Z-RAM^? 高密度存儲知識產(chǎn)權(IP)開發(fā)商Innovative Silicon Inc（ISi），與海力士" title="海力士">海力士(Hynix)半導體有限公司（韓國證券期貨交易所：HynixSemi）今日宣布：海力士已經(jīng)同意在其動態(tài)隨機存儲器(DRAM)芯片中采用ISi的Z-RAM技術。采用Z-RAM的DRAM將使用一種單晶體管" title="單晶體管">單晶體管位單元，來替代多個晶體管和電容器的組合，這代表了自上世紀70年代初發(fā)明DRAM來，基本DRAM位單元實現(xiàn)了首次變革。海力士已經(jīng)獲得了搶先將Z-RAM引入DRAM市場的機會。為確保這項優(yōu)勢，兩家公司已經(jīng)投入相當大的工程資源共同開發(fā)該項目。?

Z-RAM最初作為全球成本最低" title="成本最低">成本最低的嵌入式內(nèi)存技術而應用于邏輯芯片，如移動芯片組、微處理器、 網(wǎng)絡和其他消費應用。2005年12月AMD首次獲得該項技術授權，將這項技術應用于微處理器設計。目前此次與Hynix的合作，使Z-RAM成為超過300億美元的存儲器市場中成本最低的存儲器技術。?

?“ Z-RAM保證提供一種在納米工藝上制造高密度DRAM的最佳方法，” 海力士研發(fā)部副總裁Sung-Joo Hong說?！耙訧Si的 Z-RAM創(chuàng)新為基礎，我們看到了開創(chuàng)全新產(chǎn)品平臺的潛力，這將幫助我們繼續(xù)保持和擴展在存儲器市場中所處的領先地位。”?

?“ 海力士決定與ISi的合作是對我們Z-RAM存儲技術" title="存儲技術">存儲技術的實力和商業(yè)效益的進一步肯定，尤其是海力士是存儲器芯片市場的主導者，它的產(chǎn)品被廣泛應用于多種電子設備中，如個人電腦、服務器、工作站、顯卡以及手持設備，如手機、MP3播放器和數(shù)碼相機等，”ISi首席執(zhí)行官Mark-Eric Jones說?！安捎肐Si的Z-RAM技術制成的存儲器芯片尺寸更小，成本更低。我們期待著與海力士在下一代DRAM芯片中的合作，從而為最終用戶帶來極大的性能和可用性方面的優(yōu)勢?！?

ISi營銷副總裁Jeff Lewis說：“我們相信這是ISi和Hynix的重要里程碑。Z-RAM將對DRAM的設計和制造產(chǎn)生深遠影響。由于2006年DRAM產(chǎn)業(yè)產(chǎn)品銷售超過330億美元，這樣的發(fā)展將顯著地影響到整個電子行業(yè)?！?

ISi的Z-RAM與目前標準DRAM和SRAM（靜態(tài)存儲器）方案不同，因為其單晶體管(1T)位單元結構是全球最小的存儲單元，這使其成為全世界密度最高、成本最低的半導體存儲方案。通過采用絕緣體上硅結構(SOI)晶圓，Z-RAM的單晶體管存儲位單元可利用電路制造中發(fā)現(xiàn)的浮體效應(FBE）而變成現(xiàn)實。此外，因為Z-RAM是利用了SOI自然產(chǎn)生的效應，在存儲位單元內(nèi)無須通過改變外在工藝來構建電容或其它復雜結構。

關于Innovative Silicon?

Innovative Silicon Inc.(ISi)是為需要低功耗、高密度和高速度的嵌入式單芯片系統(tǒng)(SoC,）、微處理器（MPU）以及便攜式消費應用提供超高密度存儲知識產(chǎn)權（IP）的公司。2007年1月，其技術被IEEE Spectrum雜志評選為優(yōu)勝半導體技術；并在2007年4月又獲得了ACE新興技術獎。ISi的 Z-RAM^? 存儲技術可為嵌入式DRAM提供多達兩倍的密度，是嵌入式SRAM密度的五倍。公司于2003年完成了第一輪風險投資融資，并于2004年完成其第一個" title="第一個">第一個90nm制程兆位 Z-RAM存儲器設計，2005年完成其第一個65nm設計，2006年完成第一個45nm設計。通過擁有20多項已頒布專利，Z-RAM^? 獨特的單晶體管結構是世界上成本最低的半導體存儲器方案。公司在美國成立，并在瑞士洛桑設立了研發(fā)中心。更多信息請登陸www.z-ram.com?

關于海力士(Hynix)半導體有限公司?

總部位于韓國利川的海力士半導體有限公司 (HSI)，是世界頂級存儲器半導體供應商，公司為許多成功的國際客戶提供動態(tài)隨機存儲器(DRAMs)芯片和閃爍存儲器芯片。公司股票在韓國證券交易所交易，全球存托股票在盧森堡證券交易所上市。更多信息請登陸www.hynix.com?