11月28日消息，雖然此前中國(guó)臺(tái)灣省經(jīng)濟(jì)部長(zhǎng)郭智輝公開表示，臺(tái)灣的科技保護(hù)規(guī)則使得臺(tái)積電目前無(wú)法在海外生產(chǎn)2nm芯片，因此臺(tái)積電必須將其最前沿的技術(shù)留在中國(guó)臺(tái)灣。但是，近日臺(tái)灣國(guó)科會(huì)主任委員吳誠(chéng)文在接受媒體采訪時(shí)松口稱，臺(tái)積電2nm在2025年量產(chǎn)之后，可以討論赴海外生產(chǎn)。

在特朗普成功當(dāng)選下一任美國(guó)總統(tǒng)后，外界曾傳出消息稱，臺(tái)積電可能被迫提前在其位于美國(guó)亞利桑那州的晶圓廠生產(chǎn)最先進(jìn)的2nm芯片。郭智輝曾回應(yīng)稱，“由于中國(guó)臺(tái)灣有相關(guān)法規(guī)來(lái)保護(hù)自己的技術(shù)，臺(tái)積電目前無(wú)法在海外生產(chǎn)2nm芯片?！?“盡管臺(tái)積電計(jì)劃未來(lái)會(huì)（在美國(guó)）生產(chǎn) 2nm芯片，但其核心技術(shù)將留在中國(guó)臺(tái)灣?！?/p>

然而，在11月26日下午，臺(tái)灣國(guó)科會(huì)召開的委員會(huì)議記者會(huì)上，吳誠(chéng)文表示，目前臺(tái)積電已經(jīng)量產(chǎn)最先進(jìn)的3nm制程，根據(jù)臺(tái)積電的計(jì)劃，預(yù)計(jì)將在2025年底量產(chǎn)2nm。隨后，臺(tái)積電將進(jìn)入下一代制程，屆時(shí)可以討論臺(tái)積電2nm制程是否可以轉(zhuǎn)向海外生產(chǎn)。

對(duì)于外界擔(dān)心臺(tái)灣半導(dǎo)體技術(shù)及產(chǎn)業(yè)因?yàn)橄嚓P(guān)廠商在海外持續(xù)擴(kuò)張而空心化的問題，吳誠(chéng)文表示不會(huì)，因?yàn)榕_(tái)積電下階段制程研發(fā)已啟動(dòng)，且是在確定2nm制程量產(chǎn)后，才會(huì)考慮讓2nm制程外移。吳誠(chéng)文強(qiáng)調(diào)，國(guó)科會(huì)和經(jīng)濟(jì)部立場(chǎng)一樣，半導(dǎo)體制造最先進(jìn)制程、以及研發(fā)中心都要留在中國(guó)臺(tái)灣。

此前特朗普曾指責(zé)“臺(tái)灣搶走美國(guó)半導(dǎo)體生意”，吳誠(chéng)文回應(yīng)稱，事實(shí)上半導(dǎo)體涵蓋設(shè)計(jì)、材料、設(shè)備、元件、制造等，是復(fù)雜體系。整體來(lái)說(shuō)，美國(guó)在半導(dǎo)體技術(shù)是最領(lǐng)先，不能只簡(jiǎn)化到制造而已。他說(shuō)，臺(tái)積電只是專注在半導(dǎo)體制造，其制造技術(shù)如今是獨(dú)一無(wú)二，因此各國(guó)都找臺(tái)積電合作。