6 月 24 日消息，參考韓媒 SEDaily 當(dāng)?shù)貢r間本月 19 日報道和另一家韓媒 MK 的今日報道，三星電子的第六代 10 納米級（注：即 1c nm）DRAM 內(nèi)存工藝在設(shè)計改進(jìn)等的推動下良率明顯提升。

SEDaily 在報道中宣稱，三星去年 1c nm 內(nèi)存的良率還不到 30%，而在今年五月的性能測試中良率達(dá)到了 50%~70%；MK 則提到了 60% 以上的近期良率數(shù)據(jù)。

兩家韓媒都表示，良率的明顯提升是大膽的設(shè)計變更的作用，這雖然會導(dǎo)致量產(chǎn)時間的延后，但在技術(shù)層面取得了顯著的改進(jìn)。

由于在 HBM 市場的失利，三星電子在今年一季度將 DRAM 內(nèi)存營收第一的寶座拱手讓給 SK 海力士?？紤]到三星的 HBM4 內(nèi)存就基于 1c nm DRAM，該工藝的良率改善有望為三星重振旗鼓打下堅實基礎(chǔ)。