《電子技術(shù)應(yīng)用》
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應(yīng)用在65W快充上國(guó)產(chǎn)氮化鎵芯片優(yōu)勢(shì)

2022-11-14
來(lái)源:工采網(wǎng)電子元件
關(guān)鍵詞: 65W 快充 氮化鎵 芯片

氮化鎵是氮和鎵化合物;作為一種全新的半導(dǎo)體材料它具有熱導(dǎo)率高、耐高溫、高硬度、高兼容性等一系列的特性。在早期開(kāi)發(fā)中氮化鎵材料被應(yīng)用于發(fā)光二極管、燈具,新能源等等方面。

  氮化鎵材料是研制微電子器件的重要半導(dǎo)體材料,得益于充電行業(yè)的新興技術(shù),隨著技術(shù)突破成本得到控制,目前氮化鎵還被廣泛運(yùn)用到消費(fèi)類(lèi)電子等領(lǐng)域備受廠(chǎng)商和用戶(hù)的追捧。

  應(yīng)用在充電器可適配小型變壓器和高功率器件,充電效率高;氮化鎵充電器的最大優(yōu)點(diǎn)就是支持體積更小的變壓器以及其他電感元件,與此同時(shí),還具有優(yōu)秀的散熱性能。所以,相較于傳統(tǒng)充電器,氮化鎵充電器能夠有效縮小體積、降低發(fā)熱并提高效率。

  與普通半導(dǎo)體的硅材料相比,氮化鎵的帶隙更寬且導(dǎo)熱好,能夠匹配體積更小的變壓器和大功率電感,所以氮化鎵充電器有體積小、效率高、更安全等優(yōu)勢(shì)。近來(lái)的旗艦手機(jī)平板為了實(shí)現(xiàn)更快的充電速度,充電器功率都比較大,40W50W充電器非常普遍。

  氮化鎵擁有更寬的帶隙,寬帶隙也意味著,氮化鎵能比硅承受更高的電壓,擁有更好的導(dǎo)電能力,相同體積下,采用氮化鎵技術(shù)的充電器比普通充電器輸出效率更高。改用氮化鎵技術(shù)后,充電器的元器件可以更小,充電器體積大幅縮小;同時(shí)氮化鎵充電器也能保持高效和低溫的工作狀態(tài),安全性更好。

  在工業(yè)用電領(lǐng)域,相比硅基、CoolMOS和碳化硅,氮化鎵器件能實(shí)現(xiàn)更優(yōu)的性?xún)r(jià)比,并滿(mǎn)足高端電源對(duì)應(yīng)用環(huán)境和產(chǎn)品規(guī)格的需求;工業(yè)上采用MOCVD和HVPE設(shè)備來(lái)外延生長(zhǎng)。

  推薦一款由工采網(wǎng)代理的四川美闊GaN/氮化鎵 - MGZ31N65具備特性:

 ?。?)650V, 6.5A, RDS (on)(typ.)= 250mΩ@VGS = 8V

  (2)非常低的QRR

 ?。?)減少交叉損失

 ?。?)符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)和無(wú)鹵素要求的包裝

  貼片封裝采用銅夾片封裝技術(shù)來(lái)代替內(nèi)部的封裝引線(xiàn);可以減少寄生損耗,優(yōu)化電氣和熱性能,并提高可靠性;封裝的氮化鎵器件提供頂部或底部散熱兩種配置,使其更通用,并有助于進(jìn)一步改善散熱。

  除了C端消費(fèi)電子,氮化鎵在5G領(lǐng)域的應(yīng)用也有很大潛力,5G時(shí)代需要很多的微基站和中間設(shè)備,這些設(shè)備也需要更高效的供電能力,而氮化鎵充電器體積小效率高的優(yōu)勢(shì)會(huì)很明顯。



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