2021年8月23日 - 專注于引入新品并提供海量庫存的電子元器件分銷商貿(mào)澤電子 （Mouser Electronics ） 即日起開始備貨Qorvo 高電子遷移率晶體管 （HEMT）。此碳化硅基氮化鎵 （GaN-on-SiC） 晶體管性能優(yōu)異，可為5G大規(guī)模MIMO、LTE和WCDMA系統(tǒng)中的蜂窩 基站和射頻 應(yīng)用提供支持。
貿(mào)澤電子備貨的Qorvo QPD0011 是一款非對稱雙路放大器，采用7.0 mm×6.5 mm小型DFN封裝。QPD0011具有30 W到60 W的可變輸入功率、+48 V的漏極電壓、3.3 GHz至。6 GHz的工作電壓，以及高達(dá)13.3 dB的增益，并能在Doherty設(shè)計環(huán)境中實現(xiàn)高達(dá)90 W的超高效信號峰值功率。
為了便于開發(fā)，Mouser還提供了配套的QPD0011EVB1評估板 。此平臺包括一個示例應(yīng)用電路，在與現(xiàn)有設(shè)計結(jié)合使用時可加快原型設(shè)計速度。QPD0011適用于宏蜂窩小區(qū)和微小區(qū)基站、有源天線以及非對稱Doherty設(shè)計等應(yīng)用。
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