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“網(wǎng)絡(luò)安全”再次成為眾多兩會代表提案的關(guān)鍵詞

“網(wǎng)絡(luò)安全”再次成為眾多兩會代表提案的關(guān)鍵詞

今年的兩會已落下帷幕，“沒有網(wǎng)絡(luò)安全就沒有國家安全”，“網(wǎng)絡(luò)安全”再次成為眾多代表委員提案和議案中的關(guān)鍵詞。隨著網(wǎng)絡(luò)的飛速發(fā)展，網(wǎng)絡(luò)信息安全問題已對國家、社會及個人造成巨大威脅。下面就一起看看對于解決所面臨的網(wǎng)絡(luò)安全問題，代表委員們都有哪些好的建議。

英飛凌CoolSiC?肖特基二極管2000 V滿足高直流母線電壓應(yīng)用

【2024年10月23日, 德國慕尼黑訊】如今，許多工業(yè)應(yīng)用可以通過提高直流母線電壓，在力求功率損耗最低的同時，向更高的功率水平過渡。為滿足這一需求，全球功率系統(tǒng)和物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域的半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)者英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）推出CoolSiC?肖特基二極管2000 V G5

發(fā)表于：10/23/2024

團(tuán)體觀展招募！104CEF開啟組團(tuán)觀眾通道，解鎖更多禮遇

第104屆中國電子展，一個專注于電子信息全產(chǎn)業(yè)鏈的盛會，將于2024年11月18日至20日在上海新國際博覽中心隆重舉行。面對電子信息產(chǎn)業(yè)的快速發(fā)展，第104屆中國電子展將依托國內(nèi)龐大的市場需求，積極打造應(yīng)用創(chuàng)新高地、前沿產(chǎn)業(yè)集聚區(qū)及龍頭企業(yè)合作交流平臺，旨在進(jìn)一步完善電子信息技術(shù)產(chǎn)業(yè)鏈，提升電子信息產(chǎn)業(yè)在全球市場的競爭力，并穩(wěn)步邁向更廣闊的市場空間。

發(fā)表于：10/23/2024

高通指責(zé)ARM強(qiáng)行壓迫合作伙伴

10月23日消息，據(jù)多方報道，Arm擬取消允許長期合作伙伴高通使用Arm知識產(chǎn)權(quán)設(shè)計芯片的的許可，目前已經(jīng)通知高通。針對此消息，高通方面由發(fā)言人回應(yīng)稱：“這是Arm的一貫做法——更多毫無根據(jù)的威脅，旨在強(qiáng)行壓迫長期合作伙伴，干擾我們性能領(lǐng)先的CPU產(chǎn)品，并無視雙方架構(gòu)許可協(xié)議已經(jīng)涵蓋的廣泛權(quán)利來提高許可費(fèi)率。在12月即將到來的法庭審理之前，Arm采取這種出于絕望的伎倆，似乎是試圖干擾法律程序，其終止許可協(xié)議的訴求毫無依據(jù)。我們有信心，高通與Arm協(xié)議中涵蓋的權(quán)利將得到法院的確認(rèn)。Arm的反競爭行為將不會被容忍?！?

發(fā)表于：10/23/2024

消息稱Arm計劃取消對高通的芯片設(shè)計許可

10 月 23 日消息，據(jù)彭博社今日報道，Arm 擬取消允許長期合作伙伴高通使用 Arm 知識產(chǎn)權(quán)設(shè)計芯片的許可。彭博社獲得的文件顯示，Arm 提前 60 天通知高通要取消架構(gòu)許可協(xié)議。這項許可允許高通基于 Arm 擁有的標(biāo)準(zhǔn)設(shè)計自己的芯片。這場糾紛可能擾亂（roil）智能手機(jī)和 PC 市場，并對這兩家半導(dǎo)體行業(yè)巨頭的財務(wù)和運(yùn)營造成沖擊。

發(fā)表于：10/23/2024

倍思成為2024 ESG全球領(lǐng)導(dǎo)者大會移動電源指定品牌

作為國內(nèi)最早一批把氮化鎵技術(shù)應(yīng)用到充電領(lǐng)域的品牌,Baseus倍思最新推出的45W氮化鎵充電器所使用的PI芯片,采用了高度集成系統(tǒng)封裝技術(shù),大幅減少了外圍器件數(shù)量,為更優(yōu)秀的電源系統(tǒng)奠定了設(shè)計基礎(chǔ),也使得充電器擁有前所未有的安全保障與性能表現(xiàn)。倍思科技還聯(lián)手科研機(jī)構(gòu)完成了《高功率密度氮化鎵電源模塊研制與產(chǎn)業(yè)化》項目獲得“廣東省科技進(jìn)步獎二等獎”“中國電子學(xué)會科學(xué)技術(shù)獎二等獎”等享有廣泛知名度和影響力的獎項,進(jìn)一步印證了倍思科技在底層研發(fā)上積累的雄厚實(shí)力,也展現(xiàn)了倍思ESG創(chuàng)新實(shí)踐的不息步履。

發(fā)表于：10/23/2024

傳英特爾與三星將組建代工同盟對抗臺積電

傳英特爾與三星將組建代工同盟對抗臺積電

發(fā)表于：10/23/2024

美國出口管制之下中國半導(dǎo)體專利申請量激增42%

美國出口管制之下，中國半導(dǎo)體專利申請量激增42%

發(fā)表于：10/23/2024

TCL華星展出全球首款基于LTPO COA技術(shù)的1700PPI VR顯示屏

10 月 22 日消息，2024 亞洲潮電博覽會（ACE 2024）昨日在上海新國際博覽中心召開，TCL 華星展出多款顯示方案。匯總?cè)缦拢? 14" 2.8K 印刷 Hybrid OLED 顯示屏：該產(chǎn)品搭載 TCL 華星新型 Oxide 補(bǔ)償電路設(shè)計與 High PPI 印刷 OLED 技術(shù)，分辨率達(dá)到 2.8K（240PPI），支持 30～120Hz VRR 技術(shù)。

發(fā)表于：10/23/2024

消息稱三星本月成功研制首批1c nm DRAM良品晶粒

10 月 22 日消息，韓媒 ZDNET Korea 當(dāng)?shù)貢r間昨日報道稱，三星電子本月首次開發(fā)出 1c nm（第 6 代 10nm 級）DRAM 內(nèi)存 Good Die 良品晶粒，公司內(nèi)部對此給予積極評價。

發(fā)表于：10/23/2024

美國政府?dāng)M向半導(dǎo)體級多晶硅制造商HSC授予至多3.25億美元補(bǔ)貼

10 月 22 日消息，美國商務(wù)部當(dāng)?shù)貢r間昨日宣布同半導(dǎo)體級多晶硅制造商 Hemlock Semiconductor（下文簡稱 HSC）簽署了一份不具約束力的初步條款備忘錄，擬根據(jù)《CHIPS》法案向 HSC 提供至多 3.25 億美元（IT之家備注：當(dāng)前約 23.15 億元人民幣）的直接資金。

發(fā)表于：10/23/2024