不少美信 DS18B20 用戶，想要用更高精度或更快讀溫速度的單總線溫度芯片進行應(yīng)用 升級。敏源第 4 代高精度溫度芯片 M1820（TO92S 封裝）、M1601（SOT23 封裝）、 M601（DFN8 封裝）等，最高測溫精度±0．1℃，同時也有±0．5℃精度的產(chǎn)品。溫度芯片內(nèi) 置 16 bit ADC，溫度轉(zhuǎn)換時間 10．5／5．5／4ms 可配置，客戶把原有 DS18B20 應(yīng)用例程做如 下簡單修改即可：

1、溫度轉(zhuǎn)換時間 DS18B20 溫度轉(zhuǎn)換時間最快 500ms，M1820、M1601、M601 系列溫度轉(zhuǎn)換時間 10．5／5．5／4ms（默認出廠配置 10．5ms），配置方式見下：

ConvertTemp（）；

Delay＿ms（11）；／／不同重復(fù)性下轉(zhuǎn)換時間不同，此處延時必須大于對應(yīng)的轉(zhuǎn)換時間。

＠brief 設(shè)置周期測量頻率和重復(fù)性

＊ ＠param mps 要設(shè)置的周期測量頻率（每秒測量次數(shù)），可能為下列其一

＊＠arg CFG＿MPS＿Single：每執(zhí)行 ConvertTemp 一次，啟動一次溫度測量

＊＠arg CFG＿MPS＿Half：每執(zhí)行 ConvertTemp 一次，啟動每秒 0．5 次重復(fù)測量

＊＠arg CFG＿MPS＿1：每執(zhí)行 ConvertTemp 一次，啟動每秒 1 次重復(fù)測量

＊＠arg CFG＿MPS＿2：每執(zhí)行 ConvertTemp 一次，啟動每秒 2 次重復(fù)測量

＊＠arg CFG＿MPS＿4：每執(zhí)行 ConvertTemp 一次，啟動每秒 4 次重復(fù)測量

＊＠arg CFG＿MPS＿10：每執(zhí)行 ConvertTemp 一次，啟動每秒 10 次重復(fù)測量

＊ ＠param repeatability：要設(shè)置的重復(fù)性值，可能為下列其一

＊＠arg CFG＿Repeatbility＿Low：設(shè)置低重復(fù)性，轉(zhuǎn)換時間 4ms

＊＠arg CFG＿Repeatbility＿Medium：設(shè)置中重復(fù)性，轉(zhuǎn)換時間 5．5ms

＊＠arg CFG＿Repeatbility＿High：設(shè)置高重復(fù)性，轉(zhuǎn)換時間 10．5ms

＊ ＠retval 無

bool OW＿SetConfig（uint8＿t mps， uint8＿t repeatability）

｛ uint8＿t scrb［sizeof（M1820＿SCRATCHPAD＿READ）］；

M1820＿SCRATCHPAD＿READ ＊scr ＝ （M1820＿SCRATCHPAD＿READ ＊） scrb；

讀 9 個字節(jié)。第 7 字節(jié)是系統(tǒng)配置寄存器，第 8 字節(jié)是系統(tǒng)狀態(tài)寄存器。最后字節(jié)是 前 8 個的校驗和 CRC if（OW＿M1820＿ReadScratchpad＿SkipRom（scrb） ＝＝ FALSE）

｛ return FALSE； 讀暫存器組水平 ｝

計算接收的前 8 個字節(jié)的校驗和，并與接收的第 9 個 CRC 字節(jié)比較。

if（scrb［8］ ?。?MY＿OW＿CRC8（scrb， 8））

｛ return FALSE； CRC 驗證未通過 ｝

scr－＞Cfg ＆＝ ～CFG＿Repeatbility＿Mask；

scr－＞Cfg ｜＝ repeatability；

scr－＞Cfg ＆＝ ～CFG＿MPS＿Mask；

scr－＞Cfg ｜＝ mps；

OW＿M1820＿WriteScratchpad＿SkipRom（scrb＋4）；

return TRUE； ｝

2、溫度寄存器

DS18B20 分辨率 9－12bit ADC，M1820、M1601、M601 系列為 16bit ADC，溫度 寄存器格式不同，計算公式也不同，修改如下：

float M1820＿OutputtoTemp（int16＿t out）

｛ return （（float）out／256．0 ＋ 40．0）； ｝

3、睡眠模式

M1820、M601、M1601 系列進入睡眠時，需要把 Scratchpad 寄存器的 9 個字節(jié)全 部讀完，無需發(fā)送發(fā)送指令，讀取函數(shù)按如下進行修改：

bool ReadTempWaiting＿SkipRom（uint16＿t ＊iTemp）

｛ uint8＿t scrb［sizeof（MY18E20＿SCRATCHPAD＿READ）］；

MY18E20＿SCRATCHPAD＿READ ＊scr ＝ （MY18E20＿SCRATCHPAD＿READ ＊） scrb； 讀 9 個字節(jié)。前兩個是溫度轉(zhuǎn)換結(jié)果，最后字節(jié)是前 8 個的校驗和－－CRC。 if（MY18E20＿ReadScratchpad＿SkipRom（scrb） ＝＝ FALSE）

｛ return FALSE； 讀寄存器失敗 ｝

計算接收的前 8 個字節(jié)的校驗和，并與接收的第 9 個 CRC 字節(jié)比較。 if（scrb［8］ ?。?MY＿OW＿CRC8（scrb， 8））

｛ return FALSE； CRC 驗證未通過 ｝

將溫度測量結(jié)果的兩個字節(jié)合成為 16 位字。 ＊iTemp＝（uint16＿t）scr－＞T＿msb＜＜8 ｜ scr－＞T＿lsb； return TRUE； ｝

4、暫存器

使用 M1820、M1601、M601 系列時，暫存器配置只需按芯片手冊定義進行修訂即 可。

與 DS18B20 相比，M1820、M1601、M601 系列除了更高精 度外，還具有更寬電壓范圍（1．8～5．5V）、更低功耗（測溫平均電 流 5μA＠3．3V，1Hz）、溫度一致性好、測溫分辨率高等優(yōu)點。

選型可參見下表。