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AET原創(chuàng)

震撼首發(fā) 兆易創(chuàng)新引領(lǐng)RISC-V進(jìn)入“用芯”時代

震撼首發(fā) 兆易創(chuàng)新引領(lǐng)RISC-V進(jìn)入“用芯”時代

從2008年開始RISC-V就是全球爭論的熱點(diǎn)話題，被視為中國芯片產(chǎn)業(yè)的一個重要機(jī)遇，期望在CPU領(lǐng)城形成Intel、ARM、RISC-V三分天下的格局，但是真正投入資源去嘗試這一全新生態(tài)并推出產(chǎn)品的公司并不多。近日，國內(nèi)通用MCU領(lǐng)域的代表企業(yè)兆易創(chuàng)新隆重發(fā)布了基于RISC-V架構(gòu)的通用MCU產(chǎn)品系列——GD32V，在全球范圍內(nèi)首次將RISC-V的技術(shù)引入到嵌入式領(lǐng)域，一舉將RISC-V由“談芯”時代引領(lǐng)入“用芯”時代，為國內(nèi)的IC產(chǎn)業(yè)帶來一個全球的賽道、全新的機(jī)會。

發(fā)表于：8/27/2019 6:23:00 AM

IAIC信息安全高峰論壇成功召開產(chǎn)學(xué)研共話“中國芯”

IAIC信息安全高峰論壇成功召開產(chǎn)學(xué)研共話“中國芯”

日前，由中國電子信息產(chǎn)業(yè)集團(tuán)有限公司和海寧市政府主辦的“IAIC信息安全高峰論壇暨中國芯應(yīng)用創(chuàng)新設(shè)計大賽信息安全專項賽”于浙江海寧成功舉辦。來自信息安全和集成電路產(chǎn)業(yè)的兩百余名專業(yè)人士匯聚一堂，共同研討信息安全的前沿技術(shù)和發(fā)展方向，共同交流中國芯應(yīng)用創(chuàng)新設(shè)計之道。

發(fā)表于：8/26/2019 7:54:00 AM

EUV是7nm節(jié)點(diǎn)之后的必然趨勢

EUV是7nm節(jié)點(diǎn)之后的必然趨勢

過去幾十年，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)在摩爾定律的指導(dǎo)下獲得了高速的發(fā)展，為了滿足摩爾定律“同等面積芯片集成的晶體管數(shù)每18個月翻一番”的要求，晶圓廠一直在推動工藝制程的更新。但隨著節(jié)點(diǎn)的演進(jìn)，產(chǎn)業(yè)界普遍認(rèn)為傳統(tǒng)的光刻將會在65nm或者45nm的時候遭受到障礙，為此他們尋找新的解決辦法，EUV就是他們的主要選擇。

發(fā)表于：8/20/2019 4:13:22 PM

先進(jìn)制程競爭已成為影響CPU的決定因素

先進(jìn)制程競爭已成為影響CPU的決定因素

先進(jìn)的制程工藝提升對于 CPU 性能提升影響明顯。工藝提升帶來的作用有頻率提升以及架構(gòu)優(yōu)化兩個方面。一方面，工藝的提升與頻率緊密相連，使得芯片主頻得以提升；另一方面工藝提升帶來晶體管規(guī)模的提升，從而支持更加復(fù)雜的微架構(gòu)或核心，帶來架構(gòu)的提升。根據(jù) CPUDB 的數(shù)據(jù)，可以看出在芯片發(fā)展歷史上，工藝提升顯著帶來了頻率提升和架構(gòu)提升的作用。隨著制程節(jié)點(diǎn)進(jìn)步，可以發(fā)現(xiàn)頻率隨工藝增長的斜率已經(jīng)減緩，由于登德爾縮放定律的失效以及隨之而來的散熱問題，單純持續(xù)提高 CPU 時鐘頻率變得不再現(xiàn)實，廠商也逐漸轉(zhuǎn)而向低頻多核架構(gòu)的研究。

發(fā)表于：8/19/2019 3:57:06 PM

以材料工程為基石，應(yīng)用材料公司Endura平臺突破面向物聯(lián)網(wǎng)和云計算的新型存儲器量產(chǎn)瓶頸

以材料工程為基石，應(yīng)用材料公司Endura平臺突破面向物聯(lián)網(wǎng)和云計算的新型存儲器量產(chǎn)瓶頸

如今持續(xù)推動半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的“摩爾定律”已經(jīng)減緩，而新架構(gòu)、新材料、新微縮技術(shù)以及先進(jìn)的封裝技術(shù)將有望延續(xù)“摩爾定律”，使其繼續(xù)“活下去”！近期，以材料工程為基礎(chǔ)的應(yīng)用材料公司推出了新型芯片制造系統(tǒng)，整合式的材料解決方案解開了一直以來新型存儲器大規(guī)模量產(chǎn)的制造難題。

發(fā)表于：8/7/2019 10:14:15 PM

TI的獨(dú)門武器DLP技術(shù)，下一個殺手級應(yīng)用是什么？

TI的獨(dú)門武器DLP技術(shù)，下一個殺手級應(yīng)用是什么？

日前，2019年DLP產(chǎn)品創(chuàng)新應(yīng)用研討會在深圳舉辦，德州儀器及DLP技術(shù)相關(guān)廠商向與會觀眾呈現(xiàn)了豐富多彩的基于DLP技術(shù)的創(chuàng)新應(yīng)用。

發(fā)表于：7/26/2019 2:57:00 PM

Arm與中國聯(lián)通攜手打造全新物聯(lián)網(wǎng)平臺

Arm與中國聯(lián)通攜手打造全新物聯(lián)網(wǎng)平臺

在2019年的巴塞羅那MWC上，Arm首次公開與中國聯(lián)通物聯(lián)網(wǎng)的深度合作，經(jīng)過四個多月的協(xié)作發(fā)展，近日雙方公布了第一階段的成果，宣布Arm已成功部署基于Arm Pelion設(shè)備管理平臺與Mbed OS操作系統(tǒng)所打造的全新物聯(lián)網(wǎng)平臺，加速推進(jìn)和完善中國物聯(lián)網(wǎng)生態(tài)發(fā)展。中國聯(lián)通物聯(lián)網(wǎng)有限責(zé)任公司總經(jīng)理陳曉天、Arm高級副總裁兼物聯(lián)網(wǎng)云服務(wù)總經(jīng)理Hima Mukkamala共同出席了本次發(fā)布，分享了雙方在物聯(lián)網(wǎng)方面的合作進(jìn)展和今后的發(fā)展規(guī)劃。

發(fā)表于：7/25/2019 5:28:21 PM

SiC的突破要解決技術(shù)和原材料兩大難題

SiC的突破要解決技術(shù)和原材料兩大難題

隨著硅材料的負(fù)載量逐漸接近極限，以硅為基片的半導(dǎo)體器件性能和能力極限已無可突破的空間。人們遂將目光投向以碳化硅（SiC）為代表的第三代寬帶隙半導(dǎo)體材料。其中，SiC作為目前發(fā)展最成熟的寬禁帶半導(dǎo)體材料最受重視，被業(yè)內(nèi)公認(rèn)為最具發(fā)展前景的“一種未來的材料”，預(yù)計在今后5~10年將會取得快速發(fā)展并有顯著成果出現(xiàn)。目前世界各國都在SiC領(lǐng)域投入重資，意圖能夠在硅基半導(dǎo)體以外保持自己國家在IC產(chǎn)業(yè)的領(lǐng)先地位。作為SiC功率元器件的領(lǐng)先企業(yè)，羅姆日前在北京召開媒體會，羅姆半導(dǎo)體(北京)有限公司技術(shù)中心所長水原德健先生詳細(xì)介紹了SiC的市場動向和羅姆的產(chǎn)品戰(zhàn)略。

發(fā)表于：7/22/2019 7:46:00 AM

抓住“北斗+5G”的空間大數(shù)據(jù)融合發(fā)展機(jī)遇

抓住“北斗+5G”的空間大數(shù)據(jù)融合發(fā)展機(jī)遇

2019年成都電子展期間，中國電子學(xué)會會士、北京郵電大學(xué)鄧中亮教授就北斗和5G、空間大數(shù)據(jù)的應(yīng)用等問題，發(fā)表了主題為《北斗+5G的空間大數(shù)據(jù)發(fā)展機(jī)遇與挑戰(zhàn)》的報告。

發(fā)表于：7/19/2019 5:41:47 PM

Soitec：以優(yōu)化襯底賦能產(chǎn)業(yè)發(fā)展

Soitec：以優(yōu)化襯底賦能產(chǎn)業(yè)發(fā)展

Soitec是全球最大的優(yōu)化襯底供應(yīng)商，日前，2019中國（成都）電子信息博覽會期間，Soitec RF-SOI高級業(yè)務(wù)發(fā)展經(jīng)理Luis Andia博士、Soitec公司中國區(qū)銷售總監(jiān)陳文洪先生以及Soitec臺灣及東南亞區(qū)域客戶群經(jīng)理江韻涵女士接受了本刊記者的采訪。

發(fā)表于：7/18/2019 6:23:00 PM