領先行業(yè)的先進封裝路線圖提出：

　　EMIB作為首個 2.5D 嵌入式橋接解決方案將繼續(xù)引領行業(yè)，英特爾自2017年以來一直在出貨EMIB產(chǎn)品。Sapphire Rapids 將成為采用EMIB（嵌入式多芯片互連橋接）批量出貨的首個英特爾？至強？數(shù)據(jù)中心產(chǎn)品。它也將是業(yè)界首個提供幾乎與單片設計相同性能的，但整合了兩個光罩尺寸的器件。繼Sapphire Rapids之后，下一代 EMIB的凸點間距將從 55微米縮短至 45微米。
　　Foveros利用晶圓級封裝能力，提供史上首個 3D 堆疊解決方案。Meteor Lake是在客戶端產(chǎn)品中實現(xiàn)Foveros技術(shù)的第二代部署。該產(chǎn)品具有 36微米的凸點間距，不同晶片可基于多個制程節(jié)點，熱設計功率范圍為 5-125W。
　　Foveros Omni開創(chuàng)了下一代Foveros技術(shù)，通過高性能3D堆疊技術(shù)為裸片到裸片的互連和模塊化設計提供了無限制的靈活性。Foveros Omni允許裸片分解，將基于不同晶圓制程節(jié)點的多個頂片與多個基片混合搭配，預計將于2023年用到量產(chǎn)的產(chǎn)品中。
　　Foveros Direct實現(xiàn)了向直接銅對銅鍵合的轉(zhuǎn)變，它可以實現(xiàn)低電阻互連，并使得從晶圓制成到封裝開始，兩者之間的界限不再那么截然。Foveros Direct 實現(xiàn)了10微米以下的凸點間距，使3D堆疊的互連密度提高了一個數(shù)量級，為功能性裸片分區(qū)提出了新的概念，這在以前是無法實現(xiàn)的。Foveros Direct 是對 Foveros Omni 的補充，預計也將于 2023年用到量產(chǎn)的產(chǎn)品中。

　　會上，英特爾宣布，AWS 將成為首個使用英特爾代工服務（IFS）封裝解決方案的客戶。
　　基辛格談到，今天討論的突破性技術(shù)主要在英特爾俄勒岡州和亞利桑那州的工廠開發(fā)，這鞏固了英特爾作為美國唯一一家同時擁有芯片研發(fā)和制造能力的領先企業(yè)的地位。
　　寫在最后
　　56年前，英特爾創(chuàng)始人之一的戈登·摩爾首次提出摩爾定律，成為整個半導體行業(yè)無比追捧的真理和發(fā)展方向，然而在最近幾年的發(fā)展過程中，關(guān)于摩爾定律是否真實失效的討論一直在業(yè)界爭執(zhí)不休。
　　今天，英特爾依舊延續(xù)著這一傳統(tǒng)，并在全新的創(chuàng)新高度上制定路線圖。基辛格談到，“在窮盡元素周期表之前，摩爾定律都不會失效，英特爾將持續(xù)利用硅的神奇力量不斷推進創(chuàng)新。”