據(jù)湖北九峰山實驗室消息，作為半導體制造不可或缺的材料，光刻膠質(zhì)量和性能是影響集成電路電性、成品率及可靠性的關鍵因素。但光刻膠技術門檻高，市場上制程穩(wěn)定性高、工藝寬容度大、普適性強的光刻膠產(chǎn)品屈指可數(shù)。當半導體制造節(jié)點進入到 100 nm 甚至是 10 nm 以下，如何產(chǎn)生分辨率高且截面形貌優(yōu)良、線邊緣粗糙度低的光刻圖形，成為光刻制造的共性難題。

針對上述瓶頸問題，九峰山實驗室、華中科技大學組成聯(lián)合研究團隊，支持華中科技大學團隊突破 " 雙非離子型光酸協(xié)同增強響應的化學放大光刻膠 " 技術。

該研究通過巧妙的化學結(jié)構(gòu)設計，以兩種光敏單元構(gòu)建 " 雙非離子型光酸協(xié)同增強響應的化學放大光刻膠 "，最終得到光刻圖像形貌與線邊緣粗糙度優(yōu)良、space 圖案寬度值正態(tài)分布標準差（SD）極?。s為 0.05）、性能優(yōu)于大多數(shù)商用光刻膠。且光刻顯影各步驟所需時間完全符合半導體量產(chǎn)制造中對吞吐量和生產(chǎn)效率的需求。

該研究成果有望為光刻制造的共性難題提供明確的方向，同時為 EUV 光刻膠的著力開發(fā)做技術儲備。

相關成果以 "Dual nonionic photoacids synergistically enhanced photosensitivity for chemical amplified resists" 為題，于 2024 年 2 月 15 日在國際頂級刊物 Chemical Engineering Journal ( IF=15.1 ) 發(fā)表。

該項目由國家自然科學基金、973 計劃共同資助，主要作者為華中科技大學光電國家研究中心朱明強教授，湖北九峰山實驗室工藝中心柳俊教授和向詩力博士。

依托九峰山實驗室工藝平臺，上述具有自主知識產(chǎn)權的光刻膠體系在產(chǎn)線上完整了初步工藝驗證，并同步完成了各項技術指標的檢測優(yōu)化，實現(xiàn)了從技術開發(fā)到成果轉(zhuǎn)化的全鏈條打通。