4月21日消息，根據(jù)VLSI 2025最新曝光的資料中，英特爾披露了更多的關(guān)于其最新的 Intel 18A 制程的細(xì)節(jié)。

根據(jù)英特爾官網(wǎng)的此前公布的資料顯示，Intel 18A采用了RibbonFET 環(huán)繞柵極晶體管(GAA) 技術(shù)，可實現(xiàn)電流的精確控制，同時還率先采用了業(yè)界首創(chuàng)的 PowerVia 背面供電技術(shù)，可將密度和單元利用率提高 5% 至 10%，并降低電阻供電下降，從而使 ISO 功率性能提高高達(dá) 4%，并且與正面功率設(shè)計相比，固有電阻 (IR) 下降大大降低。與Intel 3 工藝節(jié)點相比，Intel 18A的每瓦性能提高 15%，芯片密度提高 30% 。

最新資料顯示，Intel 18A提供了高性能（HP）和高密度（HD）庫，具有全功能的技術(shù)設(shè)計功能和增強的設(shè)計易用性。在 PPA 比較中，Intel 18A 在標(biāo)準(zhǔn) Arm 內(nèi)核子塊上設(shè)法在 1.1V 電壓下提供 25% 的速度提高和 36% 的功耗降低。除此之外，Intel 18A 實現(xiàn)了比 Intel 3 更好的面積利用率，這意味著該工藝可以實現(xiàn)更好的面積效率和更高密度設(shè)計的潛力。

有趣的是，資料中還附有一個“電壓下降”圖，它描述了節(jié)點在高性能條件下的穩(wěn)定性，并且由于Intel 18A 的 PowerVia 技術(shù)，該工藝可以提供更穩(wěn)定的電力輸送。為了展示Intel 18A 的能力，該文件還附上了供電電路庫比較，該比較表明，通過背面供電技術(shù)，英特爾管理了更緊密的供電電路封裝并提高了面積效率，這主要是因為相比正面布線釋放了更多空間。

從目前披露的信息來看，如果良率沒有問題的話，Intel 18A 工藝將會成為臺積電2nm制程的有力競爭者。

根據(jù)計劃，Intel 18A將會由其PC處理器Panther Lake首發(fā)搭載，服務(wù)器處理器 Clearwater Forest 也將會采用，預(yù)計將會在年底發(fā)布，2026年將會有相關(guān)產(chǎn)品上市。

今年3月，英特爾工程經(jīng)理Pankaj Marria就曾通過LinkedIn發(fā)文指出，“Intel 18A制程迎來重要里程碑！很榮幸加入‘Eagle Team’，一同落實Intel 18A，我們的團隊率先完成亞利桑那州的首批生產(chǎn)，先進半導(dǎo)體制程邁出了關(guān)鍵一步?！?/p>

近日，知名投資機構(gòu)KeyBanc Capital Markets的分析師John Vinh也表示，“Intel 18A 有望在 2025年下半年由Panther Lake率先采用，其包括良率和缺陷密度在內(nèi)的 KPI 正朝著正確的方向發(fā)展，并且處于可接受的水平?！?/p>