150V低RDS(ON) MOSFET器件FDMS86200
所屬分類:參考設計
上傳者:serena
文檔大小:211 K
標簽: MOS|IGBT|元器件
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文檔介紹:飛兆半導體公司推出一款具有低RDS(ON) (最大值17mOhm)和優(yōu)化品質(zhì)因數(shù)(Figure of Merit; FOM) (最大值17m Ohm * 33nCº)的150V MOSFET器件FDMS86200,以滿足DC-DC設計人員對具有較低開關(guān)損耗、較低噪聲和緊湊占位面積之MOSFET產(chǎn)品的需求。該器件利用飛兆半導體先進的工藝技術(shù)和封裝技術(shù),以及系統(tǒng)專有技術(shù),并采用5mm x 6mm MLP封裝,具有效率高、功耗較低和散熱較少的特性。
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