眾所周知，美國(guó)最近已經(jīng)聯(lián)手荷蘭、日本，對(duì)中國(guó)芯進(jìn)行了全面圍堵，目標(biāo)是卡死中國(guó)芯片工藝制程在14nm，不準(zhǔn)再前進(jìn)。

實(shí)話實(shí)說(shuō)，目前的形勢(shì)對(duì)我們非常不利，ASML的EUV光刻機(jī)買不到，能用于7nm工藝的浸潤(rùn)式光刻機(jī)，ASML、尼康也不能賣，只能賣出14nm以上工藝的光刻機(jī)。

而國(guó)產(chǎn)的光刻機(jī)，分辨率還在90nm，要達(dá)到14nm以下，估計(jì)還得非常長(zhǎng)的時(shí)間。

所以很多人認(rèn)為，在硅基芯片上，在短時(shí)間內(nèi)追上甚至超過(guò)美國(guó)，基本上不太可能了，再加上硅基芯片，已經(jīng)快要達(dá)到性能極限了，注定要被新材料新技術(shù)替代的，所以我們需要換道超車，提前布局才行。

而量子芯片、光子芯片、碳基芯片是新的方向。其中特別是碳基芯片，更是成為了很多人的希望，因?yàn)槟壳霸谔蓟酒?，我們的水平并沒(méi)有落后，在材料、制造、研究等領(lǐng)域，是處于世界前列的，截至2022年底，中國(guó)與碳基芯片相關(guān)的石墨烯專利技術(shù)申請(qǐng)量約占全球的80％。

再加上碳基芯片的電子遷移率遠(yuǎn)高于硅基材料，性能至少是硅基芯片的10倍以上，同時(shí)功耗還能大幅降低。

還有人稱，碳基芯片，由于不使用硅，所以現(xiàn)有的光刻機(jī)技術(shù)，可能會(huì)被顛覆，不再需要EUV光刻機(jī)了，所以中國(guó)芯也就不會(huì)再被光刻機(jī)卡住脖子，值得我們大干一場(chǎng)。

事實(shí)上，目前的碳基芯片基本上還處于概念階段，并沒(méi)有實(shí)際可以量產(chǎn)的成品出現(xiàn)，更多的只是科學(xué)研究，全球都是如此。

同時(shí)由于載碳原子有4個(gè)自由電子，碳晶體管本身具有較高的導(dǎo)熱性與電子活潑性，導(dǎo)致碳晶體管的內(nèi)部結(jié)構(gòu)十分不穩(wěn)定，這也是當(dāng)前制造碳基芯片的難點(diǎn)。

此外，從現(xiàn)在的研究來(lái)看，制造碳晶體管，依然采用的是當(dāng)前硅基芯片的相同技術(shù)，還是采用投影式光刻機(jī)，對(duì)電路圖進(jìn)行投影，原理、過(guò)程都一致的。

這意味著，想靠碳基芯片來(lái)繞過(guò)光刻機(jī)，以及EUV光刻機(jī)，在當(dāng)前階段可能并不現(xiàn)實(shí)，碳基芯片與硅基芯片相比，只是材料不同而已，制造方式還是一樣的。

當(dāng)然，碳基芯片遠(yuǎn)比硅芯片先進(jìn)，比如40nm的芯片碳基芯片，可以達(dá)到10nm硅基芯片的性能，也就是說(shuō)14nm的碳基芯片，或許能達(dá)到3nm硅基芯片的性能，而我們?nèi)缃裾莆樟?4nm工藝，如果能率先制造出碳基芯片，確實(shí)是換道成功。

但是，實(shí)話實(shí)說(shuō)，任何技術(shù)，都需要積累相關(guān)技術(shù)優(yōu)勢(shì)才能真正實(shí)現(xiàn)彎道超車，想要換條道，就可以超過(guò)別人，并不太現(xiàn)實(shí)，只有我國(guó)的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)更加完善，將原本薄弱的基礎(chǔ)都補(bǔ)上來(lái)，才能真正開(kāi)啟一個(gè)全新的芯片時(shí)代，你覺(jué)得呢？

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