近日，晶圓代工大廠聯(lián)電2024年度營運(yùn)報(bào)告書出爐。其中提到，與英特爾合作開發(fā)的12nm FinFET制程技術(shù)平臺(tái)進(jìn)展順利，預(yù)計(jì)2026年完成制程開發(fā)并通過驗(yàn)證。聯(lián)電還披露了封裝領(lǐng)域進(jìn)展，晶圓級(jí)混合鍵合技術(shù)、3D IC異質(zhì)整合等技術(shù)已成功開發(fā)，未來將全面支持邊緣及云端AI應(yīng)用。

雖然全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)面臨多重挑戰(zhàn)，聯(lián)電2024年依然交出每股稅后收益新臺(tái)幣3.8元的成績單，有鑒于陸系成熟制程廠商不斷開出產(chǎn)能，為避免走向競價(jià)商模，聯(lián)電轉(zhuǎn)型特殊制程及差異化應(yīng)用，并為AI時(shí)代做好準(zhǔn)備。

聯(lián)電強(qiáng)調(diào)，與英特爾合作開發(fā)的12nm FinFET制程技術(shù)平臺(tái)，預(yù)計(jì)2026年完成制程開發(fā)并通過驗(yàn)證，符合該公司設(shè)定2027年量產(chǎn)時(shí)程。有鑒于美國政府提升美國制造重要性，特別是半導(dǎo)體領(lǐng)域生產(chǎn)需求，市場解讀，這項(xiàng)合作更是聯(lián)電追求成本效益產(chǎn)能擴(kuò)張及技術(shù)升級(jí)的重要策略，目前進(jìn)展順利，對其商機(jī)持樂觀態(tài)度，并肯定聯(lián)電12nm技術(shù)的競爭力。

在先進(jìn)封裝技術(shù)方面，聯(lián)電利用晶圓級(jí)混合鍵合技術(shù)（W2W hybrid bonding）實(shí)現(xiàn)尺寸微縮，已完成產(chǎn)品驗(yàn)證，預(yù)計(jì)于今年進(jìn)入量產(chǎn)；在邊緣AI方面，與供應(yīng)鏈建立W2W 3D IC項(xiàng)目，進(jìn)入邏輯芯片與客制化內(nèi)存的異質(zhì)整合驗(yàn)證；并成功在硅中介層加入深溝槽電容（Deep Trench Capacitor，DTC），為2.5D封裝芯片提供電源完整性，已完成產(chǎn)品驗(yàn)證并進(jìn)入試產(chǎn)。

聯(lián)電去年資本支出約29億美元，主要用于臺(tái)南Fab 12A、新加坡Fab 12i與中國Fab 12X的產(chǎn)能擴(kuò)充，及各廠產(chǎn)品組合的優(yōu)化。聯(lián)電強(qiáng)調(diào)，多元制造基地布局，成為該公司在地緣政治復(fù)雜變化中的競爭優(yōu)勢，臺(tái)灣、新加坡、日本和中國大陸的生產(chǎn)基地為客戶提供彈性供應(yīng)鏈選擇。

聯(lián)電去年研發(fā)支出156億元，除了前述12nm平臺(tái)外，還成功開發(fā)22nm圖像信號(hào)處理器、28奈米嵌入式高壓低功耗制程平臺(tái)及氮化鎵元件制程。

此外，值得注意的是，氮化鎵射頻開關(guān)元件制程進(jìn)入量產(chǎn)，氮化鎵射頻功率放大器（PA）元件制程及氮化鎵650V功率元件制程皆已進(jìn)入客戶產(chǎn)品驗(yàn)證和試產(chǎn)階段。