7月25日消息，英國的先進半導體測量技術(shù)公司Infinitesima 近日宣布與比利時imec 共同展開三年合作項目，針對其Metron3D 在線3D 晶圓測量系統(tǒng)進行功能強化，聚焦于High-NA EUV、混合鍵合（Hybrid Bonding）、CFET等先進制程應(yīng)用，并由ASML 等業(yè)界領(lǐng)導者參與，以解決未來半導體制造對高解析3D 測量的迫切需求。

研調(diào)機構(gòu)TechInsights 預測，全球3D 半導體結(jié)構(gòu)與先進封裝制程將推升晶圓測量市場于2025年達到76億美元，其中在線、高分辨率3D 測量技術(shù)被視為最具潛質(zhì)的應(yīng)用領(lǐng)域。

Infinitesima 指出，本項目將運用Metron3D 300 毫米在線（in-line）晶圓測量系統(tǒng)，針對尖端應(yīng)用進行優(yōu)化與探索，包括Hybrid Bonding、High-NA EUV 微影，以及如互補場效晶體管（CFETs）等3D 邏輯裝置結(jié)構(gòu)。

Infinitesima 表示，此項目將結(jié)合合作伙伴的深厚專業(yè)知識與公司Rapid Probe Microscope（RPM?）技術(shù)，實現(xiàn)深入的三維表面?zhèn)蓽y、高速圖像擷取與干涉等級的精準度。此舉將有助于因應(yīng)業(yè)界迫切需求，于高產(chǎn)能制造環(huán)境中，針對關(guān)鍵結(jié)構(gòu)的整體形貌提供高吞吐量、詳細的3D 測量信息。

做為計劃一部分，Infinitesima 將于imec 安裝系統(tǒng)設(shè)備，該系統(tǒng)將由包括ASML 在內(nèi)的合作伙伴使用，以持續(xù)推進High-NA EUV 光阻成像的特性研究與制程開發(fā)。

Infinitesima 強調(diào)，這次與imec 密切合作旨在實現(xiàn)真正的三維制程控制，并開發(fā)新一代測量系統(tǒng)功能與強化技術(shù)，這對未來半導體裝置的生產(chǎn)具關(guān)鍵意義。執(zhí)行長Peter Jenkins 指出，很榮幸能進一步擴展與imec 合作，攜手解決下一代半導體制程中最關(guān)鍵制程步驟所面臨的先進測量挑戰(zhàn)。

Infinitesima 與imec 的合作始于2021年，最初著重于運用專利技術(shù)RPM?，實現(xiàn)探針誘發(fā)式納米級斷層感測（tip-induced nanoscale tomographic sensing），應(yīng)用于研究與故障分析領(lǐng)域。這次新合作計劃擴大至高速在線生產(chǎn)量測領(lǐng)域，以支持半導體業(yè)對埃米級特征與日益復雜的3D 結(jié)構(gòu)的先進檢測與測量需求。