0 引言

SDRAM(同步動態(tài)存儲器)是一種應(yīng)用廣泛的存儲器，具有容量大、數(shù)據(jù)讀寫速度快、價格低廉等優(yōu)點，特別適合那些需要海量存儲器的應(yīng)用領(lǐng)域，例如視頻方面。

這里有一個視頻項目要求將非標(biāo)準(zhǔn)的ITU-R BT.656視頻格式的數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換成VGA格式，直接用于顯示器顯示。如圖1，輸入的視頻格式是非標(biāo)準(zhǔn)的ITU-R BT.656格式，圖像分辨率是1280×1024，幀速是15幀／秒，每一個像素點是24bit；輸出的視頻格式是VGA格式，圖像分辨率是1280× 1024，幀速是60幀／秒，每一個像素點還是24bit。

本項目使用SDRAM來存儲視頻數(shù)據(jù)。在設(shè)計中，要求能夠?qū)⒁环暾膱D像(1280×1024×24bit)存儲在SDRAM中。并且要求讀寫突發(fā)長度是1280，即一行視頻數(shù)據(jù)(1280×24bit)。SDRAM突發(fā)長度最高只能達(dá)到256(即SDRAM芯片的一列的長度)，為此需要使用FPGA專門實現(xiàn)一個SDRAM控制器。在控制器的設(shè)計中通過采用切換bank操作、自動預(yù)沖、集中刷新等技術(shù)實現(xiàn)了這種超長突發(fā)長度的數(shù)據(jù)讀寫。同樣通過適當(dāng)?shù)匦薷拇丝刂破?，可以實現(xiàn)任意突發(fā)長度的數(shù)據(jù)讀寫。

1 SDRAM基本特性

本設(shè)計中采用的SDRAM芯片的型號是MT48LC2M3282-7。SDRAM的主要操作包括初始化、讀寫和刷新操作。SDRAM的初始化操作過程如下：上電后等待100 μs；然后依次完成預(yù)沖，兩次刷新操作；接下來就可以配置寄存器了。至此整個初始化工作結(jié)束，SDRAM進入正常工作狀態(tài)。SDRAM進入正常工作狀態(tài)后，就可以根據(jù)命令來工作。這些命令包括：預(yù)沖(Precharge)和自動預(yù)沖(AutoPrecharge)、激活(Active)、讀 (read)、寫(write)、自動刷新(Auto Refresh)和自刷新(Self Refresh)等。根據(jù)本設(shè)計的需要，這里詳細(xì)介紹設(shè)計中相關(guān)的命令：自動預(yù)沖、激活、讀寫、自動刷新。自動預(yù)沖命令是SDRAM芯片在一次突發(fā)讀／寫結(jié)束后自動發(fā)出預(yù)沖命令，將讀寫的行關(guān)閉。它與預(yù)沖命令有著相同的功能，但是發(fā)起命令的方式不一樣。預(yù)沖命令是SDRAM控制器發(fā)起的命令，它需要占據(jù) SDRAM的總線，在這段時間不能讀寫數(shù)據(jù)。而自動預(yù)沖命令是SDRAM自動的行為，不需要占據(jù)SDRAM的總線。這個命令是在發(fā)起讀寫命令時設(shè)置的。

激活命令是對SDRAM的某一行激活，這樣才能對這一行數(shù)據(jù)發(fā)起讀寫操作。讀寫命令是對某一激活的行進行突發(fā)讀寫操作。具體的突發(fā)讀寫的數(shù)據(jù)長度在初始化時配置寄存器時設(shè)置了。

刷新命令是對SDRAM內(nèi)的數(shù)據(jù)完成再生的操作，因為SDRAM采用電容存儲數(shù)據(jù)，而電容存在漏電的現(xiàn)象，因此需要隔一段時間對電容作一次刷新(即重新充電)，一般來說要求64ms內(nèi)將SDRAM的所有行都刷一遍。SDRAM有兩種刷新命令：自動刷新和自刷新。自刷新是在芯片處于低功耗狀態(tài)下時才使用的方式，芯片內(nèi)部自動完成刷新操作。自動刷新是控制器發(fā)起的刷新操作，它必須在SDRAM沒有激活行時才能進行刷新操作，而且需要占用一定的時間(大約 60～70ns)?？刂破骺梢愿鶕?jù)需要選擇在何時刷新，即定時刷新，或集中刷新。定時刷新是隔一段時間就刷新一次；集中刷新是在某一段空閑時間內(nèi)連續(xù)刷新若干次。這個只要保證在64 ms內(nèi)將所有的行都刷一遍即可，具體的刷新方式可以根據(jù)自己的應(yīng)用需要來設(shè)計。

2 SDRAM控制器的設(shè)計

2．1 SDRAM控制器的設(shè)計思路

SDRAM芯片完成一次讀寫操作由三個命令組成：激活、讀／寫、預(yù)沖。讀寫數(shù)據(jù)的突發(fā)長度往往是有限制的，在SDRAM芯片本身提供的突發(fā)長度最大只能達(dá)到一行的容量(256，即全頁突發(fā)模式)。這樣當(dāng)一次讀寫突發(fā)長度結(jié)束后，如果需要發(fā)起下一次讀寫，就需要發(fā)預(yù)沖命令結(jié)束這一行，然后發(fā)激活命令開啟下一行。這樣才能開始寫下一次數(shù)據(jù)。因此，如果想要連續(xù)的數(shù)據(jù)讀寫，就必須想辦法節(jié)省激活和預(yù)沖命令。

激活命令通過切換Bank操作來完成。SDRAM有4個獨立的bank，每一個bank可以同時允許有一行激活，彼此并不會相互干擾。這樣的話，在同一時刻最多可以有4個行處于激活狀態(tài)。這就為節(jié)約激活時間提供了解決方案：在突發(fā)讀寫一個bank下的某一行時，可以在突發(fā)長度結(jié)束之前提前激活另一個 bank下的某一行。這樣當(dāng)這個突發(fā)長度結(jié)束時就可以直接讀寫另一bank中被激活的行。預(yù)沖可以采用自動預(yù)沖方式來完成，不需要額外的預(yù)沖命令。

通過上述兩種操作方式可以完全實現(xiàn)超長突發(fā)長度的數(shù)據(jù)讀寫，本設(shè)計將SDRAM設(shè)置成突發(fā)長度為8，突發(fā)長度結(jié)束后采用自動預(yù)沖方式完成此行的預(yù)沖操作，具體設(shè)想如下：

在寫SDRAM時，先激活Bank0的第一行；發(fā)出帶自動預(yù)沖模式的寫操作；數(shù)據(jù)開始寫入這一行內(nèi)；一段時間后(在突發(fā)長度結(jié)束之前)將Bank1的第一行激活；在Bank0的寫突發(fā)長度結(jié)束的同時，發(fā)出寫B(tài)ank1的命令，這樣接下來的數(shù)據(jù)就寫入Bank1的第一行中；而由于在寫SDRAM的Bank0 時設(shè)置成自動預(yù)沖模式，所以SDRAM會在Bank0的寫操作結(jié)束后自動預(yù)沖，經(jīng)過tRP(預(yù)沖時間)后，這一Bank自動回到idle狀態(tài)。同樣 Bank1處于寫突發(fā)長度時將Bank2的第一行激活，在Bank1的寫突發(fā)長度結(jié)束的同時發(fā)出寫B(tài)ank2的命令……如此四個bank輪流工作，將數(shù)據(jù)均勻地分配到4個bank中。

對于這種超長的數(shù)據(jù)突發(fā)讀寫，完成一次讀寫操作所花費的時間比較多，例如讀寫時鐘是108MHz時，一次突發(fā)長度是1280的寫操作所花費的時間是11． 6 μs，即在這段時間內(nèi)SDRAM的數(shù)據(jù)總線是不能被中斷的。因此采用集中刷新是最好的解決辦法。在突發(fā)讀寫結(jié)束后，會有一段比較長的空閑期(具體時間長度根據(jù)視頻數(shù)據(jù)的視頻中行消隱數(shù)據(jù)個數(shù)和讀寫時鐘決定)，在這段時問內(nèi)可以集中連續(xù)發(fā)出多個刷新命令，只需要保證在64ms內(nèi)總的刷新次數(shù)達(dá)到了要求即可。

2．2 SDRAM控制器的實現(xiàn)

本設(shè)計中將SDRAM控制器分成4個子模塊：sdr_master主控模塊、sdr_ctrl命令模塊、sdr_sig譯碼模塊、sdr_data數(shù)據(jù)通路模塊，見圖2。sdr_master主控模塊根據(jù)外部的讀寫請求向sdr_ctrl命令模塊提供各種讀寫控制信號；sdr_ctrl命令模塊內(nèi)部的控制狀態(tài)機會依此發(fā)出各種SDRAM讀寫控制命令；sdr_sig譯碼模塊會把sdr_ctrl輸出的控制命令譯碼成符合SDRAM接口的信號。此SDRAM 控制器的設(shè)計，最復(fù)雜的部分在于如何設(shè)計SDRAM的工作時序，即SDRAM何時激活，何時讀／寫，何時預(yù)沖，何時刷新。這些控制除了滿足SDRAM的工作特性外，還要滿足設(shè)計要求。因此，鑒于SDRAM控制的復(fù)雜性，一般都采用狀態(tài)機來控制。本設(shè)計中sdr_ctrl命令模塊包括兩個狀態(tài)機：初始化狀態(tài)機完成SDRAM的初始化；控制狀態(tài)機完成SDRAM的正常工作控制。下面分別詳述這兩個狀態(tài)機的設(shè)計。

初始化狀態(tài)機的結(jié)構(gòu)見圖3。系統(tǒng)在上電(復(fù)位)后，處于i NOP狀態(tài)；當(dāng)?shù)却?00 μs后，狀態(tài)跳轉(zhuǎn)到i PRE，發(fā)出預(yù)沖命令；接著跳轉(zhuǎn)到i tRP等待；經(jīng)過tRP時間后，狀態(tài)跳轉(zhuǎn)到i_AR1，發(fā)第一次刷新命令，然后在i_tRFC1等待tRFC時間后發(fā)第二次刷新命令，再等待tRFC；接下來轉(zhuǎn)到狀態(tài)i MRS，發(fā)裝載模式字命令，然后等待tMRD時間后初始化完成，進入i_ready狀態(tài)。至此初始化完成，SDRAM芯片就可以正常工作了。

控制狀態(tài)機的狀態(tài)跳變見圖4。此狀態(tài)機是為了滿足超長數(shù)據(jù)的連讀或連寫而特殊設(shè)計的。上電后處于c_idle狀態(tài)，當(dāng)初始化完成后，控制狀態(tài)機才能開始正常工作。當(dāng)外部要求進行讀寫操作時，會正式地啟動狀態(tài)機。此時狀態(tài)機跳變到c_ACT狀態(tài)，使SDRAM控制器發(fā)出激活命令；接下來兩個狀態(tài) c_tRCD1、c_tRCD2是激活等待時間tRCD；然后狀態(tài)機根據(jù)外部是讀請求還是寫請求，來決定下一個狀態(tài)是發(fā)讀命令還是寫命令。下面以寫數(shù)據(jù)為例進行說明，讀數(shù)據(jù)的工作過程是一樣的。

當(dāng)要求寫SDRAM時，控制狀態(tài)機的狀態(tài)由c_tRCD2跳變到c_WR狀態(tài)，發(fā)出寫命令。SDRAM控制器會在發(fā)寫命令的同時將本次突發(fā)數(shù)據(jù)的第一個數(shù)據(jù)送到總線上，接著是三個周期的狀態(tài)：c_tDAL1、c_DAL2、c_tDAL3，之后回到c_idle狀態(tài)。這樣完成了寫數(shù)據(jù)的一次循環(huán)，剛好需要 8個周期。在回到c_idle狀態(tài)后即可啟動下一次寫數(shù)據(jù)傳輸，這時狀態(tài)機跳到c_ACT狀態(tài)，發(fā)出激活另一個bank的某一行的命令，然后經(jīng)過兩個周期后，此時上一次寫操作的數(shù)據(jù)突發(fā)長度剛好結(jié)束。下一個周期狀態(tài)變成c_WR，發(fā)下一次的寫命令，同時將這一次突發(fā)長度的第一個數(shù)據(jù)放到SDRAM數(shù)據(jù)總線上……如此循環(huán)，可以完成長度是1280的連續(xù)數(shù)據(jù)的寫入。這個循環(huán)如何結(jié)束呢?當(dāng)發(fā)了最后一個突發(fā)寫命令后，狀態(tài)機回到c_idle時，即可停止循環(huán)，不再進入激活狀態(tài)?？傊ㄟ^控制這個狀態(tài)機可以完成長度是8的倍數(shù)的連續(xù)數(shù)據(jù)讀寫。控制狀態(tài)機還有實現(xiàn)刷新操作的功能，當(dāng)要求對SDRAM進行刷新操作時，控制狀態(tài)機的狀態(tài)會跳變到c_AR，SDRAM控制器會依此發(fā)出刷新命令。然后狀態(tài)機跳變到c_tRFC狀態(tài)等待刷新操作的結(jié)束。當(dāng)刷新操作結(jié)束后，狀態(tài)機將恢復(fù)到c_idle。這樣就完成了一次刷新操作。如果需要多次刷新，就可以連續(xù)進行多次這樣的循環(huán)。

2．3 SDRAM控制器的綜合

本設(shè)計使用的SDRAM芯片是MT48LC2M3282，F(xiàn)PGA芯片是cyclone的EP1C6Q240C6。綜合工具是QuartusII 6．0。綜合的結(jié)果是邏輯單元使用了170個，占總資源的3％;工作頻率最高可以達(dá)到240．10 MHz，滿足項目要求。

3 代碼的仿真測試

本設(shè)計的仿真工具是Modelsim6.1f，部分仿真測試波形見圖5。圖中描述了讀一行數(shù)據(jù)的時序圖，在開始突發(fā)寫數(shù)據(jù)后，SDRAM的數(shù)據(jù)總線sdr_DQ上的數(shù)據(jù)沒有被中斷。這個表示整個設(shè)計達(dá)到了能夠支持超長數(shù)據(jù)突發(fā)讀寫功能，能滿足設(shè)計要求。

4 結(jié)束語

本文介紹了一種實現(xiàn)超長數(shù)據(jù)突發(fā)讀寫的設(shè)計。此設(shè)計采用切換Bank操作節(jié)約了激活命令所花費的時間；采用自動預(yù)沖命令節(jié)約了預(yù)沖命令所花費的時間；采用集中刷新完成了足夠的刷新操作。通過對上面操作的組合設(shè)計，能夠很好地完成超長數(shù)據(jù)的突發(fā)讀寫。在設(shè)計中，成功地實現(xiàn)了突發(fā)長度是1280的數(shù)據(jù)讀寫，滿足了項目需求。