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X-FAB推出基于其110nm車規(guī)BCD-on-SOI技術(shù)的嵌入式數(shù)據(jù)存儲(chǔ)解決方案

　　中國(guó)北京，2024年12月5日——全球公認(rèn)的卓越的模擬/混合信號(hào)晶圓代工廠X-FAB Silicon Foundries（“X-FAB”）今日宣布一項(xiàng)非易失性存儲(chǔ)領(lǐng)域的重大創(chuàng)新。該創(chuàng)新利用X-FAB同類最佳的SONOS技術(shù)：基于其高壓BCD-on-SOI XT011這一110nm工藝節(jié)點(diǎn)平臺(tái)，X-FAB可為客戶提供符合AECQ100 Grade-0標(biāo)準(zhǔn)的32kByte容量嵌入式閃存IP，并配備額外的4Kbit EEPROM。此外，從2025年起，X-FAB還計(jì)劃推出更大容量的64KByte、128KByte閃存以及更大存儲(chǔ)空間的EEPROM。

發(fā)表于：12/31/2024 10:42:00 PM

IAR C-SPY為VS Code社區(qū)樹立調(diào)試新標(biāo)準(zhǔn)

　　瑞典烏普薩拉，2024年12月5日 — 全球領(lǐng)先的嵌入式系統(tǒng)開發(fā)軟件解決方案供應(yīng)商IAR宣布，對(duì)VS Code中的調(diào)試擴(kuò)展IAR C-SPY調(diào)試器進(jìn)行了重大升級(jí)。此次升級(jí)引入了IAR的Listwindow技術(shù)，進(jìn)一步提升了調(diào)試能力，使IAR C-SPY調(diào)試器在VS Code環(huán)境中成為嵌入式設(shè)備調(diào)試方面的全新標(biāo)桿。

發(fā)表于：12/31/2024 10:37:41 PM

艾邁斯歐司朗光子創(chuàng)新：利用多光譜傳感技術(shù)減少食物浪費(fèi)

　　中國(guó) 上海，2024年12月4日——全球領(lǐng)先的光學(xué)解決方案供應(yīng)商艾邁斯歐司朗（SIX：AMS）今日宣布，艾邁斯歐司朗基于AS7341多光譜傳感器開發(fā)的創(chuàng)新應(yīng)用來(lái)解決食物浪費(fèi)這一全球性難題。其多光譜傳感解決方案為農(nóng)業(yè)與食品行業(yè)帶來(lái)深遠(yuǎn)變革，該技術(shù)通過精確判定最佳收獲時(shí)機(jī)，提升質(zhì)量控制水平，并在整個(gè)供應(yīng)鏈中有效減少浪費(fèi)。

發(fā)表于：12/31/2024 10:17:36 PM

Vishay推出性能先進(jìn)的新款40 V MOSFET

　　美國(guó) 賓夕法尼亞 MALVERN、中國(guó) 上海 — 2024年12月4日 — 日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布，推出采用PowerPAK® 10x12封裝的新型40 V TrenchFET® 四代n溝道功率MOSFET---SiJK140E，該器件擁有優(yōu)異的導(dǎo)通電阻，能夠?yàn)楣I(yè)應(yīng)用提供更高的效率和功率密度。與相同占位面積的競(jìng)品器件相比，Vishay Siliconix SiJK140E的導(dǎo)通電阻降低了32 %，同時(shí)比采用TO-263-7L封裝的40 V MOSFET的導(dǎo)通電阻低58 %。

發(fā)表于：12/31/2024 10:09:06 PM

芯科科技突破性超低功耗Wi-Fi 6和低功耗藍(lán)牙5.4模塊加速設(shè)備部署

　　中國(guó)，北京 – 2024年12月3日 – 致力于以安全、智能無(wú)線連接技術(shù)，建立更互聯(lián)世界的全球領(lǐng)導(dǎo)廠商Silicon Labs（亦稱“芯科科技”，NASDAQ：SLAB），今日宣布推出SiWx917Y超低功耗Wi-Fi® 6和低功耗藍(lán)牙®（Bluetooth® LE）5.4模塊。

發(fā)表于：12/31/2024 10:01:41 PM

Littelfuse擴(kuò)充NanoT IP67級(jí)輕觸開關(guān)系列，新增頂部和側(cè)面操作選項(xiàng)

　　芝加哥2024年12月3日訊-- Littelfuse公司（NASDAQ：LFUS）是一家全球領(lǐng)先的工業(yè)技術(shù)解決方案提供商，致力于打造可持續(xù)發(fā)展、互聯(lián)互通并且更加安全的世界。公司今天日宣布擴(kuò)充其NanoT輕觸開關(guān)產(chǎn)品線。該系列以微型、防水的表面安裝輕觸開關(guān)為特色，擴(kuò)充后包括了新的操作力選項(xiàng)以及頂部和側(cè)面操作型號(hào)，進(jìn)一步增強(qiáng)了該系列在下一代智能可穿戴設(shè)備、無(wú)線耳機(jī)、便攜式醫(yī)療設(shè)備和物聯(lián)網(wǎng)系統(tǒng)中的應(yīng)用。

發(fā)表于：12/31/2024 9:55:51 PM

貿(mào)澤電子與Analog Devices和Bourns聯(lián)手發(fā)布全新電子書

　　2024年12月3日 - 專注于推動(dòng)行業(yè)創(chuàng)新的知名新品引入（NPI）代理商?貿(mào)澤電子（Mouser Electronics）宣布與Analog Devices, Inc. （ADI）和Bourns合作推出全新電子書，探討氮化鎵（GaN）在效率、性能和可持續(xù)性方面的優(yōu)勢(shì)，以及發(fā)揮這些優(yōu)勢(shì)所面臨的挑戰(zhàn)。

發(fā)表于：12/31/2024 9:28:59 PM

大聯(lián)大世平集團(tuán)推出基于瑞芯微產(chǎn)品的低功耗AOV IPC方案

　　2024年12月3日，致力于亞太地區(qū)市場(chǎng)的國(guó)際領(lǐng)先半導(dǎo)體元器件分銷商---大聯(lián)大控股宣布，其旗下世平推出基于瑞芯微（Rockchip）RV1106產(chǎn)品的低功耗AOV IPC方案。

發(fā)表于：12/31/2024 9:19:17 PM

2024中國(guó)出海品牌100強(qiáng)指數(shù)發(fā)布

由人民日?qǐng)?bào)海外網(wǎng)攜手GYBrand全球品牌研究院聯(lián)合編制的2024年度中國(guó)出海品牌100強(qiáng)指數(shù)，主要是從海外業(yè)績(jī)、品牌建設(shè)、品牌貢獻(xiàn)、可持續(xù)發(fā)展等四大維度若干項(xiàng)指標(biāo)對(duì)中國(guó)出海企業(yè)進(jìn)行綜合評(píng)價(jià)分析的。這是一份全面展示新時(shí)代中國(guó)出海品牌高質(zhì)量發(fā)展最新成就的研究報(bào)告，同時(shí)也是衡量中國(guó)出海企業(yè)品牌價(jià)值的風(fēng)向標(biāo)。

發(fā)表于：12/31/2024 9:15:41 PM

萊迪思榮獲最佳技術(shù)實(shí)踐獎(jiǎng)

　　中國(guó)上海——2024年11月30日——萊迪思半導(dǎo)體（NASDAQ：LSCC），低功耗可編程器件的領(lǐng)先供應(yīng)商，今天宣布，萊迪思Drive?解決方案集合榮獲Gasgoo Awards頒發(fā)的最佳技術(shù)實(shí)踐獎(jiǎng)。萊迪思Drive旨在加速先進(jìn)、靈活的汽車系統(tǒng)設(shè)計(jì)和應(yīng)用的開發(fā)，因其在技術(shù)創(chuàng)新方面的杰出表現(xiàn)而獲得該獎(jiǎng)項(xiàng)。

發(fā)表于：12/31/2024 9:07:38 PM

貿(mào)澤推出RISC-V技術(shù)資源中心探索開源的未來(lái)

　　2024年12月2日 – 提供超豐富半導(dǎo)體和電子元器件?的業(yè)界知名新品引入（NPI）代理商貿(mào)澤電子（Mouser Electronics）推出內(nèi)容豐富的RISC-V資源中心，為設(shè)計(jì)工程師提供新技術(shù)和新應(yīng)用的相關(guān)知識(shí)。隨著開源架構(gòu)日益普及，RISC-V從眾多選項(xiàng)中脫穎而出，成為開發(fā)未來(lái)先進(jìn)軟硬件的新途徑。從智能手機(jī)和IoT設(shè)備，再到高性能計(jì)算，RISC-V正在各行各業(yè)中發(fā)展成為更主流的指令集架構(gòu) （ISA）。

發(fā)表于：12/31/2024 8:47:47 PM

意法半導(dǎo)體車規(guī)八通道柵極驅(qū)動(dòng)引入專利技術(shù)

2024 年 12 月 4 日，中國(guó)——意法半導(dǎo)體 L99MH98 8通道柵極驅(qū)動(dòng)引入專利技術(shù)，可構(gòu)建沒有電流檢測(cè)電阻的直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)，從而降低耗散功率和物料成本。

發(fā)表于：12/31/2024 6:22:21 PM

CCPAK1212封裝將再次提升Nexperia功率MOSFET的性能表現(xiàn)

　　奈梅亨，2024年12月12日：Nexperia今日宣布推出16款新80 V和100 V功率MOSFET。這些產(chǎn)品均采用創(chuàng)新型銅夾片CCPAK1212封裝，具有業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的功率密度和優(yōu)越性能。創(chuàng)新型銅夾片設(shè)計(jì)能夠承載高電流、寄生電感更低且熱性能出色，因此這些器件非常適合電機(jī)控制、電源、可再生能源系統(tǒng)和其他耗電應(yīng)用。該系列還包括專為AI服務(wù)器熱插拔功能設(shè)計(jì)的特定應(yīng)用MOSFET （ASFET）。采用CCPAK封裝的MOSFET提供頂部和底部散熱選項(xiàng)，可實(shí)現(xiàn)高功率密度和可靠的解決方案。所有器件封裝均已在JEDEC注冊(cè)，并配備Nexperia交互式數(shù)據(jù)手冊(cè)，便于無(wú)縫集成。

發(fā)表于：12/31/2024 5:40:11 PM

Arm Neoverse 賦能 AWS Graviton4 處理器，加速云計(jì)算創(chuàng)新

　　隨著人工智能（AI）技術(shù)的迅猛發(fā)展，云計(jì)算領(lǐng)域正在經(jīng)歷顯著變革。愈發(fā)復(fù)雜的 AI 應(yīng)用對(duì)計(jì)算解決方案的性能、效率和成本效益提出了更高要求。在云端部署工作負(fù)載的客戶正在重新評(píng)估其所需的基礎(chǔ)設(shè)施，以滿足現(xiàn)代工作負(fù)載需求，其中不僅包括提高性能和降低成本，還涵蓋了需符合監(jiān)管要求或可持續(xù)發(fā)展目標(biāo)的新能效基準(zhǔn)。

發(fā)表于：12/31/2024 5:34:30 PM

Electro Rent 益萊儲(chǔ)任命新首席營(yíng)收官，以為客戶提供最大價(jià)值

　　2024年12月12日，中國(guó)北京 —— 領(lǐng)先的全球電子測(cè)試與測(cè)量設(shè)備專業(yè)公司 Electro Rent/益萊儲(chǔ)任命 Alan Mayer 為其首席營(yíng)收官（Chief Revenue Officer），以引領(lǐng)公司的發(fā)展計(jì)劃。Alan 已在科技公司積累了豐富的全球客戶服務(wù)經(jīng)驗(yàn)，涵蓋從初創(chuàng)企業(yè)到全球500強(qiáng)企業(yè)，涉及企業(yè)和公共部分等多個(gè)領(lǐng)域及垂直行業(yè)。

發(fā)表于：12/31/2024 5:29:21 PM