近日，國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)公開(kāi)的信息顯示，華為技術(shù)有限公司公開(kāi)了“一種芯片堆疊封裝及終端設(shè)備”專利。

據(jù)摘要顯示，本公開(kāi)涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，其能夠在保證供電需求的同時(shí)，解決因采用硅通孔技術(shù)而導(dǎo)致的成本高的問(wèn)題。

（截圖自國(guó)家專利局）

（截圖自國(guó)家專利局）

專利文件顯示，該芯片堆疊封裝包括：

設(shè)置于第一走線結(jié)構(gòu) （10） 和第二走線結(jié)構(gòu) （20） 之間的第一芯片 （101） 和第二芯片 （102）；

所述第一芯片 （101） 的有源面 （S1） 面向所述第二芯片 （102） 的有源面 （S2）；

第一芯片 （101） 的有源面 （S1） 包括第一交疊區(qū)域 （A1） 和第一非交疊區(qū)域 （C1），第二芯片 （102） 的有源面 （S2） 包括第二交疊區(qū)域 （A2） 和第二非交疊區(qū)域 （C2）；

第一交疊區(qū)域 （A1） 與第二交疊區(qū)域 （A2） 交疊，第一交疊區(qū)域 （A1） 和第二交疊區(qū)域 （A2） 連接；

第一非交疊區(qū)域 （C1） 與第二走線結(jié)構(gòu) （20） 連接；

第二非交疊區(qū)域 （C2） 與第一走線結(jié)構(gòu) （10） 連接。

所謂的芯片堆疊技術(shù)究竟是什么？

“芯片堆疊”技術(shù)近段時(shí)間經(jīng)常聽(tīng)到，在前段時(shí)間蘋(píng)果舉行線上發(fā)布會(huì)時(shí)，推出了號(hào)稱“史上最強(qiáng)”的Apple M1 ultra，這就是一種采用堆疊思路設(shè)計(jì)的芯片。

M1 ultra將兩枚M1 Max中隱藏的芯片間互連模塊（die－to－die connector）通過(guò)技術(shù)手段整合在一起，蘋(píng)果將其稱之為“Ultra Fusion”架構(gòu)，擁有1萬(wàn)多個(gè)信號(hào)點(diǎn)，互連帶寬高達(dá)2．5TB／s，而且延遲、功耗都非常低。

通過(guò)這種方式組合而成的M1 Ultra，規(guī)格基本上是M1 Max的翻倍。同樣是采用了5nm制造工藝，但M1 Ultra的晶體管數(shù)量卻高達(dá)1140億個(gè)，統(tǒng)一內(nèi)存最高達(dá)到128GB，總帶寬800GB／s。

（蘋(píng)果發(fā)布會(huì)截圖）

那么所謂的芯片堆疊技術(shù)究竟是什么？據(jù)了解，堆疊技術(shù)也可以叫做3D堆疊技術(shù)，是利用堆疊技術(shù)或通過(guò)互連和其他微加工技術(shù)在芯片或結(jié)構(gòu)的Z軸方向上形成三維集成，信號(hào)連接以及晶圓級(jí)，芯片級(jí)和硅蓋封裝具有不同的功能。針對(duì)包裝和可靠性技術(shù)的三維堆疊處理技術(shù)。

該技術(shù)用于微系統(tǒng)集成，是在片上系統(tǒng)（SOC）和多芯片模塊（MCM）之后開(kāi)發(fā)的先進(jìn)的系統(tǒng)級(jí)封裝制造技術(shù)。 在傳統(tǒng)的SiP封裝系統(tǒng)中，任何芯片堆棧都可以稱為3D，因?yàn)樵赯軸上功能和信號(hào)都有擴(kuò)展，無(wú)論堆棧位于IC內(nèi)部還是外部。

目前，3D芯片技術(shù)的類別包括：基于芯片堆疊的3D技術(shù)，基于有源TSV的3D技術(shù)，基于無(wú)源TSV的3D技術(shù)，以及基于芯片制造的3D技術(shù)。

筆者注意到，去年華為就曾被曝出“雙芯疊加”專利，這種方式可以讓14nm芯片經(jīng)過(guò)優(yōu)化后比肩7nm性能。但當(dāng)時(shí)曝光的這種通過(guò)堆疊的方式與蘋(píng)果的“Ultra Fusion”架構(gòu)還是有所不同。也許有很多人理解雙芯片堆疊是指將兩顆獨(dú)立芯片進(jìn)行物理堆疊的方式去實(shí)現(xiàn)性能突破，其實(shí)這是非常嚴(yán)重的錯(cuò)誤，如果單單依靠物理堆疊，那么會(huì)有非常多的弊端無(wú)法解決，例如兼容性，穩(wěn)定性，發(fā)熱控制這些都是沒(méi)法通過(guò)物理堆疊來(lái)解決問(wèn)題的，在設(shè)計(jì)思路上面就會(huì)走上歧路，得不償失也毫無(wú)意義。

雙芯疊加層級(jí)運(yùn)用于設(shè)計(jì)和生產(chǎn)初期，也就是說(shuō)在設(shè)計(jì)過(guò)程中將原來(lái)的一顆芯片設(shè)計(jì)成雙層芯片然后利用自己獨(dú)特的技術(shù)，來(lái)將這兩層芯片封裝在一顆芯片中，通過(guò)同步信號(hào)方式與一些其他方法就可以激活雙層芯片共同發(fā)力，從而實(shí)現(xiàn)芯片性能突破。所以說(shuō)一個(gè)物理層堆疊，一個(gè)設(shè)計(jì)之初就開(kāi)始改變?cè)O(shè)計(jì)思路，這是完全不同的兩個(gè)方式。

因此雖然同樣是指雙芯片組合成單個(gè)主芯片，但蘋(píng)果與華為可以說(shuō)是兩種截然不同的方式。無(wú)論如何，雙芯片組合帶來(lái)的結(jié)果必然是1＋1＞1，但不等于2。

當(dāng)然，無(wú)論是華為的雙芯疊加技術(shù)還是蘋(píng)果的Ultra Fusion架構(gòu)，在當(dāng)前芯片工藝水平發(fā)展接近極限的情況下，“雙芯堆疊”設(shè)計(jì)的方式不失為一種好的選擇。理論上來(lái)說(shuō)，兩顆芯片可以將任務(wù)分工處理，形成更強(qiáng)的運(yùn)行效率，而其中重點(diǎn)所需要解決的，無(wú)非就是功耗、信號(hào)同步、數(shù)據(jù)流協(xié)同處理等方面的問(wèn)題。

在前不久舉辦的華為2021年業(yè)績(jī)發(fā)布會(huì)上，華為輪值董事長(zhǎng)郭平表態(tài)稱，未來(lái)華為可能會(huì)采用多核結(jié)構(gòu)的芯片設(shè)計(jì)方案，以提升性能。同時(shí)，采用面積換性能，用堆疊換性能，使得不那么先進(jìn)的工藝也能持續(xù)讓華為在未來(lái)的產(chǎn)品里面，能夠具有競(jìng)爭(zhēng)力。

在去年12月，華為公司還投資6億元成立了一家電子制造的全資子——華為精密制造有限公司，經(jīng)營(yíng)范圍為光通信設(shè)備制造，光電子器件制造，電子元器件制造和半導(dǎo)體分立器件制造。當(dāng)時(shí)就有內(nèi)部人士稱，該公司具備一定規(guī)模的量產(chǎn)和小批量試制（能力），但主要用于滿足自有產(chǎn)品的系統(tǒng)集成需求?！安簧a(chǎn)芯片，主要是部分核心器件、模組、部件的精密制造?！蓖瑫r(shí)，經(jīng)營(yíng)范圍中提及的“半導(dǎo)體分立器件“主要是分立器件的封裝、測(cè)試。如此來(lái)看，華為對(duì)于芯片堆疊路線早有清晰的規(guī)劃，沒(méi)準(zhǔn)已經(jīng)投入制造環(huán)節(jié)。

此外，從華為將海思列為了一級(jí)部門的重大業(yè)務(wù)架構(gòu)調(diào)整來(lái)看，這預(yù)示著其戰(zhàn)略重心的重新配置。在過(guò)去相當(dāng)長(zhǎng)的一段時(shí)間里，海思只是華為2012實(shí)驗(yàn)室下面的一個(gè)部門，最高端的產(chǎn)品也都是自用?，F(xiàn)在，華為將海思列為一級(jí)業(yè)務(wù)部門，在很大程度上預(yù)示著，未來(lái)華為的芯片產(chǎn)品，將從“部分商用”調(diào)整為“全面商用”，華為也將繼續(xù)加大在芯片領(lǐng)域的人才投入和技術(shù)投入。