德州儀器 NexFETTM 功率模塊以分立式解決方案CSD86350Q5D
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上傳者：serena
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文檔介紹：德州儀器 (TI) 宣布推出一款可在 25 A 電流下實(shí)現(xiàn)超過(guò) 90% 高效率的同步 MOSFET 半橋，其占位面積僅為同類(lèi)競(jìng)爭(zhēng)功率 MOSFET 器件的 50%。TI 全新 CSD86350Q5D 功率模塊通過(guò)高級(jí)封裝將 2 個(gè)非對(duì)稱(chēng) NexFET 功率 MOSFET 進(jìn)行完美整合，可為服務(wù)器、臺(tái)式機(jī)與筆記本電腦、基站、交換機(jī)、路由器以及高電流負(fù)載點(diǎn) (POL) 轉(zhuǎn)換器等低電壓同步降壓半橋應(yīng)用實(shí)現(xiàn)高性能。
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