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基于 TI GaN FET 的 10kW 單相串式逆變器的設(shè)計(jì)注意事項(xiàng)

2025-07-11
來(lái)源:德州儀器
關(guān)鍵詞: 德州儀器 GaNFET

鑒于對(duì)能源可持續(xù)性和能源安全的擔(dān)憂,當(dāng)前對(duì)儲(chǔ)能系統(tǒng)的需求不斷加速增長(zhǎng),尤其是在住宅太陽(yáng)能裝置領(lǐng)域。市面上有一些功率高達(dá) 2kW 且?guī)в屑墒絻?chǔ)能系統(tǒng)的微型逆變器。當(dāng)系統(tǒng)需要更高功率時(shí),也可以選用連接了儲(chǔ)能系統(tǒng)的串式逆變器或混合串式逆變器。 

圖 1 是混合串式逆變器的方框圖。常見(jiàn)的穩(wěn)壓直流母線可將各個(gè)基本模塊互聯(lián)起來(lái)?;旌洗侥孀兤靼韵伦訅K: 

·   用于執(zhí)行最大功率點(diǎn)跟蹤的單向 DC/DC 轉(zhuǎn)換器。

·   用于電池充電和放電的雙向 DC/DC 轉(zhuǎn)換器。電池可在夜間或停電期間供電。

·   DC/AC 轉(zhuǎn)換器,負(fù)責(zé)將直流轉(zhuǎn)換為交流電源并保持低電流總計(jì)諧波失真 (THD)。

·   微控制器 (MCU),用于測(cè)量電流和電壓、控制電源開(kāi)關(guān)、執(zhí)行絕緣監(jiān)測(cè)、檢測(cè)串拱和啟用通信。

·   電源優(yōu)化器,用于盡可能提高光伏面板的可用功率,而不受輻照度和溫度等外部變量的影響。

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IGBT 與 GaN FET 的比較 

串式逆變器由電源開(kāi)關(guān)組成,例如絕緣柵雙極晶體管 (IGBT)。這種功率器件存在尾電流和二極管反向恢復(fù)等問(wèn)題,會(huì)導(dǎo)致開(kāi)關(guān)損耗較高。此外,這些現(xiàn)象受溫度影響,會(huì)導(dǎo)致更高的功率損耗,尤其是在采用靜態(tài)散熱解決方案時(shí)。因此,這些功率器件需要在低頻下運(yùn)行,需要體積更大的無(wú)源元件和散熱器。開(kāi)關(guān)頻率典型范圍為 5kHz 至 15kHz。 

氮化鎵 (GaN) 等寬帶隙電源開(kāi)關(guān)沒(méi)有少數(shù)載流子現(xiàn)象,因此能夠減少開(kāi)關(guān)損耗。開(kāi)關(guān)損耗降低后,能夠在保持系統(tǒng)損耗不變的情況下提高開(kāi)關(guān)頻率,從而減少無(wú)源元件的數(shù)量。平均而言,開(kāi)關(guān)頻率可以提高 6 倍。 

本文提出了一種基于 GaN 場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (FET) 的 10kW 串式逆變器。我們還將探討 GaN 的優(yōu)勢(shì),并重點(diǎn)介紹為住宅太陽(yáng)能應(yīng)用構(gòu)建此類系統(tǒng)的優(yōu)勢(shì)。

 

基于 GaN 的串式逆變器的設(shè)計(jì)注意事項(xiàng) 

圖 2 所示為基于 GaN 且具有電池儲(chǔ)能系統(tǒng)的 10kW 單相串式逆變器參考設(shè)計(jì),包括所有有源和無(wú)源元件。

圖 3 是該轉(zhuǎn)換器的原理圖表示。

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該參考設(shè)計(jì)包含四個(gè)在不同開(kāi)關(guān)頻率下運(yùn)行的電源轉(zhuǎn)換系統(tǒng):

·   兩個(gè)升壓轉(zhuǎn)換器,用于實(shí)現(xiàn)兩個(gè)獨(dú)立的串式輸入,每個(gè)轉(zhuǎn)換器的額定功率為 5kW (134kHz)。

·   一個(gè)交錯(cuò)式雙向 DC/DC 轉(zhuǎn)換器,額定功率為 10kW (67kHz)。

·   一個(gè)面向電網(wǎng)的雙向 DC/AC 轉(zhuǎn)換器,額定功率為 4.6kW (89kHz)。

 

功率器件

由于能夠在頂部為額定電壓為 650V 的 30mΩ LMG3522R030 GaN FET 進(jìn)行散熱,因此熱阻抗比底部散熱器件更小。這些 FET 集成了柵極驅(qū)動(dòng)器,可降低解決方案成本并縮小設(shè)計(jì)尺寸。

 

MCU

如圖 3 所示,該參考設(shè)計(jì)由單個(gè) MCU 控制。TMS320F28P550SJ 可對(duì)四個(gè)功率轉(zhuǎn)換級(jí)進(jìn)行實(shí)時(shí)控制、提供保護(hù)并實(shí)現(xiàn)多個(gè)控制環(huán)路??梢宰?MCU 將電源地 (GND DC–) 作為參考。由于集成了柵極驅(qū)動(dòng)器,也可以直接控制 GaN FET。底部不需要隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器(Q1A、Q1B、Q2、Q4、Q6、Q7)。

 

電流檢測(cè)

系統(tǒng)需要在不同轉(zhuǎn)換器級(jí)的不同點(diǎn)進(jìn)行電流測(cè)量。升壓轉(zhuǎn)換器使用基于并聯(lián)的解決方案(例如負(fù)電源軌上的 INA181)來(lái)測(cè)量電流,因?yàn)?MCU 將電源地作為參考。在交錯(cuò)式轉(zhuǎn)換器中,您需要使用高精度電流檢測(cè)增強(qiáng)型隔離式放大器 AMC1302 等器件,在不同的時(shí)間和溫度條件下以高精確度測(cè)量電池中的電流。內(nèi)部 GaN 低壓降穩(wěn)壓器生成的 5V 電壓用于為電流檢測(cè)放大器供電。在逆變器級(jí)中,可以使用霍爾效應(yīng)電流傳感器(例如 TMCS1123)來(lái)測(cè)量電網(wǎng)電流。這種傳感器具有高帶寬和高準(zhǔn)確度,有助于顯著降低電流 THD。

 

實(shí)驗(yàn)結(jié)果

我們使用以下系統(tǒng)電壓運(yùn)行了此參考設(shè)計(jì):

·   串式輸入電壓:350V。

·   標(biāo)稱電池電壓:160V。

·   電網(wǎng)電壓:230V。

·   直流鏈路電壓:控制在 400V。

我們收集了轉(zhuǎn)換器在不同場(chǎng)景下工作時(shí)的效率:

·   從串式輸入中獲取電力并輸送至電網(wǎng)(見(jiàn)圖 4)。

·   從電池中獲取電力并輸送至電網(wǎng)(見(jiàn)圖 5)。

·   從串式輸入中獲取電力并輸送至電池(見(jiàn)圖 6)。

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這些圖表明,即使開(kāi)關(guān)速度比標(biāo)準(zhǔn) IGBT 解決方案快六倍,整體效率仍然與當(dāng)今的 IGBT 解決方案相當(dāng)。包含輔助控制電源時(shí),效率依舊保持在 98% 左右。所有三張圖都包含兩個(gè)電源轉(zhuǎn)換級(jí)。

 

結(jié)語(yǔ)

GaN 有助于實(shí)現(xiàn)更高的功率密度,從而減輕終端設(shè)備的重量。串式逆變器參考設(shè)計(jì)具有接近 98% 的整體系統(tǒng)效率和 2.3kW/L 的功率密度,展現(xiàn)出優(yōu)越的性能。此外,在考慮系統(tǒng)總成本時(shí),實(shí)施集成柵極驅(qū)動(dòng)器解決方案可降低成本。

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