65W快充是目前快充市場(chǎng)出貨的主流規(guī)格；氮化鎵具有高可靠性，能夠承受短時(shí)間過(guò)壓；將GaN用于充電器的整流管后，能降低開(kāi)關(guān)損耗和驅(qū)動(dòng)損耗，提升開(kāi)關(guān)頻率，附帶地降低廢熱的產(chǎn)生，進(jìn)而減小元器件的體積同時(shí)能提高效率。

　　四川美闊推出了一款1A2C65W氮化鎵（GaN）快充方案，快充方案支持90~264V寬輸入電壓，輸出支持5V/3A，9V/3A，12V/3A，15V/3A，20V/3.25A，內(nèi)置MGZ31N65-650V氮化鎵開(kāi)關(guān)管；采用PD3.0協(xié)議IC。

　　空載損耗低于50mW；控制IC可支持頻率高達(dá)160 kHz，峰值效率達(dá)到91.62%，方案尺寸為60*60*30mm，功率密度達(dá)到1.5W/cm3。

　　電路原理圖：

　　充電器主控芯片采用美闊的GaN氮化鎵功率芯片MGZ31N65。其內(nèi)置驅(qū)動(dòng)器以及復(fù)雜的邏輯控制電路，250mΩ導(dǎo)阻，耐壓650V，支持2MHz開(kāi)關(guān)頻率，采用8*8mm QFN封裝，節(jié)省面積。

　　具有良率高，驅(qū)動(dòng)電路簡(jiǎn)單，抗干擾能力強(qiáng)，封裝全面，動(dòng)態(tài)電阻低等優(yōu)勢(shì)，良率高，產(chǎn)能大，持續(xù)成本優(yōu)化，競(jìng)爭(zhēng)力不斷提升。

　　PCB布局圖：

　　其優(yōu)勢(shì)：

　　1、返馳式谷底偵測(cè)減少開(kāi)關(guān)損失

　　2、輕載Burst Mode增加效率

　　3、最佳效能可達(dá)91%；空載損耗低于50mW

　　4、控制IC可支持頻率高達(dá)160 kHz

　　5、系統(tǒng)頻率有Jitter降低EMI干擾

　　6、可輸出65W功率；控制IC可直接驅(qū)動(dòng)GaN

　　◆進(jìn)階保護(hù)功能如下：

　　(1) VDD過(guò)電壓及欠電壓保護(hù)

　　(2) 導(dǎo)通時(shí)最大峰值電流保護(hù)

　　(3) 輸出過(guò)電壓保護(hù)(4) 輸出短路保護(hù)

　　美闊65W 1A2C有線快充模塊為高功率密度設(shè)計(jì)，多接口輸出，小巧緊湊。模塊正反面均使用散熱片覆蓋，并纏繞膠帶固定。輸入線通過(guò)過(guò)孔焊接連接，便于在充電插排中應(yīng)用，滿足各類(lèi)手機(jī)和電源適配器、LED照明驅(qū)動(dòng)器、LCD顯示器電源、帶充電界面排插…供電需求。

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