《電子技術(shù)應(yīng)用》
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W頻段波導(dǎo)氣密結(jié)構(gòu)的功率合成放大器設(shè)計(jì)
電子技術(shù)應(yīng)用 2023年7期
馬戰(zhàn)剛,馮思潤(rùn),余小輝
(中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第十三研究所, 河北 石家莊 050000)
摘要: 針對(duì)3 mm頻段功率合成的需要,設(shè)計(jì)了一種波導(dǎo)氣密結(jié)構(gòu)的4合1放大器,用來實(shí)現(xiàn)W頻段瓦級(jí)的氣密功率合成輸出。本設(shè)計(jì)引入硅基結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)了W頻段組件的氣密,解決了傳統(tǒng)3 mm頻段波導(dǎo)組件難以氣密的難題。本設(shè)計(jì)基于波導(dǎo)合路原理,運(yùn)用高頻結(jié)構(gòu)仿真軟件對(duì)氣密波導(dǎo)合路結(jié)構(gòu)進(jìn)行了建模與仿真。通過對(duì)比模型的仿真結(jié)果與樣機(jī)實(shí)測(cè)數(shù)據(jù),表明該W頻段波導(dǎo)氣密功率合成放大器的指標(biāo)可滿足設(shè)計(jì)要求。
中圖分類號(hào):TN73
文獻(xiàn)標(biāo)志碼:A
DOI: 10.16157/j.issn.0258-7998.233895
中文引用格式: 馬戰(zhàn)剛,馮思潤(rùn),余小輝. W頻段波導(dǎo)氣密結(jié)構(gòu)的功率合成放大器設(shè)計(jì)[J]. 電子技術(shù)應(yīng)用,2023,49(7):11-15.
英文引用格式: Ma Zhangang,F(xiàn)eng Sirun,Yu Xiaohui. A novel power amplifier based on airtight waveguide for W band power combination[J]. Application of Electronic Technique,2023,49(7):11-15.
A novel power amplifier based on airtight waveguide for W band power combination
Ma Zhangang,F(xiàn)eng Sirun,Yu Xiaohui
(China Electronics Technology Group Corporation 13th Research Institute, Shijiazhuang 050000, China)
Abstract: This paper proposed a novel 4 in 1 high power airtight amplifier which worked at watt level for 3 mm band power combination use. This design introduced a silicon based structure to achieve airtightness for W-band components, solving the problem of traditional 3 mm band waveguide components being difficult to be airtight. It was designed by using the airtight waveguide structure. The software was also used for simulating the waveguide combiner. Finally, the power amplifier was carefully fabricated and tested. Results show that the final indicators meet design requirements.
Key words : airtight waveguide;power combiner;electromagnetic field

0 引言

隨著近年來應(yīng)用在3 mm頻段功率器件的制造技術(shù)越來越成熟,微波單片的輸出功率有了很大的提升,但最大也就在瓦級(jí)左右,所以在一些需要瓦級(jí)以上功率輸出的場(chǎng)景時(shí),往往就需要通過功率合成的方式對(duì)多個(gè)功率器件的輸出功率進(jìn)行合成后實(shí)現(xiàn)。

常用的大功率合成方式為波導(dǎo)合路,這種功率合成器基于空間合成的技術(shù),可實(shí)現(xiàn)多個(gè)模塊輸出功率的一次性高效率合成,具有諸如插入損耗小、合成效率高、功率容量大、幅相一致性高和工作頻段易于調(diào)整等特點(diǎn)。



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作者信息:

馬戰(zhàn)剛,馮思潤(rùn),余小輝

(中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第十三研究所, 河北 石家莊 050000)


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