當(dāng)?shù)貢r(shí)間7月17日，美國商務(wù)部宣布與半導(dǎo)體硅片大廠環(huán)球晶圓（GlobalWafers ）簽署了一份不具約束力的初步條款備忘錄（PMT），將根據(jù)《芯片和科學(xué)法案》向其提供高達(dá)4億美元的擬議直接資金，以幫助其在美國國內(nèi)建立首個(gè)用于先進(jìn)芯片的300mm硅片廠，并擴(kuò)大絕緣體上硅片的生產(chǎn)，加強(qiáng)美國國內(nèi)關(guān)鍵半導(dǎo)體元件的供應(yīng)鏈。

硅晶圓（半導(dǎo)體硅片）是半導(dǎo)體生態(tài)系統(tǒng)中的關(guān)鍵組件，因?yàn)樗鼈兪撬行酒圃焓褂玫幕A(chǔ)原材料。目前，包括環(huán)球晶圓在內(nèi)的五家領(lǐng)先公司占據(jù)了全球300mm硅晶圓制造市場(chǎng)80%以上的份額，目前約90%的硅晶圓來自東亞。由于這項(xiàng)擬議的CHIPS投資，環(huán)球晶圓將在美國建立兩座硅晶圓廠：

德克薩斯州謝爾曼：建立第一家用于先進(jìn)芯片的 300 毫米硅晶圓制造工廠。值得注意的是，300mm硅晶圓是晶圓代工廠和集成設(shè)備制造商用來制造前沿芯片、成熟節(jié)點(diǎn)芯片和存儲(chǔ)芯片的關(guān)鍵輸入。

密蘇里州圣彼得斯：建立生產(chǎn)300mm絕緣體上硅（“SOI”）晶圓的新工廠。重要的是，SOI晶圓在惡劣環(huán)境中的性能顯著提高，通常用于國防和航空航天的最終用途。

此外，作為PMT的一部分，環(huán)球晶圓計(jì)劃將其位于德克薩斯州謝爾曼的現(xiàn)有硅外延晶圓制造工廠的一部分轉(zhuǎn)換為碳化硅（“SiC”）外延晶圓制造，生產(chǎn)150mm和200mm SiC外延晶圓。碳化硅外延晶圓是高壓應(yīng)用的關(guān)鍵組件，特別是電動(dòng)汽車和清潔能源基礎(chǔ)設(shè)施。

美國商務(wù)部表示，這是其“投資美國”（Investing in America）議程的一個(gè)關(guān)鍵組成部分，旨在開創(chuàng)美國半導(dǎo)體制造業(yè)的新時(shí)代，帶來振興的國內(nèi)供應(yīng)鏈、高薪工作和對(duì)未來產(chǎn)業(yè)的投資。擬議的投資將支持新晶圓制造設(shè)施的建設(shè)，并創(chuàng)造1,700個(gè)建筑工作崗位和880個(gè)制造工作崗位。這項(xiàng)擬議的投資將支持兩個(gè)州總資本支出約為40億美元的項(xiàng)目。

“拜登總統(tǒng)正在恢復(fù)我們?cè)谡麄€(gè)半導(dǎo)體供應(yīng)鏈中的領(lǐng)導(dǎo)地位——從材料到制造，再到研發(fā)。通過這項(xiàng)擬議的投資，環(huán)球晶圓將通過提供作為先進(jìn)芯片支柱的硅晶圓的國內(nèi)來源，在支持美國的半導(dǎo)體供應(yīng)鏈方面發(fā)揮關(guān)鍵作用。由于這項(xiàng)擬議的投資，拜登政府正在幫助確保我們的供應(yīng)鏈安全，這將在德克薩斯州和密蘇里州創(chuàng)造2000多個(gè)就業(yè)機(jī)會(huì)，并最終降低成本，改善美國人的經(jīng)濟(jì)和國家安全?！泵绹虅?wù)部長吉娜·雷蒙多（Gina Raimondo）說道。

環(huán)球晶圓董事長徐秀蘭表示：“德州新廠第一階段投資額約22億美元，加上一些與第二階段將相連的部分也預(yù)先施作，這些投資額加起來不到40億美元。另外，密蘇里新廠的第一階段投資額不到4億美元。”

對(duì)于最高4億美元的補(bǔ)貼資金，徐秀蘭解釋稱：“超過九成將投給德州新廠，不到一成是對(duì)密蘇里新廠。要分階段達(dá)到四個(gè)里程碑，經(jīng)審查通過才能獲得。”

另外，環(huán)球晶圓還計(jì)劃向美國財(cái)政部就旗下子公司GWA與MEMC LLC符合支出條件部份，申請(qǐng)最高達(dá)25%的先進(jìn)制造業(yè)投資稅收抵免。徐秀蘭指出，相關(guān)抵免不只是抵稅，也可以申請(qǐng)現(xiàn)金，與上述一成多的直接資金補(bǔ)貼加起來，大約可獲得超過35%的補(bǔ)貼。