【2024年6月25日，德國(guó)慕尼黑訊】隨著人工智能（AI）處理器對(duì)功率的要求日益提高，服務(wù)器電源（PSU）必須在不超出服務(wù)器機(jī)架規(guī)定尺寸的情況下提供更高的功率，這主要是因?yàn)楦呒?jí)GPU的能源需求激增。到本十年末，每顆高級(jí)GPU芯片的能耗可能達(dá)到2千瓦或以上。這些需求以及更高要求的應(yīng)用和相關(guān)特定客戶(hù)需求的出現(xiàn)，促使英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）開(kāi)發(fā)電壓650 V以下的SiC MOSFET產(chǎn)品?，F(xiàn)在，英飛凌基于今年早些時(shí)候發(fā)布的第二代（G2）CoolSiCTM技術(shù)，推出全新CoolSiC? MOSFET 400 V系列。全新MOSFET產(chǎn)品組合專(zhuān)為AI服務(wù)器的AC/DC級(jí)開(kāi)發(fā)，是對(duì)英飛凌最近公布的PSU路線圖的補(bǔ)充。該系列器件還適用于太陽(yáng)能和儲(chǔ)能系統(tǒng)（ESS）、變頻電機(jī)控制、工業(yè)和輔助電源（SMPS）以及住宅建筑固態(tài)斷路器。

CoolSiC? MOSFET 400 V TO-Leadless

英飛凌功率系統(tǒng)業(yè)務(wù)線負(fù)責(zé)人Richard Kuncic 表示：“英飛凌提供的豐富高性能MOSFET和GaN晶體管產(chǎn)品組合能夠滿足AI服務(wù)器電源對(duì)設(shè)計(jì)和空間的苛刻要求。我們致力于通過(guò)CoolSiC?  MOSFET 400 V G2等先進(jìn)產(chǎn)品為客戶(hù)提供支持，推動(dòng)先進(jìn)AI應(yīng)用實(shí)現(xiàn)最高能效。”

與現(xiàn)有的650 V SiC和Si MOSFET相比，新系列具有超低的傳導(dǎo)和開(kāi)關(guān)損耗。這款A(yù)I服務(wù)器電源裝置的AC/DC級(jí)采用多級(jí)PFC，功率密度達(dá)到100 W/in3以上，并且效率達(dá)到99.5%，較使用650 V SiC MOSFET的解決方案提高了0.3個(gè)百分點(diǎn)。此外，由于在DC/DC級(jí)采用了CoolGaN?晶體管，其系統(tǒng)解決方案得以完善。通過(guò)這一高性能MOSFET與晶體管組合，該電源可提供8千瓦以上的功率，功率密度較現(xiàn)有解決方案提高了3倍以上。

全新MOSFET產(chǎn)品組合共包含10款產(chǎn)品：5款RDS(on) 級(jí)（11至45 mΩ）產(chǎn)品采用開(kāi)爾文源TOLL和D2PAK-7 封裝以及.XT封裝互連技術(shù)。在Tvj = 25°C 時(shí)，其漏極-源極擊穿電壓為400 V，因此非常適合用于2級(jí)和3級(jí)轉(zhuǎn)換器以及同步整流。這些元件在苛刻的開(kāi)關(guān)條件下具有很高的穩(wěn)健性，并且通過(guò)了100%的雪崩測(cè)試。高度穩(wěn)健的CoolSiC?技術(shù)與.XT互連技術(shù)相結(jié)合，使這些半導(dǎo)體器件能夠應(yīng)對(duì)AI處理器功率要求突變所造成的功率峰值和瞬態(tài)，并且憑借連接技術(shù)和低正 RDS(on) 溫度系數(shù)，即便在結(jié)溫較高的工作條件下也能發(fā)揮出色的性能。

供貨情況

CoolSiC?  MOSFET 400 V產(chǎn)品組合的工程樣品現(xiàn)已發(fā)布，并將于 2024年10月開(kāi)始量產(chǎn)。