文獻(xiàn)標(biāo)志碼:A
DOI:10.16157/j.issn.0258-7998.222872
中文引用格式: 徐晴昊,奚冬杰. 基于CMOS閾值電壓設(shè)計(jì)的電壓基準(zhǔn)源[J]. 電子技術(shù)應(yīng)用,2023,49(1):32-35.
英文引用格式: Xu Qinghao,Xi Dongjie. Voltage reference based on CMOS threshold voltage[J]. Application of Electronic Technique,2023,49(1):32-35.
0 引言
電壓基準(zhǔn)源作為一個(gè)基礎(chǔ)單元模塊被廣泛應(yīng)用于諸如數(shù)據(jù)傳輸、隨機(jī)存儲(chǔ)器和射頻電路等電子系統(tǒng)。高精度的電壓基準(zhǔn)源應(yīng)具有與工藝無(wú)關(guān)的低溫度和低電源電壓敏感性,其輸出電壓精度將限制所在系統(tǒng)的性能上限,因此研究如何設(shè)計(jì)高精度電壓基準(zhǔn)源具有重要意義[1-4]。
傳統(tǒng)電壓基準(zhǔn)源基于三極管帶隙電壓進(jìn)行設(shè)計(jì),采取一階補(bǔ)償方案,輸出為三極管基極與發(fā)射極間壓差(VBE)和熱電壓(VT)的加權(quán)和。由于VBE的展開(kāi)式中存在溫度的非線性高階分量,因此傳統(tǒng)電壓基準(zhǔn)源如需提升輸出精度則需采取高階曲率補(bǔ)償方案。針對(duì)一階補(bǔ)償因固有缺陷所導(dǎo)致基準(zhǔn)輸出電壓精度受限問(wèn)題,業(yè)內(nèi)提出了電阻溫度系數(shù)補(bǔ)償、亞閾值區(qū)MOS補(bǔ)償、指數(shù)型電流補(bǔ)償和分段線性曲率補(bǔ)償?shù)雀唠A溫度補(bǔ)償方案,但綜合考慮功耗、面積、噪聲、模型精度、良率和工藝兼容性等問(wèn)題上述方案應(yīng)用場(chǎng)景受限[5-7]。
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作者信息:
徐晴昊,奚冬杰
(中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第五十八研究所,江蘇 無(wú)錫 214035)