“開(kāi)關(guān)噪聲－EMC基礎(chǔ)篇”前后共有21篇文章，本文是最后一篇。從“EMC基礎(chǔ)”知識(shí)開(kāi)始，以開(kāi)關(guān)電源為前提分別介紹了“降噪對(duì)策（步驟與概要）”、“使用電容器降低噪聲”、“使用電感降低噪聲”、“其他降噪對(duì)策”相關(guān)的基礎(chǔ)內(nèi)容。本文將對(duì)各篇文章的關(guān)鍵要點(diǎn)做最終總結(jié)。
?。糆MC基礎(chǔ)＞
?何謂EMC
關(guān)鍵要點(diǎn)
?EMC（電磁兼容性）是指兼?zhèn)銭MI和EMS兩方面的性能。
?EMI（電磁干擾）是指因輻射/發(fā)射（Emission）電磁波而對(duì)環(huán)境產(chǎn)生的干擾。
?EMS（電磁敏感性）是指對(duì)電磁波干擾（EMI）的耐受性/抗擾度（Immunity）。
?頻譜基礎(chǔ)
關(guān)鍵要點(diǎn)
?當(dāng)頻率升高時(shí)，頻譜振幅整體增加。
?上升/下降延遲時(shí)，進(jìn)入-40dB/dec衰減時(shí)的頻率降低，頻譜的振幅衰減。
?Duty變更時(shí)，雖然會(huì)產(chǎn)生偶次諧波，但對(duì)譜峰無(wú)影響?；l譜衰減。
?僅上升延遲時(shí)，tr分量從更低的頻率開(kāi)始衰減。
?差模（常模）噪聲與共模噪聲
關(guān)鍵要點(diǎn)
?電磁干擾EMI大致可分為“傳導(dǎo)噪聲”和“輻射噪聲”兩種。
?傳導(dǎo)噪聲可分為差模（常模）噪聲和共模噪聲兩類(lèi)。
?關(guān)于輻射噪聲，差模噪聲的線纜環(huán)路面積、共模噪聲的線長(zhǎng)是非常重要的因素。
?注意；即使條件相同，共模噪聲帶來(lái)的輻射遠(yuǎn)遠(yuǎn)大于差模噪聲。
?何謂串?dāng)_
關(guān)鍵要點(diǎn)
?平行的布線間會(huì)產(chǎn)生串?dāng)_。
?串?dāng)_的因素有雜散（寄生）電容引發(fā)的電容（靜電）耦合和互感引發(fā)的電感（電磁）耦合。
?開(kāi)關(guān)電源產(chǎn)生的噪聲
關(guān)鍵要點(diǎn)
?在開(kāi)關(guān)時(shí)會(huì)產(chǎn)生急劇電流ON/OFF的環(huán)路中，會(huì)因寄生分量產(chǎn)生高頻振鈴＝開(kāi)關(guān)噪聲。
?這種開(kāi)關(guān)噪聲可通過(guò)優(yōu)化PCB板布線等來(lái)降低，但即使這樣，殘留的噪聲也會(huì)作為共模噪聲傳導(dǎo)至輸入電源，因此需要采取防止噪聲漏出的措施。
?。冀翟雽?duì)策＞
?降噪對(duì)策步驟
關(guān)鍵要點(diǎn)
?隨著開(kāi)發(fā)進(jìn)程的推進(jìn)，可使用的降噪對(duì)策技術(shù)和手段越來(lái)越有限，對(duì)策成本也越來(lái)越高。
?在產(chǎn)品開(kāi)發(fā)的初期階段，預(yù)先進(jìn)行充分探討與評(píng)估，可以從容有效地采取降噪對(duì)策。
?掌握噪聲的種類(lèi)和性質(zhì)，并針對(duì)不同的噪聲采取不同的有效對(duì)策是非常重要的。
?降噪對(duì)策按照“把握頻率成分→把握產(chǎn)生源和傳導(dǎo)路徑→強(qiáng)化GND→增加降噪部件”的步驟進(jìn)行。
?開(kāi)關(guān)電源噪聲對(duì)策的基礎(chǔ)知識(shí)
關(guān)鍵要點(diǎn)
?要想降低差模噪聲，可在電路板上縮小大電流路徑的環(huán)路面積，并增加最優(yōu)解耦和輸入濾波器。
?盡可能地抑制噪聲的發(fā)生源-差模噪聲是非常重要的，也關(guān)系到降低共模噪聲。
?要想降低共模噪聲，可縮短布線，抑制串?dāng)_，切斷（濾波）共模路徑。
?開(kāi)關(guān)電源的輸入濾波器
關(guān)鍵要點(diǎn)
?開(kāi)關(guān)電源的輸入濾波器，需要針對(duì)共模噪聲和差模噪聲分別采用不同的處理。
?對(duì)共模噪聲使用共模濾波器。
?對(duì)差模噪聲使用由電容器、電感、磁珠、電阻等部件組成的濾波器。
?。际褂秒娙萜鹘档驮肼暎?/p>
?電容的頻率特性
關(guān)鍵要點(diǎn)
?降噪用電容器的選型需要根據(jù)阻抗的頻率特性進(jìn)行（而非容值）。
?容值和ESL越小，諧振頻率越高，高頻區(qū)域的阻抗越低。
?容值越大，容性區(qū)域的阻抗越低。
?ESR越小，諧振頻率的阻抗越低。
?ESL越小，感性區(qū)域的阻抗越低。
?使用電容器降低噪聲
關(guān)鍵要點(diǎn)
?通過(guò)降低目標(biāo)噪聲頻率的阻抗來(lái)降低噪聲幅度。
?降噪用電容器的選型需要根據(jù)阻抗的頻率特性進(jìn)行（而非容值）。
?去耦電容的有效使用方法要點(diǎn)1
關(guān)鍵要點(diǎn)
?去耦電容的有效使用方法有兩個(gè)要點(diǎn)：①使用多個(gè)電容，②降低電容的ESL。
?使用多個(gè)電容時(shí)，容值相同時(shí)和不同時(shí)的效果不同。
?去耦電容的有效使用方法要點(diǎn)2
關(guān)鍵要點(diǎn)
?去耦電容的有效使用方法有兩個(gè)要點(diǎn)：①使用多個(gè)電容，②降低電容的ESL。
?通過(guò)降低電容的ESL，可改善高頻特性，并可更有效地降低高頻噪聲。
?有的電容雖然容值相同，但因尺寸和結(jié)構(gòu)不同而ESL更小。
?去耦電容的有效使用方法其他注意事項(xiàng)
關(guān)鍵要點(diǎn)
?理解Q與頻率－阻抗特性之間的關(guān)系，并根據(jù)目的區(qū)分Q的差異。
?高Q電容窄帶阻抗急劇下降。低Q電容在較寬頻段相對(duì)平緩下降。
?PCB圖形的熱風(fēng)焊盤(pán)等會(huì)增加電感分量，使諧振頻率向低頻端移動(dòng)。
?探討對(duì)策時(shí)的試裝，如果不按照現(xiàn)實(shí)的修改實(shí)際安裝，很可能在修改后的PCB板上無(wú)法獲得探討時(shí)的效果。
?電容量變化率大時(shí)，諧振頻率會(huì)變化，無(wú)法獲得目標(biāo)頻率理想的噪聲消除效果。
?在溫度條件和變動(dòng)較大的嚴(yán)苛應(yīng)用中，可以探討使用具有CH、C0G特性的溫度特性優(yōu)異的電容。
?去耦電容的有效使用方法總結(jié)
?。际褂秒姼薪档驮肼暎?/p>
?電感的頻率特性
關(guān)鍵要點(diǎn)
?電感在諧振頻率之前呈現(xiàn)感性特性（阻抗隨頻率升高而增加）。
?電感在諧振頻率之后呈現(xiàn)容性特性（阻抗隨頻率升高而減?。?。
?在比諧振頻率高的頻段，電感不發(fā)揮作為電感的作用。
?電感值L變小時(shí)，電感的諧振頻率會(huì)升高。
?電感的諧振點(diǎn)阻抗受寄生電阻分量的限制。
?使用電感和鐵氧體磁珠降低噪聲的對(duì)策
關(guān)鍵要點(diǎn)
?用于降噪對(duì)策的電感，大致可以分為繞組型電感構(gòu)成的濾波器和利用鐵氧體磁珠進(jìn)行熱轉(zhuǎn)換兩種。
?鐵氧體磁珠與普通電感相比，具有電阻分量R較大、Q值較低的特性。
?普通的電感可容許較大的直流疊加電流，只要在其范圍內(nèi)，阻抗不怎么受直流電流的影響。
?鐵氧體磁珠對(duì)于直流電流容易飽和，飽和會(huì)導(dǎo)致電感值下降，諧振點(diǎn)向高頻段轉(zhuǎn)移。
?普通電感構(gòu)成的濾波器，可選電感值的范圍較寬。
?鐵氧體磁珠的Q值較低，因此在較寬頻率范圍內(nèi)具有有效的降噪效果。
?使用共模濾波器降低噪聲的對(duì)策
關(guān)鍵要點(diǎn)
?使用共模濾波器消除對(duì)共模噪聲。
?共模濾波器是利用自感作用來(lái)阻止共模電流通過(guò)的濾波器。
?注意點(diǎn) : 串?dāng)_、GND線反彈噪聲
關(guān)鍵要點(diǎn)
?有些PCB板布線布局，會(huì)因串?dāng)_而導(dǎo)致濾波效果下降。
?Π型濾波器的電容的GND的某些設(shè)置方法可能會(huì)帶來(lái)地線反彈噪聲。
?優(yōu)化PCB板布線布局可避免這些問(wèn)題。
?使用電感降低噪聲 總結(jié)
?。计渌翟雽?duì)策＞
?RC緩沖電路
關(guān)鍵要點(diǎn)
?RC緩沖電路可通過(guò)電阻將寄生電容、寄生電感等產(chǎn)生的尖峰電壓轉(zhuǎn)換為熱，從而降低尖峰電壓。
?增加緩沖電路可能會(huì)導(dǎo)致效率降低，因此需要探討噪聲水平和效率之間的平衡點(diǎn)。
?電阻是將噪聲電壓轉(zhuǎn)換為熱，因此需要注意電阻的容許損耗。
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