美國當(dāng)?shù)貢r間6月26日，存儲芯片大廠美光科技在公布2024財(cái)年第三財(cái)季財(cái)報的同時，也披露了美光正在其位于日本廣島的Fab15工廠試產(chǎn)基于極紫外（EUV）光刻技術(shù)的 1γ （1-gamma）DRAM ，作為試生產(chǎn)計(jì)劃的一部分，首批 1γ DRAM也將在那里制造。

雖然三星和SK海力士早已經(jīng)將先進(jìn)的EUV光刻機(jī)引入到了它們的先進(jìn)制程節(jié)點(diǎn)的DRAM制造，但是美光卻一直不急于使用EUV光刻技術(shù)來制造DRAM，而是更多的通過使用標(biāo)準(zhǔn)的 DUV 多圖案化，在其 1α 和 1? 節(jié)點(diǎn)上開發(fā)了具有成本和性能競爭力的 DRAM。不過，今年美光已經(jīng)開始在其更先進(jìn)的 1γ 制程DRAM的試產(chǎn)上引入了EUV光刻技術(shù)，并且明年將會進(jìn)入大批量生產(chǎn)。

美光首席執(zhí)行官Sanjay Mehrotra在第三財(cái)季的與投資者和金融分析師的電話會議上表示，雖然美光在EUV使用方面將略微落后于三星和SK海力士，但其EUV結(jié)果看起來相當(dāng)有希望：“使用EUV光刻的 1γ DRAM試生產(chǎn)進(jìn)展順利，我們有望在2025年實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)?！?/p>

美光對其1γ DRAM工藝技術(shù)寄予厚望，并希望EUV技術(shù)的使用將使其能夠構(gòu)建業(yè)界最小的DRAM單元，這將是其即將推出的存儲芯片的主要競爭優(yōu)勢，因?yàn)樗鼘⑹构灸軌驑?gòu)建業(yè)內(nèi)最便宜、更節(jié)能的DRAM芯片。EUV技術(shù)將成為此類存儲單元的關(guān)鍵推動因素。至于將會對美光DRAM的性能和市場表現(xiàn)有多大的助力，還有待觀察。

目前，美光基于 EUV光刻的 1γ DRAM 制造工藝正在該公司位于日本廣島的工廠開發(fā)，作為試生產(chǎn)計(jì)劃的一部分，第一批 1γ 存儲設(shè)備正在那里制造。

在此之前，美光已經(jīng)試驗(yàn)了ASML的Twinscan NXE EUV光刻機(jī)一段時間了。該公司一直在測試這些工具，方法是將其 1α 和 1? 節(jié)點(diǎn)的一些 DUV光刻流程替換為 EUV光刻，并逐步調(diào)整它們以獲得適當(dāng)?shù)漠a(chǎn)量。到目前為止，該公司已經(jīng)有足夠的經(jīng)驗(yàn)開始準(zhǔn)備使用EUV光刻機(jī)進(jìn)行大規(guī)模生產(chǎn)。

Mehrotra曾在3月份表示：“我們繼續(xù)通過EUV提高我們的生產(chǎn)能力，并在EUV和非EUV之間的1α和1?節(jié)點(diǎn)上實(shí)現(xiàn)了同等的產(chǎn)量和質(zhì)量?！拔覀円呀?jīng)開始使用EUV進(jìn)行1γ DRAM的試生產(chǎn)，并有望在2025年實(shí)現(xiàn)批量生產(chǎn)。”

值得一提的是，美光去年就宣布計(jì)劃在斥資6,000至8,000億日日本廣島現(xiàn)有的Fab15工廠附近興建DRAM新廠，預(yù)計(jì)2026年初動工、最快2027年底前完成廠房建設(shè)、機(jī)臺設(shè)備安裝并投入營運(yùn)。新廠初期規(guī)劃為DRAM晶圓廠，未包含后段封裝及測試，產(chǎn)能將著重于HBM產(chǎn)品。該工廠還將入EUV光刻設(shè)備，生產(chǎn)先進(jìn)1-Gamma制程的DRAM，后續(xù)也將導(dǎo)入1-Delta制程。