過去LED 業(yè)者為了獲得充分的白光LED" title="白光LED">白光LED 光束，曾經(jīng)開發(fā)大尺寸LED芯片" title="LED芯片">LED芯片 試圖藉此方式達(dá)到預(yù)期目標(biāo)。不過，實(shí)際上白光LED的施加電力持續(xù)超過1W以上時(shí)光束反而會下降，發(fā)光效率相對降低20～30%。換句話說，白光LED的亮度如果要比傳統(tǒng)LED大數(shù)倍，消耗電力特性超越熒光燈的話，就必需克服下列四大課題：抑制溫升、確保使用壽命、改善發(fā)光效率，以及發(fā)光特性均等化。
 
　　溫升問題的解決方法是降低封裝的熱阻抗；維持LED的使用壽命的方法是改善芯片外形、采用小型芯片；改善LED的發(fā)光效率的方法是改善芯片結(jié)構(gòu)、采用小型芯片；至于發(fā)光特性均勻化的方法是改善LED的封裝方法，這些方法已經(jīng)陸續(xù)被開發(fā)中。
 
　　解決封裝的散熱問題才是根本方法
 
　　由于增加電力反而會造成封裝的熱阻抗急劇降至10K/W以下，因此國外業(yè)者曾經(jīng)開發(fā)耐高溫白光LED，試圖藉此改善上述問題。然而，實(shí)際上大功率LED" title="大功率LED">大功率LED 的發(fā)熱量比小功率 LED高數(shù)十倍以上，而且溫升還會使發(fā)光效率大幅下跌。即使封裝技術(shù)允許高熱量，不過LED芯片的接合溫度卻有可能超過容許值，最后業(yè)者終于領(lǐng)悟到解決封裝的散熱問題才是根本方法。
 
　　有關(guān)LED的使用壽命，例如改用硅質(zhì)封裝材料與陶瓷封裝材料，能使LED的使用壽命提高一位數(shù)，尤其是白光LED的發(fā)光頻譜含有波長低于450nm短波長光線，傳統(tǒng)環(huán)氧樹脂封裝材料極易被短波長光線破壞，高功率白光LED的大光量更加速封裝材料的劣化，根據(jù)業(yè)者測試 結(jié)果顯示 連續(xù)點(diǎn)燈不到一萬小時(shí)，高功率白光LED的亮度已經(jīng)降低一半以上，根本無法滿足照明光源長壽命的基本要求。
 
　　有關(guān)LED的發(fā)光效率，改善芯片結(jié)構(gòu)與封裝結(jié)構(gòu)，都可以達(dá)到與低功率白光LED相同水平。主要原因是電流密度提高2倍以上時(shí)，不但不容易從大型芯片取出光線，結(jié)果反而會造成發(fā)光效率不如低功率白光LED的窘境。如果改善芯片的電極構(gòu)造，理論上就可以解決上述取光問題。
 
　　設(shè)法減少熱阻抗、改善散熱問題
 
　　有關(guān)發(fā)光特性均勻性，一般認(rèn)為只要改善白光LED的熒光體材料濃度均勻性與熒光體的制作技術(shù)，應(yīng)該可以克服上述困擾。如上所述提高施加電力的同時(shí)，必需設(shè)法減少熱阻抗、改善散熱問題。具體內(nèi)容分別是：降低芯片到封裝的熱阻抗、抑制封裝至印刷電路基板的熱阻抗、提高芯片的散熱順暢性。

        過去LED 業(yè)者為了獲得充分的白光LED 光束，曾經(jīng)開發(fā)大尺寸LED芯片 試圖藉此方式達(dá)到預(yù)期目標(biāo)。不過，實(shí)際上白光LED的施加電力持續(xù)超過1W以上時(shí)光束反而會下降，發(fā)光效率相對降低20～30%。換句話說，白光LED的亮度如果要比傳統(tǒng)LED大數(shù)倍，消耗電力特性超越熒光燈的話，就必需克服下列四大課題：抑制溫升、確保使用壽命、改善發(fā)光效率，以及發(fā)光特性均等化。
 
　　溫升問題的解決方法是降低封裝的熱阻抗；維持LED的使用壽命的方法是改善芯片外形、采用小型芯片；改善LED的發(fā)光效率的方法是改善芯片結(jié)構(gòu)、采用小型芯片；至于發(fā)光特性均勻化的方法是改善LED的封裝方法，這些方法已經(jīng)陸續(xù)被開發(fā)中。
 
　　解決封裝的散熱問題才是根本方法
 
　　由于增加電力反而會造成封裝的熱阻抗急劇降至10K/W以下，因此國外業(yè)者曾經(jīng)開發(fā)耐高溫白光LED，試圖藉此改善上述問題。然而，實(shí)際上大功率LED 的發(fā)熱量比小功率 LED高數(shù)十倍以上，而且溫升還會使發(fā)光效率大幅下跌。即使封裝技術(shù)允許高熱量，不過LED芯片的接合溫度卻有可能超過容許值，最后業(yè)者終于領(lǐng)悟到解決封裝的散熱問題才是根本方法。
 
　　有關(guān)LED的使用壽命，例如改用硅質(zhì)封裝材料與陶瓷封裝材料，能使LED的使用壽命提高一位數(shù)，尤其是白光LED的發(fā)光頻譜含有波長低于450nm短波長光線，傳統(tǒng)環(huán)氧樹脂封裝材料極易被短波長光線破壞，高功率白光LED的大光量更加速封裝材料的劣化，根據(jù)業(yè)者測試 結(jié)果顯示 連續(xù)點(diǎn)燈不到一萬小時(shí)，高功率白光LED的亮度已經(jīng)降低一半以上，根本無法滿足照明光源長壽命的基本要求。
 
　　有關(guān)LED的發(fā)光效率，改善芯片結(jié)構(gòu)與封裝結(jié)構(gòu)，都可以達(dá)到與低功率白光LED相同水平。主要原因是電流密度提高2倍以上時(shí)，不但不容易從大型芯片取出光線，結(jié)果反而會造成發(fā)光效率不如低功率白光LED的窘境。如果改善芯片的電極構(gòu)造，理論上就可以解決上述取光問題。
 
　　設(shè)法減少熱阻抗、改善散熱問題
 
　　有關(guān)發(fā)光特性均勻性，一般認(rèn)為只要改善白光LED的熒光體材料濃度均勻性與熒光體的制作技術(shù)，應(yīng)該可以克服上述困擾。如上所述提高施加電力的同時(shí)，必需設(shè)法減少熱阻抗、改善散熱問題。具體內(nèi)容分別是：降低芯片到封裝的熱阻抗、抑制封裝至印刷電路基板的熱阻抗、提高芯片的散熱順暢性。

    　為了降低熱阻抗，許多國外LED廠商將LED芯片設(shè)置在銅與陶瓷材料制成的散熱器(heat sink)表面，接著再用焊接方式將印刷電路板的散熱用導(dǎo)線連接到利用冷卻風(fēng)扇強(qiáng)制空冷的散熱器上。根據(jù)德國OSRAM Opto Semi conductors Gmb實(shí)驗(yàn)結(jié)果證實(shí)，上述結(jié)構(gòu)的LED芯片到焊接點(diǎn)的熱阻抗可以降低9K/W，大約是傳統(tǒng)LED的1/6左右，封裝后的LED施加2W的電力時(shí)，LED芯片的接合溫度比焊接點(diǎn)高18K，即使印刷電路板溫度上升到50℃，接合溫度頂多只有70℃左右；相比之下以往熱阻抗一旦降低的話，LED芯片的接合溫度就會受到印刷電路板溫度的影響。因此，必需設(shè)法降低LED芯片的溫度，換句話說，降低LED芯片到焊接點(diǎn)的熱阻抗，可以有效減輕LED芯片降溫作用的負(fù)擔(dān)。反過來說即使白光LED具備抑制熱阻抗的結(jié)構(gòu)，如果熱量無法從封裝傳導(dǎo)到印刷電路板的話，LED溫度上升的結(jié)果仍然會使發(fā)光效率急劇下跌。因此，松下電工開發(fā)印刷電路板與封裝一體化技術(shù)，該公司將1mm正方的藍(lán)光LED以flip chip方式封裝在陶瓷基板上，接著再將陶瓷基板粘貼在銅質(zhì)印刷電路板表面，根據(jù)松下報(bào)導(dǎo)包含印刷電路板在內(nèi)模塊整體的熱阻抗大約是15K/W左右。
 
　　各業(yè)者展現(xiàn)散熱設(shè)計(jì)功力
 
　　由于散熱器與印刷電路板之間的致密性直接左右熱傳導(dǎo)效果，因此印刷電路板的設(shè)計(jì)變得非常復(fù)雜。有鑒于此美國Lumileds與日本CITIZEN等照明設(shè)備、LED封裝 廠商，相繼開發(fā)高功率LED用簡易散熱技術(shù)，CITIZEN在2004年開始開始制造白光LED樣品封裝，不需要特殊接合技術(shù)也能夠?qū)⒑窦s2～3mm散熱器的熱量直接排放到外部，根據(jù)該CITIZEN報(bào)道雖然LED芯片的接合點(diǎn)到散熱器的30K/W熱阻抗比OSRAM的9K/W大，而且在一般環(huán)境下室溫會使熱阻抗增加1W左右，即使是傳統(tǒng)印刷電路板無冷卻風(fēng)扇強(qiáng)制空冷狀態(tài)下，該白光LED模塊也可以連續(xù)點(diǎn)燈使用。
 
　　Lumileds于2005年開始制造的高功率LED芯片，接合容許溫度更高達(dá)+185℃，比其它公司同級產(chǎn)品高60℃，利用傳統(tǒng)RF 4印刷電路板封裝時(shí)，周圍環(huán)境溫度40℃范圍內(nèi)可以輸入相當(dāng)于1.5W電力的電流(大約是400mA)。所以Lumileds與CITIZEN是采取提高接合點(diǎn)容許溫度，德國OSRAM公司則是將LED芯片設(shè)置在散熱器表面，達(dá)到9K/W超低熱阻抗記錄，該記錄比OSRAM過去開發(fā)同級產(chǎn)品的熱阻抗減少40%。值得一提的是該LED模塊 封裝時(shí)，采用與傳統(tǒng)方法相同的flip chip方式，不過LED模塊與散熱器接合時(shí)，則選擇最接近LED芯片發(fā)光層作為接合面，藉此使發(fā)光層的熱量能夠以最短距離傳導(dǎo)排放。
 
　　2003年東芝Lighting曾經(jīng)在400mm正方的鋁合金表面，鋪設(shè)發(fā)光效率為60lm/W低熱阻抗白光LED，無冷卻風(fēng)扇等特殊散熱組件前提下，試制光束為300lm的LED模塊。由于東芝Lighting擁有豐富的試制經(jīng)驗(yàn)，因此該公司表示由于模擬分析技術(shù)的進(jìn)步，2006年之后超過60lm/W的白光LED，都可以輕松利用燈具、框體提高熱傳導(dǎo)性，或是利用冷卻風(fēng)扇強(qiáng)制空冷方式設(shè)計(jì)照明設(shè)備的散熱，不需要特殊散熱技術(shù)的模塊結(jié)構(gòu)也能夠使用白光LED。

　　變更封裝材料抑制材質(zhì)劣化與光線穿透率降低的速度
 
　　有關(guān)LED的長壽化，目前LED廠商采取的對策是變更封裝材料，同時(shí)將熒光材料分散在封裝材料內(nèi)，尤其是硅質(zhì)封裝材料比傳統(tǒng)藍(lán)光、近紫外光LED芯片上方環(huán)氧樹脂封裝材料，可以更有效抑制材質(zhì)劣化與光線穿透率降低的速度。由于環(huán)氧樹脂吸收波長為400～450nm的光線的百分比高達(dá)45%，硅質(zhì)封裝材料則低于1%，輝度減半的時(shí)間環(huán)氧樹脂不到一萬小時(shí)，硅質(zhì)封裝材料可以延長到四萬小時(shí)左右，幾乎與照明設(shè)備的設(shè)計(jì)壽命相同，這意味著照明設(shè)備使用期間不需更換白光LED。不過硅質(zhì)樹脂屬于高彈性柔軟材料，加工時(shí)必需使用不會刮傷硅質(zhì)樹脂表面的制作技術(shù)，此外加工時(shí)硅質(zhì)樹脂極易附著粉屑，因此未來必需開發(fā)可以改善表面特性的技術(shù)。
 
　　雖然硅質(zhì)封裝材料可以確保LED四萬小時(shí)的使用壽命，然而照明設(shè)備業(yè)者卻出現(xiàn)不同的看法，主要爭論是傳統(tǒng)白熾燈與熒光燈的使用壽命，被定義成“亮度降至30%以下”。亮度減半時(shí)間為四萬小時(shí)的LED，若換算成亮度降至30%以下的話，大約只剩二萬小時(shí)左右。目前有兩種延長組件使用壽命的對策，分別是，抑制白光LED整體的溫升，和停止使用樹脂封裝方式。
 
　　一般認(rèn)為如果徹底執(zhí)行以上兩項(xiàng)延壽對策，可以達(dá)到亮度30%時(shí)四萬小時(shí)的要求。抑制白光LED溫升可以采用冷卻LED封裝印刷電路板的方法，主要原因是封裝樹脂高溫狀態(tài)下，加上強(qiáng)光照射會快速劣化，依照阿雷紐斯法則溫度降低10℃壽命會延長2倍。停止使用樹脂封裝可以徹底消滅劣化因素，因?yàn)長ED產(chǎn)生的光線在封裝樹脂內(nèi)反射，如果使用可以改變芯片側(cè)面光線行進(jìn)方向的樹脂材質(zhì)反射板，則反射板會吸收光線，使光線的取出量急劇銳減。這也是LED廠商一致采用陶瓷系與金屬系封裝材料主要原因。