近日，有媒體表示，臺(tái)積電、三星兩家先進(jìn)的代工廠，放任客戶稱他們的芯片使用了4nm工藝，但其實(shí)還是5nm，這其實(shí)是工藝造假。

媒體報(bào)道稱，原本高通的驍龍8Gen1是5nm工藝的，但為了市場及營銷的需要，高通和三星決定將8Gen1作為4納米芯片推出。

同樣的，聯(lián)發(fā)科天璣9000也是5nm工藝的，但看到三星與高通推出了4nm，于是臺(tái)積電與聯(lián)發(fā)科，也宣稱自己天璣9000，也是4nm了。

而根據(jù)專業(yè)人士的分析，不管是驍龍8Gen1，還是天璣9000系列，所謂的4nm工藝，在物理結(jié)構(gòu)上，與這兩家公司的5nm工藝并沒有什么不同之處，純粹就是將5nm，說成是4nm，玩數(shù)字游戲。

事實(shí)上，在幾年前，就有知名芯片廠商表示，臺(tái)積電、三星均在在工藝制程上玩營銷游戲，他們喜歡將數(shù)字說得越小越好，但實(shí)際并不是真正的XXnm工藝。以前，所謂的工藝制程，與晶體管密度是保持著嚴(yán)格的相關(guān)性的。工藝提升，晶體管密度就會(huì)提升，相同的工藝下，即使是不同的廠商，其晶體管密度基本也不會(huì)相差太多的。

但到了10nm后，臺(tái)積電、三星的工藝節(jié)點(diǎn)，與晶體管密度就開始脫鉤了，不再具備嚴(yán)格的相關(guān)性了。

如上圖所示，這是某機(jī)構(gòu)根據(jù)臺(tái)積電、三星、intel的技術(shù)資料，列出來的制程工藝與晶體管密度的對(duì)比圖。

我們發(fā)現(xiàn)三大廠商，在不同的工藝下，其晶體管密度是截然不同的，水份最高的是三星，圖中可以看出，intel的7nm，從晶體管密度來看，與臺(tái)積電的5nm、三星的3nm是相同的。

另外三星在10nm、7nm，其晶體管密度與臺(tái)積電是一致的，但后來就變了，密度越來越低，比臺(tái)積電低一代，比intel低2代了。

對(duì)此不知道大家怎么看？現(xiàn)在工藝提升越來越難，每提升一代需要的時(shí)間越來越長，這也導(dǎo)致晶圓廠們，開始搞虛假動(dòng)作了。

搞得intel現(xiàn)在都沒辦法，在工藝上都不得不與三星、臺(tái)積電“同流合污”，改變了自己的命名規(guī)則，成為了虛假工藝中的一員，比如原本的英特爾10nm工藝被重新命名為了Intel 7，對(duì)應(yīng)臺(tái)積電的7nm工藝，而原本的7nm，叫做intel 4，對(duì)應(yīng)臺(tái)積電4nm工藝……

如今，制程工藝節(jié)點(diǎn)的命名，完全失去了應(yīng)有的意義……誰也不知道真正的工藝節(jié)點(diǎn)是啥了，晶圓廠說啥就是啥。

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