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Intel 18A工藝良率已超越三星2nm

2025-07-14
來源:IT之家
關(guān)鍵詞: 英特爾 18A制程 臺積電 三星 2nm

7月14日消息,據(jù)報道,KeyBanc Capital Markets的分析報告顯示,Intel 18A工藝的良率已從上一季度的50%提升至55%,與競爭對手的對比中脫穎而出。

相比之下,三星2nm工藝(SF2)目前的良率大約在40%左右,而Intel 18A工藝的良率已經(jīng)超越了三星2nm。

雖然仍低于臺積電N2的65%,但已具備Q4 2025量產(chǎn)(HVM)條件,屆時其良率有望進一步提升至70%,這將為Intel下一代移動CPU的生產(chǎn)提供有力支持。

雖然Intel的良率預計不會超越臺積電,但擁有一個功能強大的制程就足夠該公司所用了。

Intel 18A工藝的進步不僅有助于其內(nèi)部產(chǎn)品的開發(fā),如即將推出的Panther Lake系列,還為未來向外部客戶提供服務(wù)奠定了基礎(chǔ)。

Intel計劃在18A工藝取得成功后,逐步向14A工藝過渡,以進一步提升其在高端芯片市場的競爭力。


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