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傳統(tǒng)晶體管的極限 臺(tái)積電3nm N3P已量產(chǎn) N3X馬上來(lái)

2025-04-24
來(lái)源:快科技
關(guān)鍵詞: 臺(tái)積電 GAAFET 晶體管

4月24日消息,除了發(fā)展N2、A16、A14等采用GAAFET全環(huán)繞晶體管的全新工藝,臺(tái)積電還在持續(xù)挖掘傳統(tǒng)FinFET立體晶體管的極限,最后一代用它的N3系列工藝節(jié)點(diǎn)仍在不斷演進(jìn)。

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在美國(guó)舉辦的北美技術(shù)論壇2025上,臺(tái)積電最新宣布,3nm級(jí)工藝的第三代N3P已經(jīng)在2024年第四季度投入量產(chǎn),第四代N3X則會(huì)在今年下半年投產(chǎn)。

N3P就是第二代N3E的升級(jí)版,面向需要高性能的客戶端、數(shù)據(jù)中心應(yīng)用,同時(shí)保持IP與設(shè)計(jì)兼容。

按照官方數(shù)據(jù),N3P同等功耗下的性能可再提升約5%,而同等性能下的功耗可再降低5-10%,另外晶體管密度提升4%,尤其是SRAM縮放的提升較為明顯。

蘋(píng)果M3/M4、高通驍龍8至尊版、聯(lián)發(fā)科天璣9400/9400+等都用的N3E工藝,不知道今年的升級(jí)換代會(huì)不會(huì)都上N3P?還是直奔N2?

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N3X則是N3P的再次升級(jí)版,可繼續(xù)將同等功耗性能提升5%,同等性能功耗降低7%。

更關(guān)鍵的是,N3X支持最高達(dá)1.2V的電壓,從而將頻率、性能挖掘到極致,但代價(jià)就是漏電率驟然增大最多250%,因此芯片設(shè)計(jì)要非常慎重。

根據(jù)路線圖,臺(tái)積電N3明年還會(huì)有N3A、N3C兩個(gè)版本,但未做具體介紹,從定位看N3C是超低成本,定位很低。

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PS:臺(tái)積電N3其實(shí)還有個(gè)特殊版本N3B,但性能和成本都不算太好,大客戶中只有Intel一家在用,就是Lunar Lake、Arrow Lake,妥妥的大冤種。


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