7月23日，據(jù)臺(tái)媒Digitimes報(bào)道，中國DRAM廠商長鑫存儲(chǔ)（CXMT）正在積極推進(jìn)其DDR5和LPDDR5 DRAM工藝升級(jí)。供應(yīng)鏈消息人士透露，長鑫存儲(chǔ)的樣品近期已通過測試，質(zhì)量已經(jīng)與南亞科技的產(chǎn)品相當(dāng)，目標(biāo)2025年底量產(chǎn)。

報(bào)道稱，長鑫存儲(chǔ)在2024年年底開始生產(chǎn)其 DDR5 內(nèi)存，不過長鑫存儲(chǔ)當(dāng)時(shí)使用的可能是其相對(duì)落后的第 4 代 DRAM 工藝節(jié)點(diǎn)（特征尺寸約為16nm，相當(dāng)于三星2021年推出的第 3 代 10nm 級(jí)節(jié)點(diǎn)DDR5）來制造其 16 GB DDR5芯片，這就是為什么與三星生產(chǎn)的 16GB DDR5 芯片相比要大40%的原因。這意味著，與三星的DDR5芯片相比，長鑫存儲(chǔ)DDR5芯片的制造成本要高得多，這使得長鑫存儲(chǔ)DDR5芯片在市場競爭當(dāng)中處于弱勢，且無利可圖。

成本并不是長鑫存儲(chǔ)DDR5芯片面臨的唯一問題。報(bào)道稱，長鑫存儲(chǔ)DDR5樣品的早期測試暴露了60°C左右的穩(wěn)定性問題（緊密封裝系統(tǒng)中DDR5內(nèi)存模塊的常見溫度），以及在零下溫度下運(yùn)行的問題。這些問題阻礙了基于長鑫存儲(chǔ) DDR5芯片的模組達(dá)到可靠性標(biāo)準(zhǔn)。

因此，長鑫存儲(chǔ)不得不改變其DDR5的設(shè)計(jì)，以至于必須制造新的光掩模，以解決在高溫或低溫下運(yùn)行的問題。這也使得長鑫存儲(chǔ)不得不推遲其新版的 DDR5 內(nèi)存的量產(chǎn)。

DigiTimes 報(bào)道稱，內(nèi)部人士最初預(yù)計(jì)量產(chǎn)將在 2025 年 5 月或 6 月左右開始，但到 7 月，還沒有證據(jù)表明已成功量產(chǎn)。事實(shí)證明，盡管發(fā)熱問題取得了進(jìn)步，但長鑫存儲(chǔ)生產(chǎn)線上DDR5的良率仍然相對(duì)較低，徘徊在50%左右，這對(duì)于商用DRAM來說是不可接受的。

供應(yīng)鏈消息人士表示，長鑫存儲(chǔ)需要更多的改進(jìn)和運(yùn)營經(jīng)驗(yàn)才能達(dá)到與行業(yè)平均水平具有競爭力的良率，這將進(jìn)一步延遲其批量生產(chǎn)時(shí)間。目前，長鑫存儲(chǔ)的目標(biāo)是到 2025 年底大規(guī)模制造 DDR5。

最近對(duì)基于長鑫存儲(chǔ)新版DDR5芯片的模塊的測試表明，其質(zhì)量和性能有了顯著飛躍，據(jù)說幾乎與中國臺(tái)灣的南亞科技同類產(chǎn)品相當(dāng)。如果這些產(chǎn)品經(jīng)過領(lǐng)先的 PC 制造商或模塊廠商的驗(yàn)證，將表明長鑫存儲(chǔ)正在縮小與成熟 DRAM 供應(yīng)商的差距。當(dāng)然，由于良率問題，這些部件尚未進(jìn)入大批量生產(chǎn)，因此就目前而言，長鑫存儲(chǔ)很難被視為DDR5市場上強(qiáng)有力的競爭對(duì)手。