本文來自方正證券研究所2022年2月07日發(fā)布的報告《東芯股份：NAND、NOR、DRAM多品類布局引領(lǐng)國產(chǎn)閃存制程突破》，欲了解具體內(nèi)容，請閱讀報告原文，陳杭S1220519110008  

9000頁·研究框架·系列鏈接

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聚焦中小容量通用型存儲芯片，國內(nèi)少數(shù)可以同時提供NAND、NOR、DRAM完整解決方案的公司。東芯股份打造以低功耗、高可靠性為特點的多品類存儲芯片產(chǎn)品，公司設(shè)計研發(fā)的24nmNAND、48nm NOR均為我國領(lǐng)先的閃存芯片工藝制程，已達(dá)到可量產(chǎn)水平，實現(xiàn)了國內(nèi)閃存芯片的技術(shù)突破。  

NAND Flash：核心技術(shù)優(yōu)勢明顯，產(chǎn)品可靠性標(biāo)準(zhǔn)向車規(guī)級邁進。公司聚焦平面型SLC NAND Flash的設(shè)計與研發(fā)，主要產(chǎn)品采用浮柵型工藝結(jié)構(gòu)，存儲容量覆蓋1Gb至8Gb，可靈活選擇SPI或PPI類型接口，搭配3．3V／1．8V兩種電壓。公司的SLC NAND Flash產(chǎn)品被廣泛應(yīng)用于如5G通訊模塊和集成度要求較高的終端系統(tǒng)運行模塊。公司NAND Flash產(chǎn)品核心技術(shù)優(yōu)勢明顯，尤其是SPI NAND Flash，公司采用了業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的單顆集成技術(shù)，有效節(jié)約了芯片面積，降低了產(chǎn)品成本，提高了公司產(chǎn)品的市場競爭力。公司產(chǎn)品不僅在工業(yè)溫控標(biāo)準(zhǔn)下單顆芯片擦寫次數(shù)已經(jīng)超過10萬次，同時可在－40℃到105℃的極端環(huán)境下保持?jǐn)?shù)據(jù)有效性長達(dá)10年，產(chǎn)品可靠性逐步從工業(yè)級標(biāo)準(zhǔn)向車規(guī)級標(biāo)準(zhǔn)邁進。 

NOR Flash：下游新興應(yīng)用領(lǐng)域需求持續(xù)擴大，公司適時推出針對性產(chǎn)品推動銷量增長。公司自主設(shè)計的 SPI NOR Flash 存儲容量覆蓋2Mb至256Mb，并支持多種數(shù)據(jù)傳輸模式，公司的產(chǎn)品主要被用于存儲代碼程序，產(chǎn)品制程已達(dá)到國內(nèi)領(lǐng)先的48nm。公司NOR系列產(chǎn)品的銷量由2018年度的4688．05萬顆增長至2020年度的9438．63萬顆，增長主要源于國產(chǎn)替代形勢下，下游新興應(yīng)用領(lǐng)域尤其是可穿戴設(shè)備的需求持續(xù)擴大，公司適時推出針對性的產(chǎn)品，應(yīng)用于傳音控股、麥博韋爾等優(yōu)質(zhì)終端客戶。 

DRAM：產(chǎn)品轉(zhuǎn)向通用型、標(biāo)準(zhǔn)化，逐步實現(xiàn)下游應(yīng)用領(lǐng)域向工業(yè)級的延伸拓展。公司DRAM產(chǎn)品經(jīng)有多年技術(shù)沉淀，具有類型豐富、應(yīng)用領(lǐng)域較寬的特點。公司研發(fā)的DDR3系列是可以傳輸雙倍數(shù)據(jù)流的DRAM產(chǎn)品，具有高帶寬、低延時等特點，在通訊設(shè)備、移動終端等領(lǐng)域應(yīng)用廣泛；公司針對移動互聯(lián)網(wǎng)和物聯(lián)網(wǎng)的低功耗需求，自主研發(fā)的LPDDR系列產(chǎn)品具有低功耗、高傳輸速度等特點，適合在智能終端、可穿戴設(shè)備等產(chǎn)品中使用。公司結(jié)合市場需求變化，正逐步實現(xiàn)產(chǎn)品客制化向通用型、標(biāo)準(zhǔn)化方向的轉(zhuǎn)變及下游應(yīng)用領(lǐng)域由消費級向工業(yè)級的延伸擴展。 

存儲芯片產(chǎn)品價格存在周期性波動，公司經(jīng)營業(yè)績依賴下游市場供需情況。存儲芯片作為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的“風(fēng)向標(biāo)”，其在單價及數(shù)量上均呈現(xiàn)較強的周期性變化。周期性的主要原因為存儲芯片的產(chǎn)品通用性及市場集中度較高，為了維持存儲產(chǎn)品的市場份額，各廠商都會選擇在行業(yè)景氣度上行周期擴產(chǎn)增收、在景氣度下行周期降價清理庫存，進而導(dǎo)致產(chǎn)能與下游市場需求不匹配的情況，從而導(dǎo)致價格波動，影響公司經(jīng)營業(yè)績。 

規(guī)模效應(yīng)逐步顯現(xiàn)，產(chǎn)品結(jié)構(gòu)優(yōu)化，高附加值產(chǎn)品占比提升，公司盈利能力巨幅增長。公司預(yù)計2021年全年歸母凈利潤區(qū)間2．．45億元－2．75億元，同比增長1154％－1308％；扣非歸母凈利潤區(qū)間2．37億元－2．67億元，同比增長1250％－1421％，盈利能力增幅巨大。盈利能力的巨幅增長主要受益于：公司產(chǎn)品市場需求旺盛，隨著公司產(chǎn)品線的不斷豐富，產(chǎn)品結(jié)構(gòu)持續(xù)優(yōu)化，高附加值產(chǎn)品占比提升，對完成導(dǎo)入期的客戶銷售規(guī)模逐步擴大、規(guī)模效應(yīng)逐步顯現(xiàn)，使得公司閃存芯片銷售規(guī)模持續(xù)擴大，公司經(jīng)營業(yè)績同比上升，從而銷售毛利率較上年同期提升。 

盈利預(yù)測：我們預(yù)計公司2021－2023年營收12．0／16．0／21．0億元，歸母凈利潤2．5／3．2／4．0億元，首次覆蓋，給予“推薦”評級。

風(fēng)險提示：1）產(chǎn)品價格波動風(fēng)險；2）產(chǎn)品技術(shù)研發(fā)風(fēng)險；3）下游行業(yè)景氣度不及預(yù)期風(fēng)險。