《電子技術(shù)應(yīng)用》
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IDT 推出針對(duì)工控、醫(yī)療成像和通信等應(yīng)用的下一代雙口RAM

拓展多端口解決方案,實(shí)現(xiàn)更高性能的存儲(chǔ)器緩沖
2008-07-22
作者:IDT公司
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致力于豐富數(shù)字媒體" title="數(shù)字媒體">數(shù)字媒體體驗(yàn)、提供領(lǐng)先的混合信號(hào)" title="混合信號(hào)">混合信號(hào)半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商 IDT 公司Integrated Device Technology, Inc.; NASDAQ: IDTI今天宣布,其不斷擴(kuò)大的多口RAM系列又添兩個(gè)新型雙口" title="雙口">雙口RAM器件。從工業(yè)控制到醫(yī)療成像和通信,新的 9Mb 4Mb 雙端口" title="雙端口">雙端口器件可實(shí)現(xiàn)高達(dá) 200MHz 的性能,以滿足苛刻的存儲(chǔ)器緩沖要求。這兩款器件采用 1.8V 內(nèi)核電壓,比現(xiàn)有解決方案的功耗更低。?

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雙端口器件集成了存儲(chǔ)器和控制邏輯,可以通過(guò)獨(dú)立端口實(shí)現(xiàn)對(duì)通用中央存儲(chǔ)器的同時(shí)存取。該IDT 解決方案有助于客戶通過(guò)解決芯片間連接問(wèn)題,增加帶寬并降低設(shè)計(jì)復(fù)雜性,同時(shí)通過(guò)使用經(jīng)過(guò)驗(yàn)證的成熟器件,實(shí)現(xiàn)快速上市。?

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IDT 公司流量控制管理部門(mén)市場(chǎng)總監(jiān) Carl May 表示:“IDT一直積極尋找改善我們現(xiàn)有產(chǎn)品的方法,為我們的客戶提供不斷進(jìn)化的升級(jí),在其未來(lái)的設(shè)計(jì)顧慮變成問(wèn)題之前,幫助他們排除這些顧慮。這些新器件為我們的客戶提供了性能和功耗上的顯著改善。”?

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性能和優(yōu)勢(shì)?

新的 9Mb IDT 70P3519 4Mb 70P3599 是高速 256K/128K x 36 位同步雙端口器件。兩款器件可提供完整的同步功能" title="同步功能">同步功能,有助于 IDT 的客戶優(yōu)化其設(shè)計(jì),獲得更高的性能和更低的功耗。此外,這兩款器件還有助于客戶同時(shí)存取單個(gè)存儲(chǔ)器地址,而無(wú)需外部器件。同步功能包括計(jì)數(shù)器、多個(gè)獨(dú)立的芯片使能字節(jié)使能(byte enable)及同步中斷。此外,控制寄存器、數(shù)據(jù)和地址輸入可實(shí)現(xiàn)最短的設(shè)置和保持時(shí)間,以便使產(chǎn)品更快上市。通過(guò)采用輸入數(shù)據(jù)寄存器,這兩款雙端口器件為具有單向或雙向數(shù)據(jù)流突發(fā)的應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化。一個(gè)由 CE0 CE1 芯片使能引腳控制的自動(dòng)掉電特性,可允許每個(gè)端口的片上電路進(jìn)入一種非常低待機(jī)功耗的模式。?

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70P3519 70P3599 能夠支持一個(gè)或兩個(gè)端口上3.3V、2.5V 1.8V I/O 電壓。這兩款器件的內(nèi)核電源(VDD)為 1.8V。欲了解更多關(guān)于該產(chǎn)品信息,請(qǐng)瀏覽網(wǎng)頁(yè):www.idt.com/go/synch-dp。?

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封裝和供貨?

為了方便 IDT 客戶采用,IDT 70P3519 70P3599 采用與現(xiàn)有 IDT 雙端口解決方案一樣的封裝:256 引腳球柵陣列(BGA)、208 引腳塑料方平(PQFP)和 208 引腳細(xì)間距球柵陣列(fpBGA)。?

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關(guān)于 IDT 公司?

IDT 公司致力于不斷提高數(shù)字媒體體驗(yàn),融合其基礎(chǔ)的半導(dǎo)體技術(shù)產(chǎn)品和重要?jiǎng)?chuàng)新,開(kāi)發(fā)并交付可解決客戶面臨問(wèn)題的低功耗、混合信號(hào)解決方案。IDT 公司總部位于美國(guó)加利福尼亞州圣荷塞,在全球各地設(shè)有設(shè)計(jì)、生產(chǎn)和銷售機(jī)構(gòu)。IDT 股票在納斯達(dá)克全球精選股票市場(chǎng)上市,代號(hào)為IDTI。欲了解更多 IDT 詳情,敬請(qǐng)登陸 www.IDT.com。?

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