按照科學家們的分析，硅基芯片工藝的物理極限在1nm，之后基本上就沒法前進了。

而目前臺積電、三星已經掌握了3nm，按照晶圓廠的發(fā)展計劃以及歷史經驗預計在2025年會實現(xiàn)2nm，再到2028年會達到1．4nm，再之后就是要進入1nm以下了。

也就是說到了2028年左右，估計芯片工藝基本上就是極限，因為1．4nm后，已經觸碰物理極限，難難難……

于是很多人表示，既然芯片工藝已經止步了，那意味著我們能夠很快追上臺積電等廠商了。因為這就相當于一場賽跑，前面的跑到沒路了，后面的雖然落后前面的較遠，但終究會追上的。

那么問題來了，一旦6年后，芯片工藝就真的只能停留在1．4nm，再也無法前進了，我們能不能追上臺積電？

當然，追肯定是能夠追上的，但需要的時間會非常長，可能需要10年、20年甚至更長時間。

目前10nm及以下的先進工藝的設備等，對我們是禁售的，比如EUV光刻機等，我們要想實現(xiàn)10nm以下芯片的突破，必須全產業(yè)鏈都發(fā)力。

就算產業(yè)鏈很給力，你需要的都有，那么要實現(xiàn)1．4nm這樣的工藝，按照臺積電的發(fā)展路徑，從14nm到1．4nm也要10多年啊，這個時間很難再縮短了

另外，就算10年實現(xiàn)了1．4nm工藝，較臺積電也至少落后了5年，那么臺積電的良率、成本、生產效率等，也會遠高于我們，畢竟他已經有了5年以上的經驗，肯定比一個剛搞定的菜鳥強多了。

另外為了給摩爾定律結合，業(yè)界還在探索小芯片等技術，這些技術再用1．4nm這樣的先進工藝來實現(xiàn)，可能也會產生化學作用，產生新一輪的工藝革命。

此外，目前業(yè)界在探索用其它材料來替代硅基芯片，比如石墨烯、碳化硅、碳基等，10年內說不定就會有新的成果出現(xiàn)，臺積電等一旦硅基芯片工藝到極限，會有更多的時間、資源、人才來探索這些新技術。

所以希望臺積電、三星們被硅基芯片的物理極限擋住腳步，然后我們就追上，這種想法是不太實際的，還是得靠自己一步一步往前走追上來，而不是希望別人停下來等我們，你覺得呢？

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