12 月 7 日，尼康官網發(fā)布新聞稿，宣布推出浸潤式 ArF 光刻機新品 NSR-S636E，將于明年 1 月開售。

據介紹，NSR-S636E 是尼康光刻系統(tǒng)中生產率最高的產品，是一款用于關鍵層的浸潤式光刻機。

以下內容為來自尼康官網的介紹（自動翻譯）：

發(fā)展背景

隨著數字化轉型的加速，能夠更快地處理和傳輸大量數據的高性能半導體變得越來越重要。領先半導體性能的技術創(chuàng)新的關鍵推動因素是電路圖案小型化和 3D 半導體器件結構，而 ArF 浸沒式掃描儀對于這兩種制造工藝都至關重要。與傳統(tǒng)半導體相比，3D 半導體制造過程中更容易發(fā)生晶圓翹曲和變形，因此需要比以往更先進的掃描儀校正和補償功能。

NSR-S636E ArF 浸沒式掃描儀采用增強型 iAS，可在曝光前執(zhí)行復雜的晶圓多點測量。該創(chuàng)新系統(tǒng)利用高精度測量和廣泛的晶圓翹曲和畸變校正功能，提供更高水平的覆蓋精度，同時保持最大的掃描儀吞吐量。掃描儀的整體輸出也比當前一代系統(tǒng)高 10-15% ，從而優(yōu)化了尖端半導體器件的生產效率。尼康繼續(xù)為領先的 IC 生產提供 NSR-S636E 等寶貴的解決方案，并支持數字社會的發(fā)展。

主要優(yōu)點

在各種生產工藝（包括容易發(fā)生晶圓變形的 3D-IC）中均具有出色的性能

曝光前執(zhí)行晶圓多點測量的在線對準站 (iAS) 的精度得到提高，從而提高了測量晶圓翹曲和扭曲等變形的精度。先進的測量和補償功能可提高工藝穩(wěn)健性并提供卓越的疊加性能，而不會影響生產效率。這些創(chuàng)新對于包括需要超高疊加精度的 3D-IC 在內的各種制造工藝來說具有無價的價值，并將繼續(xù)開發(fā)以實現(xiàn)前所未有的半導體性能。

所有尼康半導體光刻系統(tǒng)中生產率最高

通過吞吐量的全面改進和日常生產力優(yōu)化，NSR-S636E ArF 浸入式掃描儀將整體產量比當前型號提高了 10-15%。這是尼康半導體光刻系統(tǒng)整個歷史上最高的生產力水平。尼康致力于通過 NSR-S636E 等行業(yè)領先的解決方案繼續(xù)突破光刻技術的極限，以支持客戶在未來許多年的制造目標。

尼康表示，隨著數字化轉型的加速，能夠更快地處理和傳輸大量數據的高性能半導體變得越來越重要。尖端半導體性能技術創(chuàng)新的關鍵推動因素是電路小型化和 3D 半導體器件結構，而 ArF 浸潤式光刻機對這兩種制造工藝都至關重要。與傳統(tǒng)半導體相比，在 3D 半導體制造過程中更容易發(fā)生晶圓翹曲和失真，因此需要比以往任何時候都更先進的光刻機校正和補償能力。