功率MOS管RDS(on)負溫度系數(shù)對負載開關(guān)設(shè)計的影響
所屬分類：技術(shù)論文
上傳者：aet
文檔大?。?span>296 K
標(biāo)簽： 開關(guān)|穩(wěn)壓
所需積分：0分積分不夠怎么辦？
文檔介紹：介紹了功率MOS管導(dǎo)通電阻的正溫度系數(shù)和負溫度系數(shù)的雙重特性以及相對應(yīng)的VGS的轉(zhuǎn)折電壓，負載開關(guān)電路通過延長米勒平臺的時間來限制輸入浪涌電流的工作特點。分析了由于米勒平臺工作于負溫度系數(shù)區(qū)域，產(chǎn)生的開關(guān)損耗導(dǎo)致局部熱不平衡從而形成局部熱點的原因。實驗結(jié)果表明，減小輸出電容、提高功率MOS管的散熱能力，可以提高系統(tǒng)的可靠性。
現(xiàn)在下載
VIP會員，AET專家下載不扣分；重復(fù)下載不扣分，本人上傳資源不扣分。