《電子技術(shù)應(yīng)用》
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基于LFSR優(yōu)化的BIST低功耗設(shè)計(jì)
摘要: 隨著便攜式設(shè)備和無(wú)線通訊系統(tǒng)在現(xiàn)實(shí)生活中越來(lái)越廣泛的使用,可測(cè)性設(shè)計(jì)(DFT)的功耗問(wèn)題引起了VLSI設(shè)計(jì)者越來(lái)越多的關(guān)注。因?yàn)樵跍y(cè)試模式下電路的功耗要遠(yuǎn)遠(yuǎn)高于正常模式,必將帶來(lái)如電池壽命、芯片封裝、可靠性等一系列問(wèn)題。隨著集成電路的發(fā)展,內(nèi)建自測(cè)試(BIST)因?yàn)榫邆淞酥T多優(yōu)越性能(如降低測(cè)試對(duì)自動(dòng)測(cè)試設(shè)備在性能和成本上的要求、可以進(jìn)行At—speed測(cè)試及有助于保IP核的知識(shí)產(chǎn)權(quán)等),已成為解決SoC測(cè)試問(wèn)題的首選可測(cè)性設(shè)計(jì)手段。
關(guān)鍵詞: 電源管理 LFSR BIST CMOS
Abstract:
Key words :

引言

隨著便攜式設(shè)備和無(wú)線通訊系統(tǒng)在現(xiàn)實(shí)生活中越來(lái)越廣泛的使用,可測(cè)性設(shè)計(jì)(DFT)的功耗問(wèn)題引起了VLSI設(shè)計(jì)者越來(lái)越多的關(guān)注。因?yàn)樵跍y(cè)試模式下電路的功耗要遠(yuǎn)遠(yuǎn)高于正常模式,必將帶來(lái)如電池壽命、芯片封裝、可靠性等一系列問(wèn)題。隨著集成電路的發(fā)展,內(nèi)建自測(cè)試(BIST)因?yàn)榫邆淞酥T多優(yōu)越性能(如降低測(cè)試對(duì)自動(dòng)測(cè)試設(shè)備在性能和成本上的要求、可以進(jìn)行At—speed測(cè)試及有助于保IP核的知識(shí)產(chǎn)權(quán)等),已成為解決SoC測(cè)試問(wèn)題的首選可測(cè)性設(shè)計(jì)手段。

在BIST中常用線性反饋移位寄存器(LFSR)作為測(cè)試模式生成器(TPG)。LFSR必須產(chǎn)生很長(zhǎng)的測(cè)試矢量集才能滿足故障覆蓋率的要求,但這些矢量消耗了大量的功率。

另外,在系統(tǒng)工作模式下,應(yīng)用于給定電路的連續(xù)功能輸入矢量具有重要的相關(guān)性,而由LFSR產(chǎn)生的連續(xù)測(cè)試模式之間的相關(guān)性很低。因此,在自測(cè)試期間會(huì)增加電路中節(jié)點(diǎn)的翻轉(zhuǎn)活動(dòng),導(dǎo)致功耗增大。

2 功耗分析和WSA模型

CMOS電路中功耗的來(lái)源主要分為靜態(tài)功耗和動(dòng)態(tài)功耗兩種。漏電流或從電源供給中持續(xù)流出的其它電流導(dǎo)致靜態(tài)功耗。動(dòng)態(tài)功耗則是因?yàn)槎搪冯娏骱拓?fù)載電容的充放電,從而由電路正常工作時(shí)的功能跳變所引起的,它包括功能跳變、短路電流、競(jìng)爭(zhēng)冒險(xiǎn)等。對(duì)于CMOS工藝來(lái)說(shuō),目前動(dòng)態(tài)功耗是電路功耗的主要來(lái)源。

對(duì)于節(jié)點(diǎn)i上每次開(kāi)關(guān)上的功耗為:
 

式中,Si是單周期內(nèi)翻轉(zhuǎn)的次數(shù),F(xiàn)i是節(jié)點(diǎn)i的扇出,C0是最小輸出負(fù)載電容,VDD是電源電壓。

從式(1)看出,門(mén)級(jí)的功耗估計(jì)與Si和Fi的乘積和節(jié)點(diǎn)i的翻轉(zhuǎn)次數(shù)有關(guān)。節(jié)點(diǎn)的扇出由電路拓?fù)錄Q定,而它的翻轉(zhuǎn)次數(shù)由邏輯模擬器來(lái)估計(jì)。這個(gè)乘積即稱為節(jié)點(diǎn)i的權(quán)重翻轉(zhuǎn)活動(dòng)(Weighted Switching Activity,WSA)。在測(cè)試過(guò)程中WSA是節(jié)點(diǎn)i功耗Ei的唯一變量,所以WSA可作為該節(jié)點(diǎn)的功耗估計(jì)。對(duì)于一對(duì)連續(xù)的輸入矢量TPk=(Vk-1,Vk),電路總的WSA為:
 

式中i是電路中所有節(jié)點(diǎn)的個(gè)數(shù),S(i,k)是由TPk所激勵(lì)節(jié)點(diǎn)i的翻轉(zhuǎn)次數(shù)。
根據(jù)式(2),考慮長(zhǎng)度為L(zhǎng)的測(cè)試矢量TS作為電路的輸入矢量,電路總的WSA為:
 

根據(jù)以上功率和能量消耗的表達(dá)式,再給定一個(gè)電路設(shè)計(jì)為CMOS的工藝和供給電源,可得以下結(jié)論:
(1)電路中節(jié)點(diǎn)i的跳變數(shù)成為唯一的影響能量、最大功耗和平均功耗的參數(shù)。

(2)測(cè)試中時(shí)鐘的頻率也影響著平均功耗和最大功耗。
(3)測(cè)試長(zhǎng)度,即施加在待測(cè)電路(CUT)上的測(cè)試向量的數(shù)目一只影響總的能量的消耗。

3 LFSR優(yōu)化的低功耗方法

通過(guò)對(duì)測(cè)試過(guò)程的功耗分析可知,選擇BIST低功耗的方案時(shí),一方面可以通過(guò)減少測(cè)試序列長(zhǎng)度來(lái)實(shí)現(xiàn)(但該方法往往以犧牲故障覆蓋率為代價(jià)),另一方面降低WSA值也可實(shí)現(xiàn)系統(tǒng)功耗的降低。

在BIST結(jié)構(gòu)中,線性反饋移位寄存器(LFSR)由于結(jié)構(gòu)的簡(jiǎn)單性、規(guī)則性、非常好的隨機(jī)測(cè)試矢量生成特性、用來(lái)壓縮測(cè)試響應(yīng)時(shí)的混淆概率非常小等特點(diǎn),在DFT的掃描環(huán)境中很容易集成,所以當(dāng)從掃描DFT設(shè)計(jì)升級(jí)成BIST設(shè)計(jì)時(shí),LFSR因其硬件開(kāi)銷很小而成為BIST中應(yīng)用最廣的矢量生成結(jié)構(gòu)。

基于LFSR優(yōu)化的BIST結(jié)構(gòu)可分為test—per-一scan和test—per—clock兩類結(jié)構(gòu)。test—per—scan技術(shù)引起的面積開(kāi)銷較小,測(cè)試結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單,易于擴(kuò)展:而test—per—clock在一個(gè)周期內(nèi)可實(shí)現(xiàn)矢量的生成和響應(yīng)壓縮,能夠完成快速的測(cè)試。

3.1 基于掃描的test—per—scan方式
3.1.1 基本結(jié)構(gòu)
test—per一scan內(nèi)建自測(cè)試的目標(biāo)是盡可能的降低硬件開(kāi)銷。這種結(jié)構(gòu)在每個(gè)輸入輸出端口處使用LFSR與寄存器的組合來(lái)代替LFSR。圖l是test—per-scan內(nèi)建自測(cè)試的基本電路結(jié)構(gòu)。在內(nèi)建自測(cè)試矢量下,LFSR生成測(cè)試矢量并且通過(guò)掃描移位寄存器(shift register)將測(cè)試矢量移位到待測(cè)電路(CUT)的輸入端,同時(shí)響應(yīng)被移入LFSR并壓縮。
 

3.1.2 原理

全掃描或部分掃描設(shè)計(jì)中由于移位會(huì)產(chǎn)生比較大的功耗。基于掃描的test一per-scan低功耗設(shè)計(jì)方法需要修改標(biāo)準(zhǔn)的掃描設(shè)計(jì),降低狀態(tài)轉(zhuǎn)換活動(dòng)率。沒(méi)計(jì)修改包括在移位期間用于屏蔽掃描路徑活動(dòng)的一些門(mén)控邏輯,以及對(duì)用于抑制隨機(jī)模式的附加邏輯進(jìn)行綜合等。

3.1. 3 部分掃描算法

根據(jù)以上掃描設(shè)計(jì)原理,在消除測(cè)試序列中的冗余模式之后,采用圖2所示的部分掃描算法對(duì)待測(cè)電路進(jìn)行部分掃描設(shè)計(jì)。其步驟如下:

①首先刪除所有自反饋時(shí)序邏輯對(duì)應(yīng)的頂點(diǎn)。
②在數(shù)據(jù)流圖中查找所有的強(qiáng)連通單元(Strongly Connected Components,簡(jiǎn)稱SCC)。

③依次刪除SCC所有頂點(diǎn)中最大的頂點(diǎn)。

參考文獻(xiàn)采用上述算法對(duì)ISCA89基準(zhǔn)電路掃描BIST測(cè)試,并采用ATPG工具和仿真工具VCS故障模擬和功能模擬,表1列出測(cè)試覆蓋率、平均功耗和峰值功耗數(shù)據(jù)。
 

由表l數(shù)據(jù)可見(jiàn),部分掃描對(duì)待測(cè)電路測(cè)試覆蓋率影響非常小(<3.5%),且對(duì)電路進(jìn)行部分掃描設(shè)計(jì)后,掃描寄存器數(shù)目大大減少,所以在掃描移位周期需要同時(shí)觸發(fā)寄存器的數(shù)目也大大減少,由此引起待測(cè)電路內(nèi)部節(jié)點(diǎn)的翻轉(zhuǎn)數(shù)目也大大減少,可達(dá)到降低BIST的平均功耗和峰值功耗的目的。

3.2 基于時(shí)鐘的test—per-clock方式

3.2.1 基本結(jié)構(gòu)

一個(gè)test-per-clock內(nèi)建自測(cè)試基本結(jié)構(gòu)如圖3所示。每一個(gè)測(cè)試時(shí)鐘L2SR生成一個(gè)測(cè)試矢量。多輸人特征寄存器(Multiple-一Input Signature Register,簡(jiǎn)稱MISR)壓縮一個(gè)響應(yīng)矢量。
 

3.2.2 原理

在掃描測(cè)試中,主要功耗包括邏輯功耗、掃描功耗和時(shí)鐘功耗。前面給出的方法主要集中在降低邏輯功耗或掃描功耗,但沒(méi)有降低時(shí)鐘功耗。基于時(shí)鐘的低功耗test—per—clock方式可以同時(shí)降低這3種功耗。該方法采用低功耗的test—per-一clock BIST結(jié)構(gòu)。對(duì)LFSR進(jìn)行修改后,用作TPG以生成低功耗的測(cè)試矢量。使用這種經(jīng)過(guò)修改的時(shí)鐘方案會(huì)降低被測(cè)電路、TPG和饋給TPG的時(shí)鐘樹(shù)的跳變密度。通過(guò)降低被測(cè)電路、TPG和時(shí)鐘樹(shù)的狀態(tài)轉(zhuǎn)換活動(dòng)率來(lái)降低BIST期間的功耗。
由于來(lái)源于標(biāo)準(zhǔn)掃描結(jié)構(gòu)的測(cè)試模式可直接用于低功耗掃描結(jié)構(gòu),這種方法與采用傳統(tǒng)掃描結(jié)構(gòu)所達(dá)到的故障覆蓋率和IC測(cè)試時(shí)間基本一致。與傳統(tǒng)掃描結(jié)構(gòu)相比,面積開(kāi)銷很小,在電路性能方面也沒(méi)有損失。

3.2.3 低功耗測(cè)試矢量生成

對(duì)于test—per—clock結(jié)構(gòu)來(lái)說(shuō),減少測(cè)試功耗主要通過(guò)優(yōu)化測(cè)試矢量來(lái)實(shí)現(xiàn),而測(cè)試矢量生成技術(shù)是指產(chǎn)生確定性測(cè)試矢量的技術(shù)。

測(cè)試矢量生成方式在生成測(cè)試模式時(shí),除了要達(dá)到傳統(tǒng)的ATPG目的,還需考慮降低測(cè)試期間的功耗?;贏TPG的方法又分為2種:①集成的ATPG優(yōu)化方法,該方法的測(cè)試模式在測(cè)試生成期間進(jìn)行低功耗優(yōu)化;②ATPG之后的優(yōu)化方法,該方法的測(cè)試模式首先由傳統(tǒng)的ATPG生成,然后再進(jìn)行功耗優(yōu)化。

(1)與模擬退火算法相結(jié)合測(cè)試矢量生成的步驟是:首先根據(jù)模擬退火算法將測(cè)試模式分組成若干個(gè)有效測(cè)試矢量組與無(wú)效測(cè)試矢量組兩部分;然后根據(jù)算法原理,生成控制LFSR運(yùn)行的控制碼;在這些控制碼的作用下,LFSR就跳過(guò)大量的無(wú)效測(cè)試矢量,生成由有效測(cè)試矢量構(gòu)成的精簡(jiǎn)的測(cè)試矢量序列。其基本流程如圖4所示。
 

(2)與進(jìn)化算法相結(jié)合依據(jù)測(cè)試矢量生成技術(shù)原理,采用基于遺傳算法的測(cè)試模式生成器,用于計(jì)算冗余的測(cè)試模式。在冗余測(cè)試模式中,一個(gè)故障由幾個(gè)不同的序列覆蓋。然后使用一個(gè)優(yōu)化算法,從前面已計(jì)算過(guò)的測(cè)試序列組合中選擇一個(gè)最佳子集,使其峰值功率最小,而不影響故障覆蓋率。參考文獻(xiàn)采用ISCAS’85Bench—mark中的組合電路作為實(shí)驗(yàn)電路,在保持故障覆蓋率不變的情況下,對(duì)待測(cè)電路的測(cè)試功耗a與使用模擬退火算法的BIST結(jié)構(gòu)的測(cè)試功耗b相比較,得到的結(jié)果如表2所示。
 

由表2可知,滿足相同故障覆蓋率時(shí),采用模擬退火算法分組測(cè)試矢量后,WSA大幅降低,總的WSA改善率在73.44%~94.96%之間。由于減少測(cè)試矢量,測(cè)試時(shí)間也大為縮短。

4 結(jié)語(yǔ)

采用線性反饋移位寄存器生成測(cè)試矢量的BIST結(jié)構(gòu)可分為test—per—scan和test—per—clock兩大類,相應(yīng)的實(shí)現(xiàn)低功耗BIST測(cè)試方法也分別針對(duì)test一per—scan和test—per一clock結(jié)構(gòu)。對(duì)tesl—per-scan結(jié)構(gòu)模式,減少測(cè)試功耗主要通過(guò)優(yōu)化掃描鏈來(lái)實(shí)現(xiàn);對(duì)于test—per-clock結(jié)構(gòu)模式,減少測(cè)試功耗主要通過(guò)優(yōu)化測(cè)試矢量來(lái)實(shí)現(xiàn)。test—per—scan技術(shù)引起的面積開(kāi)銷較小,測(cè)試結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單,易于擴(kuò)展;而test—per—clock在一個(gè)周期內(nèi)可實(shí)現(xiàn)矢量的生成和響應(yīng)壓縮,能夠完成快速的測(cè)試。當(dāng)然,隨著測(cè)試功耗研究的深入,將會(huì)有更好的方法使功耗、故障覆蓋率、系統(tǒng)性能等問(wèn)題達(dá)到最優(yōu)。
 

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