《電子技術(shù)應(yīng)用》
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中國科大成功制備高性能純紅光鈣鈦礦LED

與頂級OLED相當(dāng)!
2025-05-08
來源:快科技

5月8日消息,據(jù)媒體報道,中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)姚宏斌、樊逢佳、林岳、胡偉教授團(tuán)隊近日取得重要科研突破,成功揭示了純紅光鈣鈦礦LED的性能瓶頸機(jī)制,并開發(fā)出具有國際領(lǐng)先水平的高性能純紅光鈣鈦礦LED器件。

金屬鹵化物鈣鈦礦作為新一代明星半導(dǎo)體材料,因其優(yōu)異的載流子遷移率、高色彩純度和寬廣色域等特性,在LED發(fā)光層材料領(lǐng)域展現(xiàn)出巨大潛力。其中,純紅光鈣鈦礦LED作為顯示三基色之一,被認(rèn)為是未來高清顯示領(lǐng)域的關(guān)鍵技術(shù),但長期以來存在亮度與效率難以兼顧的技術(shù)難題。

研究團(tuán)隊通過自主研發(fā)的電激發(fā)瞬態(tài)吸收光譜技術(shù)(EETA),首次實現(xiàn)了對LED內(nèi)部電子和空穴運動狀態(tài)的實時觀測。這項被稱為"給LED拍片子"的創(chuàng)新技術(shù)揭示出:空穴泄漏到電子傳輸層是制約純紅光鈣鈦礦LED性能的關(guān)鍵因素。

針對這一發(fā)現(xiàn),姚宏斌團(tuán)隊創(chuàng)新性地提出了"三維鈣鈦礦異質(zhì)結(jié)"材料結(jié)構(gòu)設(shè)計。通過在鈣鈦礦晶格中插入有機(jī)分子,團(tuán)隊成功改變了發(fā)光層的晶體結(jié)構(gòu),構(gòu)建起能夠有效阻擋空穴泄漏的"寬帶隙能壘"。這一設(shè)計既實現(xiàn)了載流子的有效限域,又保持了材料的高遷移率特性。研究過程中,胡偉教授團(tuán)隊負(fù)責(zé)理論結(jié)構(gòu)分析,林岳教授團(tuán)隊則通過球差電鏡對材料進(jìn)行了充分驗證。

基于這一創(chuàng)新設(shè)計,團(tuán)隊成功制備出性能卓越的純紅光鈣鈦礦LED器件。測試數(shù)據(jù)顯示:器件峰值外量子效率(EQE)達(dá)到24.2%,與頂級OLED水平相當(dāng);最大亮度為24600 cd/m2,是此前報道的純紅光三維鈣鈦礦LED的三倍;在22670 cd/m2的高亮度下,器件仍能保持超過10%的EQE,展現(xiàn)出優(yōu)異的效率穩(wěn)定性。

這項研究成果不僅解決了純紅光鈣鈦礦LED領(lǐng)域的關(guān)鍵科學(xué)問題,更展現(xiàn)了三維鈣鈦礦異質(zhì)結(jié)材料在開發(fā)高效、高亮度且穩(wěn)定鈣鈦礦LED方面的巨大應(yīng)用潛力,為新一代顯示技術(shù)的發(fā)展開辟了新路徑。

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