4月21日消息，印度聯(lián)合新聞社發(fā)布文章表示，印度頂尖研究機(jī)構(gòu)印度科學(xué)研究所（IISc）的30名科學(xué)家團(tuán)隊(duì)聯(lián)合向政府提交了一份開(kāi)發(fā)“埃級(jí)”芯片的議案，該芯片的尺寸遠(yuǎn)小于目前生產(chǎn)的最小芯片。

該報(bào)社表示，目前，半導(dǎo)體制造業(yè)以硅基技術(shù)為主，由美國(guó)、日本、韓國(guó)和中國(guó)臺(tái)灣等發(fā)達(dá)國(guó)家和地區(qū)引領(lǐng)；而最小的芯片已經(jīng)發(fā)展到3nm的工藝水平，主要由三星、臺(tái)積電、英特爾等公司生產(chǎn)，印度在半導(dǎo)體制造方面嚴(yán)重依賴外國(guó)企業(yè)。

據(jù)悉，在議案中，科學(xué)家團(tuán)隊(duì)旨在開(kāi)發(fā)一種名為“2D Materials”的技術(shù)，該技術(shù)可使芯片尺寸縮小至目前全球生產(chǎn)的最小芯片尺寸的十分之一，相當(dāng)于1nm以下，并鞏固印度在半導(dǎo)體領(lǐng)域的領(lǐng)先地位。

2022年4月，IISc的科學(xué)家團(tuán)隊(duì)曾提交過(guò)一份詳細(xì)的項(xiàng)目報(bào)告（DPR），該報(bào)告經(jīng)過(guò)修改后，于2024年10月再次提交。

DPR建議利用石墨烯和過(guò)渡金屬二硫化物(TMD)等超薄材料開(kāi)發(fā)二維半導(dǎo)體，這些材料可以實(shí)現(xiàn)“埃級(jí)”芯片制造，比目前的納米級(jí)技術(shù)小得多。

目前，印度最大的半導(dǎo)體項(xiàng)目由塔塔電子與臺(tái)灣力積電合作設(shè)立，投資額達(dá)9100億盧比，該項(xiàng)目已獲批印度半導(dǎo)體計(jì)劃，并擁有政府50%的資金支持。而IISc此次牽頭的議案近要求印度政府在五年內(nèi)撥款50億盧比，金額相對(duì)較低。

“2D Materials”在全球引發(fā)廣泛關(guān)注，該報(bào)社表示，目前歐洲已投資超過(guò)10億美元（約合830億盧比），韓國(guó)投資超過(guò)3億盧比，中國(guó)和日本等國(guó)家也對(duì)基于“2D Materials”的半導(dǎo)體研究進(jìn)行了大規(guī)模的投資，但金額并未公開(kāi)。

印度有關(guān)官員指出，隨著傳統(tǒng)硅芯片已經(jīng)逼近極限，一些國(guó)家已經(jīng)在為后硅時(shí)代做準(zhǔn)備，全球科技企業(yè)也會(huì)將目光注意到“2D Materials”。